Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Наноразмерные структуры Si/SiO2 и сенсоры на их основе …	Наумова, Ольга Викторовна	2012
Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур Второе направление основано на полном отказе от понятия классических схемных элементов и непосредственном использовании физических явлений в твердом теле, связанных с кинетическими, квантовыми, механическими, тепловыми, излучательными и магнитными эффектами, а также явлений в жидких средах, связанных с электрохимическими процессами, для выполнения…	Куликов, Олег Николаевич	2012
Нестационарные и нелинейные кинетические явления в баллистических квазиодномерных наноструктурах …	Мурадов, Магамед Идрисович	2012
Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута …	Хрипунов, Юрий Вадимович	2012
Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии Широко распространенный метод формирования квантовых точек основан на эффектах самоорганизации в гетероэпитаксиальных системах. Упругие деформации в эпитаксиальной пленке и островках на ее поверхности являются ключевым фактором как в морфологическом переходе от плоской пленки к островковой (механизм Странского-Крастанова), так и в последующих…	Коптев, Евгений Сергеевич	2012
Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами …	Орешков, Максим Викторович	2012
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной …	Шамирзаев, Тимур Сезгирович	2012
Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики …	Мухин, Иван Сергеевич	2012
Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5 …	Калинина, Карина Вадимовна	2012
Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs …	Мухин, Михаил Сергеевич	2012
Спиновая динамика связанной электронно-ядерной системы в квантовых точках Важной проблемой на пути создания кубита на основе квантовой точки является понимание принципов, заложенных в физической картине спиновой динамики пространственно локализованных электронов. Дело в том, что в отличие от объемных кристаллов, в которых электроны могут свободно двигаться по кристаллу, в квантовых точках их движение ограничено…	Петров, Михаил Юрьевич	2012
Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене Одной из ключевых задач спинтроники является изучение взаимодействия поляризованного излучения со спинами носителей заряда и их комплексов в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах. Процессы передачи углового момента фотона электронной системе ответственны за оптическую ориентацию спинов носителей заряда и ядер решетки, они открывают…	Глазов, Михаил Михайлович	2012
Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) С другой стороны, реконструкции поверхности кремния могут быть интересны и сами по себе. В некоторых из них недавно была обнаружена сверхпроводимость с температурой перехода в сверхпроводящее состояние, как у объемных материалов [2-4]. Другие, как было показано, проявляют свойства двумерного электронного газа [5-8]. К таким системам относятся…	Бондаренко, Леонид Владимирович	2012
Субструктура и оптические свойства гетероструктур на основе А3В5 Спонтанное возникновение периодически упорядоченных структур на поверхности и в эпитаксиальных пленках полупроводников охватывает широкий круг явлений в физике твердого тела и в полупроводниковой технологии, обусловленных процессами самоорганизации в конденсированных средах. Взрыв интереса к данной области связан с необходимостью получения…	Середин, Павел Владимирович	2012
Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники Определяющую роль в эффективности преобразования электроэнергии играют параметры мощных полупроводниковых приборов - ключевых компонентов всех современных преобразовательных устройств. Основные требования, предъявляемые к ним, заключаются в способности пропускать большие токи (десятки и сотни ампер на один прибор) при минимальном падении…	Гусин, Дмитрий Вадимович	2012
Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана Большинство магнитно-электронных устройств основано на металлических материалах таких как Ре, Со, N1 и их сплавах, в которых магнитный момент возникает благодаря наличию в электронной 5б/-оболочке атомов этих металлов неспаренных электронов. В этих материалах свободные носители имеют спиновую поляризацию, вследствие различного числа электронов с…	Кулеманов, Иван Васильевич	2012
Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации …	Шашкин, Илья Сергеевич	2012
Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике Одним из типов наноструктур являются многослойные системы «на-нокристаллический кремний / оксид» (НК 81/оксид), полученные путем высокотемпературного (1000-1100 °С) отжига (ВТО) аморфных многослойных нанопериодических структур (МНС) ^-Si/оксид или tí-SiO^/оксид - аморфных аналогов кристаллических сверхрешеток. Формирование наноструктур основано на…	Чугров, Иван Александрович	2012
Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях Синтезировать нанокристаллы кремния в диэлектрических пленках можно как в процессе роста, так и в послеростовых процессах. Использование печных отжигов для кристаллизации аморфных нанокластеров кремния требует высоких температур и длительных воздействий [9] и может применяться только для структур на тугоплавких подложках. Для практического…	Корчагина, Таисия Тарасовна	2012
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Именно проблема высоких значений скоростей безызлучательной Оже-рекомбинации является основным сдерживающим фактором на пути к разработке эффективных ИК-излучателей…	Горн, Дмитрий Игоревич	2012