Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала До недавнего времени при анализе квантовой эффективности, практически не учитывались уникальные структурные особенности нитридов Ill-группы, связанные не только с высокой плотностью дислокаций более…	Карташова, Анна Петровна	2010
Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси Необходимо отметить, что термин «упорядочение» понимается в литературе неоднозначно. При распаде твердых растворов могут образовываться, так называемые, моделированные структуры при сегрегации точечных дефектов по периодическому или квазипериодическому типу. Образование моделированных структур, тоже зачастую относят к процессам упорядочения. В…	Сидоров, Евгений Николаевич	2010
Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов Впервые получены и исследованы короткопериодные сверхрешётки ¡пОаМ/ОаЪ}, выращенные методом периодической конвертации поверхностного слоя кКЗаЫ. Показано что, использование короткопериодных сверхрешёток 1пОаМЛлаК в активной области позволило значительно улучшить характеристики светодиодных структур. Впервые предложен и реализован метод…	Сизов, Виктор Сергеевич	2010
Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах Основные проблемы, возникающие при интерпретации и анализе результатов экспериментальных исследований дефектов с глубокими уровнями в многослойных полупроводниковых структурах (диодах Шоттки, МОП структурах), обусловлены тем, что наблюдаемые изменения электрофизических параметров исследуемых структур являются интегральным результатом…	Бормонтов, Александр Евгеньевич	2010
Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния Для решения поставленных задач был применен комплекс методов исследования, включающий просвечивающую электронную микроскопию (ПЭМ), оптическую спектроскопию отражения и поглощения, инфракрасную (ИК) Фурье-спектроскопию, спектроскопию комбинационного рассеяния (КРС) и метод фотолюминесценции (ФЛ…	Маслова, Наталья Евгеньевна	2010
Теория резонансных фотонных кристаллов и квазикристаллов Практическая значимость работы состоит в том, что в ней впервые рассчитаны зонная структура и спектры отражения, пропускания и дифракции одномерных, двумерных и трехмерных резонансных фотонных кристаллов с учетом пространственной дисперсии диэлектрической проницаемости и диэлектрического контраста; теоретически исследовано температурное поведение…	Поддубный, Александр Никитич	2010
Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии Таким образом, уникальные свойства ПК обуславливают его многочисленные применения в микроэлектронике, наноэлектронике, оптоэлектронике и даже в технологии биосовместимых материалов [10]. Вместе с тем ПК является интересным модельным объектом для развития физики токопереноса, фото- и электролюминесценции в наноразмерных гетероструктурах, физики…	Демидова, Наталия Евгеньевна	2010
Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111) Особенностью подхода к формированию двумерных (2D) пленок силицидов металлов является использование стабильных поверхностных сверхструктур различных металлов на кремнии в качестве барьерных слоев или прекурсоров для создания сплошных пленок моноатомной толщины в условиях сверхвысокого вакуума…	Фомин, Дмитрий Владимирович	2010
Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией Результаты работы могут быть использованы для экспресс-анализа, качества выращенных КРС и усовершенствования технологии ГФЭ'МОС при создании' приборных структур. Метод ДЭП может быть использован для диагностики процессов медленного захвата носителей на ловушки и определения высоты эмиссионного барьера в КТ,. а также для определения дрейфовой…	Истомин, Леонид Анатольевич	2010
Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода В последние годы в связи с проблемой глобального потепления основное внимание мирового научного сообщества обращено к поискам альтернативных источников энергии, при этом возник стойкий интерес к развитию водородной энергетики…	Салихов, Хафиз Миргазямович	2010
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона Кристаллы GaSe обладают высокой плотностью собственных дефектов решетки, в частности, плотность дислокаций в них достигает значений до 109 см"2 [20], а число дефектов упаковки на слои - до 0,67 [21]. При этом ростовый материал обладает устойчивым р-типом проводимости с концентрацией свободных дырок 1015-1018 см"3 [1, 22]. р-тип проводимости GaSe…	Саркисов, Сергей Юрьевич	2010
Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы Адсорбированные атомы могут различаться по степени аккомодации (от физадсорбции до хемосорбции) и занимать различные адсорбционные места на поверхности полупроводника. Взаимодействие между адатомами оказывает влияние на состояния, индуцированные отдельными адатомами и может приводить к возникновению новых, "коллективных" ПС. Как следствие…	Журавлев, Андрей Григорьевич	2010
Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In) Особенности примесных состояний индия во многом обусловлены свойствами кристаллической матрицы теллурида свинца, в частности, высокой поляризуемостью решетки и, как следствие, чрезвычайно высоким значением статической диэлектрической проницаемости с ~ 103. Взаимодействия в системе примесный центр - ближайшее кристаллическое окружение приводят к…	Добровольский, Александр Александрович	2010
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками В настоящее время уже распространенно создание структур с приповерхностными варизонными слоями с повышенным составом при выращивании материала Н^1хСс1хТе для матриц инфракрасных фотодиодов. Варизонные слои позволяют улучшить пороговые характеристики (например, обнаружительную способность) детекторов путем снижения роли поверхностной рекомбинации и…	Дзядух, Станислав Михайлович	2010
Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения Из многообразия способов изготовления таких структур в промышленных масштабах используются всего два - SIM OX (Silicon IMplanted by OXygen) [3] и Smart Cut [4]. В обоих способах основным процессом при изготовлении является имплантация, в первом случае ионов кислорода, во втором — водорода. В первом случае имплантация используется для создания…	Николаев, Данил Валериевич	2010
Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (λ=1.6-1.85 мкм Таким образом, разработка гетероструктур, излучающих в диапазоне длин волн 1.6-1.9 мкм, и создание мощных полупроводниковых лазеров с низкими внутренними потерями на их основе являются актуальными задачами как с научной, так и с практической точек зрения…	Лютецкий, Андрей Владимирович	2009
Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития До середины 1990-х годов наибольшее внимание исследователей было обращено на увеличение стойкости электрооптических параметров к лазерному воздействию и разработку на этой основе нового поколения оптоэлектронных и акустоэлектронных устройств. В то же время были недостаточно исследованы взаимодействия лазерных пучков с примесными центрами и роль…	Калимуллин, Рустем Ирекович	2009
Влияние водорода на электрофизические свойства германия в системе полупроводник-электролит С присутствием водорода и его состоянием в полупроводниках, связаны многие вопросы технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Водород присутствует практически на всех этапах производства приборов на основе 81, Се и полупроводниковых соединений Ш-У: в процессах роста кристалла, отжига п плавления, как составная часть плазмы для…	Родионов, Николай Викторович	2009
Влияние микро- и наноструктурирования на оптические свойства кремниевых слоев В последние годы было обнаружено, что можно формировать кремниевые слои с большой оптической анизотропией, используя преимущественное травление c-Si вдоль определенных кристаллографических направлений в электрохимическом, плазмохимическом или химическом процессах. Важными примерами таких анизотропноструктурированных кремниевых объектов являются…	Мамичев, Дмитрий Александрович	2009
Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария Наличие тензорезистивного эффекта позволило применить материалы на основе 8т8 для изготовления тензорезисторов и тензорезисторных датчиков всевозможных механических величин (давлений, деформаций, перемещений, ускорений, вибраций и т. п.). Развитие этого направления доведено до коммерческого производства…	Шаренкова, Наталия Викторовна	2009