Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Особый интерес представляют наблюдения по разрушению длинноволновым светом фотоэлектретного состояния в слоях на основе IflS" фосфоров, указывающие на возможность разработки ЭФ материала, чувствительного в ИК области спектра [в…

Однако преимущества ГС, связанные с их уникальными физическими свойствами могут быть полностью реализованы только в "идеальных" с кристаллографической точки зрения гетеропереходах,т.е в случае контакта на гетерогранице материалов, свободных от дефектов структуры, с равными постоянными решетки цри температуре работы. В реальных гетерокомпозициях…

Кроме них, к данному классу следует отнести контакты полупроводников с металлами и электролитами С7^'7^], а также неупорядоченные (некристаллические) полупроводники , характерной особенностью которых является флуктуационнооть распределения краев разрешенных зон…

Основное содержание диссертащи заключается в развитии общей схемы квазиклассического квантования для сложных зон, которая позволяет оцределить эффективный - фактор, энергетический спектр с учетом "спинового" расщепления и вероятности переходов между орбитами частиц, относящихся к разным ветвям энергетического спектра…

Развитие современного полупроводникового материаловедения приводит к необходимости детального изучения физических свойств все новых полупроводников,которые обладают зачастую крайне малой,а порой и нулевой шириной запрещенной зоной.Эти полупроводники, обычно называемые узкощелевыми,могут быть выделены в самостоятельную группу веществ по…

В практических приложениях твёрдые электролиты имеют существенные технологические преимущества перед жидкими. Однако, их широкому использованию препятствует ряд причин : в одних случаях это весьма значительная стоимость соединений , содержащих серебро, в других - высокая температура суперионного перехода (к примеру, дяя oi-CаВъ Тп=742 к[гз])или…

Моделирование процессов в СПП приобретает особое значение в связи с тем, что в настоящее время важнейшим способом резкого повышения эффективности и качества силового полупроводникового производства является комплексная автоматизация его подготовки , путем широкого использования средств вычислительной техники, разработки и применения системы…

Методом машинного моделирования изучались и изучаются количественные характеристики первично смещенных атомов, определяющих характер радиационных повреждений в кремнии, германии и других м:он©кристаллах, а также в некоторых бинарных мишенях/"в, 11, 29, 50, 62, 63J. Анализ обширных работ по моделированию процессов в облучаемых веществах показывает…

Бее это определяет исключительный интерес, проявляемый учеными и инженерами к изучению структурных дефектов кристаллических веществ. За последние годы в мире опубликованы буквально тысячи работ, посвященных генерации дефектов при выращивании полупроводниковых материалов, при технологических операциях производства приборов и их эксплуатации…

Энергетический спектр электронов цроводимости цредставля-ет собой важнейшую характеристику полупроводника: он определяет его электрические, оптические, магнитные, тепловые и многие другие свойства. Поэтому знание энергетического спектра электронов проводимости исключительно важно для управления свойствами полупроводника: достаточно, например…

В настоящее время применение полупроводниковых лазеров из халькогенидов свинца-олова выходит за рамки научны}: спектроскопических лабораторий. Такие лазеры уже начинают использоваться в промышленности для контроля чистоты веществ в технологических процессах и для контроля загрязнения атмосферы…

В первой' главе исследуется тонкая структура мел ких примесных состояний в полупроводниках со структурой зоны проводимости и валентной зоны типа ft и . В отсутствие внешних воздействий такие состояния многократно вырождены. В этих непрямозонных полупроводниках T>TS , поэтому ориентация связанных на примесях носителей возникает под действием…

Исследование характеристик фотовозбукдённых электронов методами горячей люминесценции позволяет получить интересную информацию о возбуздённом состоянии и о процессах их релаксации к равновесному состоянию. Впервые слабые линии горячей люминесценции наблюдались в щелочио-галоидных кристаллах, активированных молекулярным! ионами N0^ и были…

…

Основной метод получения эффективных излучателей на гетероструктурах в настоящее время - жидкофазовая эпитаксия. Этим объясняется интерес к исследованию фазовых равновесий системы 1п-(»а-Аз-Р. Однако в литературе существует значительное расхождение экспериментальных и расчетных данных по фазовым равновесиям в области низких температур - 600-650°С…

Объектами исследования были слои из поливинилкарбазола. Выбор в качестве объекта исследования обусловлен тем, что он, с одной стороны, применяется в электрофотографии в качестве фоточувствительного материала, а о другой стороны, является хорошей модельной системой для изучения сенсибилизированного фотоэффекта. В качестве примесей, вызывающих…

Объектом исследования являются полупроводниковые поликристаллические материалы с барьерным механизмом электропроводности, обеспечивающим низкие значения подвижности при высокой концентрации свободных носителей…

В работе приведены результаты исследований необратимых и обратимых (реверсивных) фотоиндуцированных превращений ХСП из системы As-S(Se) в интервале температур 100-400 К, рассматривается влияние дополнительных компонентов на характер изменений физических свойств этих материалов. Поставленная задача решалась путем…

Большинство особенностей халькогенидных стекол определяется энергетической структурой вершины валентной зоны вблизи края подвижности и спектром локализованных состояний в "запрещенной зоне". Тем не менее энергетическая структура ХСП в этой области энергии изучена не достаточно. Открытие такого явления в…

С практической точки зрения актуальным является исследование возможности использования в электрофотографии в качестве по крайней мере одного из компонентов электрофотографических слоев PU, (L как нового, практически не изученного полуцроводникового материала, а также создания высокочувствительных полифазных окисносвинцовых слоев…