Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te Кристаллографические исследования проводились на просвечивающем электронном микроскопе ЭМВ -100БР методом дифракции электронов. Размеры кристаллов оценивались с помощью электронной микроскопии. Фазовый состав полученных образцов определяли методом рентгеновской дифракции на дифрактометре ДРОН-4…	Иман Абдель-Монем Эль-Сайед Махди	2011
Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге Объектом исследования в данной работе является ансамбль преципитатов бора в кремнии, созданный высокодозной имплантацией ионов бора и последующими высокотемпературными отжигами. Выбор объекта основан на том, что бор является одной из основных и самых изученных легирующих примесей в кремнии, а ионная имплантация и отжиги — стандартные операции в…	Феклистов, Константин Викторович	2011
Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий Для диагностики состава и структуры моноатомных пленок используются методы электронной и рентгеновской спектроскопии, а также метод статической вторично-ионной масс-спектроскопии [9]. Однако глубина анализируемого слоя в этих методах больше размера атома, что может приводить к ошибкам при расшифровке экспериментальных результатов. Достоверные…	Саблин, Виктор Александрович	2011
Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений Другими важными направлениями, получившими развитие в эти же годы, являлись получение квантоворазмерных объектов (квантовым точек, ям, проволок, сверхрешеток и колончатых структур) со свойствами, принципиально отличными от свойств объемных материалов, а также (после открытия в 1986 г.) высокотемпературных сверхпроводников…	Мамутин, Владимир Васильевич	2011
Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe ЛВЭ лазерная вакуумная эпитаксия млэ молекулярно-лучевая эпитаксия моэк магнитооптический эффект Керра мс магнетосопротивление мсм магнитно-силовая микроскопия мтп магнитный туннельный переход нп немагнитный полупроводник…	Левчук, Сергей Александрович	2011
Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5 …	Серебренникова, Ольга Юрьевна	2011
Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN Основными объектами исследования являлись полупроводниковые гетероструктуры с множественными квантовыми ямами 1пОа1чГ/ОаН, выращенные на сапфировых подложках и используемые при создании мощных синих, сине-зеленых и белых светодиодов нового поколения…	Кучерова, Ольга Владимировна	2011
Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5 Известно, что высокая химическая активность редкоземельных элементов обеспечивает связывание примесных атомов, залечивание вакансий и уменьшение вероятности образования антисгруктурных дефектов. Они также способствуют снятию напряжений в кристаллической решетке эпитаксиального ТР и его «очищению» от дефектов. Кроме того, поскольку редкоземельные…	Глотов, Антон Валерьевич	2011
Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия В настоящее время для получения эпитаксиальных слоев ОаАз наиболее широко используется газофазовая эпитаксия. Детекторные структуры на их основе содержат барьер Шоттки либо ^-«-переход, область пространственного заряда которых является активной областью детектора. Для эффективной работы детекторов необходимо, чтобы активная область занимала как…	Пономарев, Иван Викторович	2011
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами …	Усикова, Анна Александровна	2011
Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя Создание и исследование новых наноразмерных структур является важным как с фундаментальной, так и с прикладной точки зрения. Наноразмерные объекты можно определить как системы, в которых, по крайней мере, одно измерение не превышает 100 нм. В настоящее время зарядовый аккумуляционный слой на свободной поверхности полупроводника является новым и…	Тимошнев, Сергей Николаевич	2011
Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge Судя по количеству публикаций, среди гетероструктур с самоформирующимися массивами островков наиболее изучены системы InAs на подложке GaAs и Ge на подложке Si. Особый интерес к нанокласте-рам Ge в матрице Si связан с совместимостью метода формирования нанокристаллов с кремниевой технологией. Это стимулирует проведение активных работ в области…	Блошкин, Алексей Александрович	2011
Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах Разработка1, нанотехнологий невозможна! без понимания: природы процессов; протекающих в* объеме и на границах раздела материалов; Это стимулирует обширные , исследования, посвященные'установлению взаимосвязи электронных свойств с составом и строением твердых тел, развитию теоретических методов и физических моделей для расчета и…	Гриняев, Сергей Николаевич	2011
Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs До настоящего времени практически все эксперименты велись с образцами, в которых характерный масштаб изменения электростатического потенциала значительно превышал длину волны электрона на уровне Ферми, равной (20—70 нм) в наиболее часто используемом диапазоне (1011—1012 см-2) концентрации двумерных электронов. Это было связано с тем, что двумерный…	Козлов, Дмитрий Андреевич	2011
Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова БпОг-х» наряду с другими нестехиометрическими оксидами, в ближайшее время может стать базовым материалом для новых элементов компьютерной энергонезависимой памяти, т.н. мемристоров [1-3]. Мемристоры меняют свое электрическое сопротивление под действием проходящего через них тока…	Рябцев, Станислав Викторович	2011
Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе Одной из проблем является сложность контроля транспортных параметров электронов в 1пТМ. Значения фоновой концентрации электронов в ШЧ остаются достаточно высокими (1018 1019 см"3), а величины подвижности электронов (100 2300 см /Вс) значительно ниже теоретически предсказанного уровня. Кроме того, значения холловской концентрации и подвижности в…	Комиссарова, Татьяна Александровна	2011
Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge Судя по количеству публикаций, среди гетеросистем с самоформирующимися квантовыми точками наиболее изучены системы InAs на подложке GaAs и Ge на подложке Si. Интерес к нанокластерам Ge в кремнии связан с рядом обстоятельств: 1) успехи в технологии получения однородного массива нанокластеров Ge высокой плотности (>10п см"2); 2) размеры…	Кириенко, Виктор Владимирович	2011
Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111) С другой стороны, изучение формирования атомных реконструкций на поверхности Ge^Sij-j/Si позволит лучше понять процессы на поверхности твердых тел. Действительно, вопрос о том, какой специфический параметр подложки и слоя адсорбата контролирует структуру и свойства получаемой реконструкции, всё еще представляет интерес. Нахождение ответа на этот…	Чубенко, Дмитрий Николаевич	2010
Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников О и безразмерная) концентрация адатомов, а п§(0) и ¡¿8(@) есть, соответственно, концентрация и подвижность электронов в приповерхностной области, для решения проблемы в целом необходимо определить вызванные адсорбцией изменения…	Аньчков, Денис Геннадьевич	2010
Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова З1. Исследовать влияние облучения сенсоров светодиодами (СД) с излучением в видимом диапазоне, а также ультрафиолетовым излучением (УФ) и лампой ПРК на их параметры…	Ле Ван Ван	2010