Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия …	Потапович, Наталия Станиславовна	2012
Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3 В ряде работ [1-3] максимальные значения отклика на N02 наблюдались при введении добавки золота в объем пленок. Однако механизм влияния Аи на электрические и газочувствительные характеристики сенсоров на основе \¥0з в литературе не обсуждается. Свойства пленок с нанесенными на поверхность дисперсными слоями золота изучены не достаточно. Следует…	Рудов, Фёдор Валентинович	2012
Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров Плазменные колебания электронов в волноводном слое ККЛ лежат в дальней ИК и терагерцевой области спектра. Это приводит к резонансному взаимодействию электромагнитной волны на рассматриваемых частотах с объемными и поверхностными плазменными колебаниями носителей заряда в волноводе и образованию поверхностных и объемных плазмон-поляритонных мод…	Богданов, Андрей Андреевич	2012
Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы Разнообразие фталоцианинов с различными металлическими атомами и периферийными заместителями приводит к потенциальному разнообразию структурных, электронных, оптических и магнитных свойств этих соединений. Расчеты фталоцианиновых комплексов из первых принципов позволяют обнаружить закономерности изменения их свойств, в некоторых случаях понять…	Тихонов, Евгений Васильевич	2012
Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs …	Власов, Юрий Николаевич	2012
Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки …	Коростелев, Дмитрий Александрович	2012
Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP В соответствии с теоретическими расчетами гетероструктуры с КТ первого рода с непрямой запрещённой зоной могут быть сформированы на основе соединений АЗ-В5: ОаАэ и СаБЬ в матрице ОаР [7,8] . Между тем, строение и энергетический спектр гетероструктур с КЯ и самоорганизованными КТ, сформированных в гетеросистемах ОаАБ/ОаР и ОаЭЬ/ОаР, до сих пор…	Абрамкин, Демид Суад	2012
Эффекты переключения мод в AlGaAs/InGaAs/GaAs полупроводниковых лазерах и интегрально-оптические модуляторы мощного излучения на их основе …	Подоскин, Александр Александрович	2012
Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники Синтез слоев азотсодержащих твердых растворов ОаАэМ, 1пОаАзМ и их гетероструктур осуществлялся методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием газоразрядного источника атомарного азота. Структурные свойства исследовались методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии. Оптические исследования выполнялись методом…	Егоров, Антон Юрьевич	2011
Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O) Эти электронные свойства имеют существенное значение для нескольких гетероструктурных устройств таких, как лазеры, солнечные ячейки и гетероструктурные биполярные транзисторы…	Данилевич, Надежда Дмитриевна	2011
Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3 Собственные дефекты ХСП и их применение в приборах из недостатка может стать достоинством. Разработчики вновь обратили внимание на функциональные двухэлектродные элементы памяти, и в ряде ведущих фирм начались разработки микросхем памяти на основе ХСП. Разработчиков привлекает, прежде всего, возможность создания на их основе элементов…	Еганова, Елена Михайловна	2011
Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175) А19. Studied of the elastic properties of manganite La0.825Sr0.i75MnO3 / Bogdanova Kh.G., Bulatov A.R., Golenischev-Kutuzov V.A., Kapralov A.V., Potapov A.A. // XIX международная школа « Новые магнитные материалы микроэлектроники »:Сборниктрудов. Москва. -2004. - С.213 -214…	Булатов, Альберт Рунарович	2011
Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si Перспективныйподход для получениягподложек;б6льшого диаметра - применение гибридных или' так называемых «альтернативных» подложек, которые представляют собош многослойные структуры, состоящие из пластин объёмного кристалла, закрытых буферными: слоями с согласованной решёткой. Объёмные полупроводниковые материалы Si,\.GaAs, .biSb*m…	Якушев, Максим Витальевич	2011
Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором Положение 1. В антиволноводной конструкции поверхностно-излучающих лазеров, основанной на использовании вертикального микрорезонатора с показателем преломления меньшим, чем эффективный показатель преломления распределенных бреггавских отражателей, излучение в волноводные моды, распространяющиеся в горизонтальном направлении, подавлено, а скорость…	Надточий, Алексей Михайлович	2011
Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках К моменту начала настоящей работы теоретически было предсказано, что избежать многих недостатков лазеров на основе квантовых ям позволяет использование лазеров с активной областью на основе нульмерных наноструктур — квантовых точек (КТ). В связи с этим в качестве объекта исследования были выбраны лазеры на основе самоорганизующихся КТ в системе…	Ковш, Алексей Русланович	2011
Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия Проблемы, связанные с захватом на глубокие центры, особенно актуальны для тонкоплёночных структур на основе соединений А3В5, применяемых для создания быстродействующих полевых транзисторов Шоттки (ПТШ) и интегральных схем (ИС) диапазона сверхвысоких частот (СВЧ). В таких структурах на границе раздела плёнка - полуизолирующая подложка формируется…	Речкунов, Сергей Николаевич	2011
Инжекционные полупроводниковые лазеры со спектрально-селективными потерями и спектрально-зависимым фактором оптического ограничения Среди приборов с температурно-стабилизированной длиной волны нужно выделить лазеры с распределенной обратной связью (РОС-лазеры) [3,4]. Их основным преимуществом является одночастотный режим генерации. В лазерах этого типа продемонстрирован температурный сдвиг длины волны лазерной генерации на уровне 0.08—0.1 нмК"1. Однако, РОС-лазеры достаточно…	Паюсов, Алексей Сергеевич	2011
Интегрально-оптическая абсорбционная спектроскопия полупроводниковых наногетероструктур Для работы амплитудного, частотного и фазового модулятора могут быть использованы принципы быстрого изменения поглощения в полупроводниковых наногетероструктурах, например, за счет квантоворазмерного эффекта Штарка…	Бакшаев, Илья Олегович	2011
Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента В работе методом численного эксперимента исследована динамика решетки нанометровых и субнанометровых объектов на основе арсенида галлия, формирующихся в объеме и на поверхности полупроводниковых гетероструктур, выращенных со специально заданными характеристиками. Определено влияние структурной анизотропии и легирования квантовых объектов на…	Сачков, Виктор Анатольевич	2011
Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием ГНК и ВНК наблюдается интенсивный рост крупных несферических МД с когерентными границами, что связано с распадом раствора кремния. МД идентифицированы как частичные дислокационные петли межузельного типа…	Жевнеров, Евгений Владимирович	2011