Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Управление свойствами полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок …	Богданова, Дарья Александровна	2013
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах …	Бугров, Владислав Евгеньевич	2013
Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях …	Ахундов, Игорь Олегович	2013
Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости …	Рыбальченко, Андрей Юрьевич	2013
Фотонно-кристаллические гибридные структуры опал/Ge2Sb2Te5: получение, структурные и оптические свойства …	Яковлев, Сергей Александрович	2013
Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений …	Яскевич, Тамара Михайловна	2013
Электрическая проводимость наноструктур на реконструированных поверхностях кремния …	Цуканов, Дмитрий Анатольевич	2013
Электронное строение и размерные свойства углеродных нанотрубок малых диаметров …	Ганин, Александр Андреевич	2013
Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках В слабых электрических полях халькогенидные стеклообразные полупроводники демонстрируют ряд уникальных свойств, а именно нелегируемость, проводимость с энергией активации порядка половины ширины запрещенной зоны и отсутствие парамагнетизма. Для объяснения этих свойств Андерсоном была предложена модель состояний с отрицательной корреляционной…	Богословский, Никита Александрович	2013
Электронно-энергетическое строение наноразмерных структур на основе кремния и его соединений Исследования полупроводниковых систем на основе кремния и его соединений являются особенно перспективными по целому ряду причин. Во-первых, кремний - это основной материал микроэлектроники как в настоящее время, так и в обозримом будущем. Во-вторых, уменьшение размеров элементов полупроводниковых приборов является основной тенденцией в…	Турищев, Сергей Юрьевич	2013
Явления электронного переноса в анизотропных и низкоразмерных полупроводниковых структурах …	Филиппов, Владимир Владимирович	2013
Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111) Практическая ценность работы заключается в апробации методологического инструментария, который обеспечивается применением поверхностных реконструкций при создании молекулярных структур. На примере Si( 111 )л/3 х \/3-1п показано, что, при наличии оборванных связей, именно они определяют будущее пространственное расположение молекулярных структур…	Матецкий, Андрей Владимирович	2012
Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии Другой тип эффектов, вызванных изменением содержания изотопа 81, обладающего ядерным спином связан со сверхтонким взаимодействием спина электрона со спином ядер 1=1/2 изотопа 298ь Эти эффекты, прежде всего, приводят к неоднородному уширению спектров ЭПР и значительно снижают разрешающую способность метода, в результате чего скрываются детали…	Сухоруков, Андрей Владимирович	2012
Изучение низкоразмерных структур металлов (Au, In и Mn) на поверхности кремния В качестве одной из структур, возможность модификации которой мы исследовали, были выбраны пленки силицида марганца. Известно, что силицид марганца обладает магнитными свойствами, поэтому создание планарных свертонких слоев силицида марганца может представлять интерес для спинтроники. Возможность получения пленки силицида с различными…	Денисов, Никита Витальевич	2012
Исследование электрических и оптических свойств дислокационных сеток в кремнии …	Бондаренко, Антон Сергеевич	2012
Исследование энергетических и временных параметров фазовых переходов в халькогенидном соединении Ge2Sb2Te5 …	Митрофанов, Кирилл Валентинович	2012
Межзеренный фотовольтаический эффект в тонкопленочных сегнетоэлектрических структурах M/Pb(Zr,Ti)O3/M …	Делимова, Любовь Александровна	2012
Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии Зависимости концентраций вторичных радиационных дефектов от концентрации доноров, акцепторов в кремнии объясняются изменением вероятностей взаимодействия междоузельного кремния и вакансии с примесями и радиационными дефектами, а также изменением положения уровня Ферми в запрещённой зоне…	Коваленко, Максим Сергеевич	2012
Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации …	Назаренко, Максим Вадимович	2012
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N Отметим, что в установках массового производства приборных структур и объемных материалов (подложек) используются различные газофазные эпитаксиальные (ГФЭ) технологии, с помощью которых налажено производство высокоэффективных (>150лм/Вт) и мощных (>10 Вт) СД. Однако для коммерчески выпускаемых приборов эти параметры достигаются лишь для СД с…	Жмерик, Валентин Николаевич	2012