Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Электромагнитные колебания периодически-неоднородной плазмы полупроводников во внешних полях Между тем изучение электромагнитных свойств решетки свободных носителей в полупроводнике представляет несомненный интерес с точки зрения возможных приложений в оптике. Дело в том, что в данной системе такие специфические плазменные свойства как сильная дисперсия и высокая чувствительность к внешним полям сочетаются с особенностями оптических…	Прохницкий, Леонид Афанасьевич	1984
Электронное упорядочение и фазовые переходы в кристаллах с узкими зонами проводимости Тип фазового перехода ферромагнетик-парамагнетик определяется соотношением констант электрон-деформационного взаимодействия, упругих свойств кристалла, обменной энергии взаимодействия, ширины зоны проводимости и концентрации электронов…	Лопатюк, Сергей Владимирович	1984
Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе Ввиду того, что электронно-зондовые методы в данной работе применялись для исследования нелегированных эпитаксиальных слоев & a As и структур на их основе, получаемых методом жидкофазной эпитаксии, то для правильной интерпретации и понимания задач, стоящих при электронно-зондовых исследованиях, вторая часть была посвящена обзору электрофизических…	Соболев, Михаил Михайлович	1984
Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи: I) Собрать установку для спектров поглощения и отражения методом модуляции длины волны. 2) Исследовать оптические спектры на краю и в глубине области собственного поглощения методом модуляции длины волны в поляризованном излучении. Определить характер и поляризационную…	Мамедов, Шамиль Садых оглы	1984
Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe В связи с вышесказанным в последние годы оптические свойства полупроводниковых кристаллов в ИК области спектра исслежу -ются весьма активно. Наряду с экспериментами по рассеянию мед -ленных нейтронов эти эксперименты составляют необходимую часть комплекса исследований фононных спектров полупроводниковых кристаллов. Сюда же примыкает и…	Низаметдинова, Мунира Анваровна	1984
Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла В работе содержатся конкретные рекомендации, которые могут быть использованы при разработке оптоэлектронных устройств на основе сегнетоэлектрических жидких кристаллов…	Асланов, Меджид Ахад оглы	1984
Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе Результаты таких исследований необходимых для более полного понимания особенностей состава, структуры, процессов образования и распада метастабильных твердых растворов, а также для оценки возможностей их практического использования…	Вартанян, Роберт Серобович	1984
Энергетический спектр узкозонных многокомпонентных твердых растворов на основе халькогенидов свинца - олова /PbSnTe, PbSnSe и др./ Перечисленные задачи не могут быть решены, в рамках традиционных подходов - к-Р— метода и различных, численных методов. №из первых принципов" /псевдопотенциала, ППВ-, ОПВД Основываясь толь— ко на соображениях, симметрии, k-P- метод ве использует информацию о химическом составе соединения. В результате параметры; теории — матричные; элементы…	Сазонов, Андрей Владимирович	1984
ЭПР примесных центров и некоторые СВЧ характеристики слоистых кристаллов Несмотря на обилие фактического материала и фундаментальных )бзорных работ / 1,4,7,8,9 /, освещающих различные свойства сло-ютых полупроводниковых кристаллов, некоторые проблемы до сих пор остаются нерешенными или далекими от полного понимания. Так, для большинства кристаллов такого типа однозначно не установлены типы структурных модификаций…	Окулов, Сергей Михайлович	1984
Явления электронного переноса при низких температурах С особенностями электрон-фононной релаксации при низких температурах связан также вопрос о температурной зависимости поверхностного импеданса в режиме аномального скин-эффекта. В теории поверхностного импеданса металлов (см., например, /6/) была общепринятой концепция, согласно которой поверхностный импеданс 2. зависит от температуры в…	Пашаев, Хафиз Мир Джалал оглы	1984
Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках В то же время, широкое использование сегнетоэлектриков в пьезотехнике, в качестве датчиков давления [15], электромеханических преобразователей [16], а халькогенидов германия и свинца для создания детекторов ЙК-излучения и полупроводниковых лазеров ИК-диапазона, перестраиваемых давлением и т.д., делает изучение влияния давления на…	Казаков, Валентин Васильевич	1983
Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках Несмотря на огромный объем исследований по фотоэлектрическим явлениям и по физике горячих электронов в полупроводниках, отмеченные аспекты генерационно-рекомбинационных явлений с участием горячих электронов в компенсированных полупроводниках оставались до последнего времени мало изученными. К началу нашей работы (~19б8 г.) информация об эффектах…	Воробьев, Юрий Васильевич	1983
Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями Фотоструктурные превращения находят ряд практических приме -нений в электронике, фотографии, полиграфии, однако их широкое практическое использование ограничивается сравнительно низкой светочувствительностью…	Колобов, Александр Владимирович	1983
Интерференционный лазерный отжиг полупроводников Для решения поставленной задачи автор обратился к использованию когерентности световых пучков, генерируемых оптическими квантовыми генераторами, т.е. к такому свойству лазерного излучения, которое традиционно являлось мешающим в экспериментах по лазерному отжигу. Работы в этом направлении начали развиваться с 1980 года в ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР и…	Соколов, Игорь Альбертович	1983
Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта "усталости" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках Вместе с тем, обнаружились и совершенно специфические особенности, характерные только для неупорядоченного состояния: это малая подвижность носителей заряда, отсутствие примесной проводимости, эффект переключения, фотоструктурные превращения и др. Для объяснения этих свойств необходимо изучение энергетического спектра носителей заряда, в…	Чернышев, Андрей Викторович	1983
Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе Широкое применение первые гетеролазеры на основе системы A£CaAs/CaAs нашли в системах волоконно-оптических линий связи (ВОЛС), действующих на длине волны А = 0,8 * 0,9 мкм. В последнее время успехи в технологии стекловолокна потребовали создания источников излучения для диапазона я = 1,1 * 1,7 мкм, на который приходятся минимальные оптические…	Тарасов, Илья Сергеевич	1983
Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках Во-вторых, присутствие гфимесных атомов может в значительной степени изменить магнитную восприимчивость кристалла. При этом их вклад в восприимчивость зависит от целого ряда факторов, например, таких, как зарядовое состояние, геометрическое положение в 1фисталлической решетке. Поэтому исследования магнитной восгдэиимчивости могут дать ценную…	Андрианов, Дмитрий Глебович	1983
Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик С увеличением концентрации примесей в примесной стороне происходит переход в металлическое состояние, после которого ♦ Этот переход из диэлектрической в металлическую проводимость происходит в узкой области концентраций, но проводимость при этом, например при Т = 2 К, возрастает на 6-7 порядков по величине. С другой стороны, находясь в…	Ионов, Александр Николаевич	1983
Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях Согласно основным принципам работы тиристора процесс его включения осуществляется путем контролируемого накопления небольшого ("критического") заряда с последующим дополнительным накоплением за счет специфической регенерации тока. При этом величина "начального" заряда, введенного цепью управления, на 2-3 порядка меньше заряда, накапливаемого за…	Паламарчук, А.И.	1983
Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе Ионное легирование включает в себя ионную имплантацию примеси и последующий отжиг радиационных дефектов, который обычно тт ут проводят при температурах ниже критических для AUB…	Ластовка, Владимир Викторович	1983