Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4 Научная новизна работы заключается в следующем. При различных температурах исследован коэффициент поглощения в широком интервале его значений в области /н) ~ . Впервые показано, что для Сс^Скраевое поглощение описывается правилом Урбаха и обусловлено экситон-фононным взаимодействием, В ¿п Iп^З/, частотная зависимость коэффициента поглощения также…	Райлян, Валентин Яковлевич	1984
Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe Эффективность материалов, используемых в приборостроении в значительной мере определяется степенью их легирования. Поэтому важными являются вопросы о состоянии примесей в твердых растворах РЬ^.х. йа^ (Т©э £>© ), о их влиянии на физические свойства полупроводниковых материалов…	Бродовой, Александр Владимирович	1984
Особенности процесса переноса внедряемых ионов и атомов отдачи при имплантации в твердые тела Из перечисленных примеров непосредственно следует прикладной характер использования имплантации заряженными частицами. Таким образом, ионная имплантация твердых тел, особенно полупроводниковых ° материалов, является весьма актуальным предметом физических исследований и перспективным способом в технологии…	Шлотцхауер, Геральд	1984
Особенности структуры и колебательные спектры силленитов Несмотря на широкое использование силленитов и интенсивное изучение их сойств /в частности, проведен тщательный рентгеноструктурный анализ Bli2Si02o и Bii2&eOzo /, характер связей между атомами в них до сих пор не ясен…	Зарецкий, Юрий Григорьевич	1984
Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях Особенности температурной зависимости проводимости аморфных полупроводников достаточно детально исследованы /8/. Как правило, проводимость аморфных диэлектрических материалов, характеризуемая уменьшением энергии активации с уменьшением температуры, связывается с прыжковым переносом заряда при переменной длине прыжка. Однако теоретические расчеты…	Агафонов, Александр Иванович	1984
Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах На защиту выносится также: а) методика численного расчёта формы и глубины фазовых дифракционных решёток по отношениям интенсивностей волн, рассеянных в различные порядки дифракции; б) методика создания гетеролазеров с динамической и стати-\ ческой РОС в первом порядке на основе схемы интерференционной засветки, монолитно-интегрированной с…	Смирницкий, Владимир Борисович	1984
Поведение примеси марганца в некоторых полупроводниковых соединениях типа А3В5 Принимая во внимание,что ионы марганца,находящиеся в различных зарядовых состояниях,имеют различный магнитный момент,для решения поставленных задач мы использовали,в качестве основного метода исследования,метод магнитной восприимчивости.Использование этого метода позволяет анализировать энергетический спектр примесного центра марганца в таком…	Якубеня, Сергей Михайлович	1984
Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н Сама возможность создания рп-переходов высокого качества, необходимых для создания высоковольтных выпрямительных и лавиннопролетных диодов цредставлялась далеко не очевидной. До последнего времени такие \|pi\- переходы были получены только на германии, кремнии и полуцроводниковых соединениях . Успешное решение технических задач по созданию…	Константинов, Андрей Олегович	1984
Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9 Научная ценность. Проведен детальный фазовый анализ систем Си 6й S* - &Q2. Ss и ¿ftß. Ga Sz - Ga* S3 в области от нуля до 30 мол.% ( GciiSa )• Установлено, что при 25 мол.$ ческой формулой CuaGasSg и ЩъGas Sg…	Хан Мен Ук, 0	1984
Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой В связи с возможностью применения сложных анизотропных полупроводников актуальным является как совершенствование лабораторной технологии их выращивания, так и изучение фундаментальных и структурно-чувствительных свойств получаемых кристаллов, в частности энергетического спектра образующихся дефектов решетки. Этот вопрос важен, поскольку дефекты…	Паримбеков, Заитхан Анарбекович	1984
Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках Мэдель Луковского не учитывала сложной структуры зон. Она неприменима для центров, находящихся на сравнимых энергетических расстояниях от зоны проводимости и валентной зоны. На необходи -мость учёта влияния на глубокий центр как зоны проводимости, так и валентной зоны было впервые указано в работе Келдыша А.В. /6…	Логинова, Инга Дмитриевна	1984
Природа примесных состояний, образуемых атомами олова и железа в аморфном кремнии и халькогенидных стеклообразных полупроводниках Аморфные полупроводники образуют большой и в практическом отношении важный класс материалов /I/. Хотя все элементарные полупроводники и большинство полупроводниковых соединений могут быть получены в аморфном состоянии,однако наибольший интерес исследователей вызывают аморфный кремний (a-Si) и халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП…	Нистирюк, Павел Викторович	1984
Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии Спектроскопические методы измерения, такие как ЭПР, спектроскопия глубоких уровней, фотолюминесценция и т.д. позволяют осуществить обширные исследования микроскопического состояния слоя структура отдельного дефекта, положение энергетических уровней или входящих в состав дефекта примесных атомов). Но с другой > стороны отсутствует подробное…	Хельцер, Гисберт	1984
Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование) В связи с этим в настоящее время возникла проблема описания связанных физико-механических процессов, сопровождающих легирование, в двумерной, а в некоторых случаях в трехмерной постановке с учетом реальной конфигурации области легирования и соответствующих граничных условий…	Големшток, Григорий Михайлович	1984
Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний Основная физическая причина такого положения заключается в том, что до сих пор окончательно не выяснена природа глубоких локальных центров, являющихся центрами захвата в аморфном нитриде кремния, и неизвестны методы управления их параметрами…	Набок, Алексей Васильевич	1984
Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении Нарушение условий применимости Т -формализма происходит при рассеянии носителей на поляризационном потенциале оптических фононов. Этот механизм рассеяния характеризуется неупругостью взаимодействия и присутствует в полупроводниковых соединениях, имеющих различные атомы в элементарной ячейке. Широкое практическое использование полупроводниковых…	Половинкин, В.Г.	1984
Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов Для решения некоторых задач, возникающих из анализа волновых процессов в звукопроводе акустоэлектронного устройства могут с успехом быть применены результаты, полученные при исследовании распространения акустических волн в "идеальной"среде, а также методы такого исследования…	Науменко, Наталья Федоровна	1984
Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков В этой главе также приведены экспериментальные результаты по созданию передающих изображение граданов с числовыми апертурами 0,2; 0,27 и более 0,5 на основе новых экспериментальных стекол…	Ремизов, Николай Вениаминович	1984
Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях Научная новизна. На основании исследований температурных и полевых зависимостей скорости релаксации неравновесного обеднения выяснены механизмы ускорения релаксации неравновесного обеднения при больших электрических полях на реальной, легированной металлами и термически окисленной поверхности кремния…	Кириллова, Светлана Ильинична	1984
Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей Традиционный метод создания эпитаксиальных структур - метод принудительного охлаждения растворов-расплавов имеет ограниченные возможности и не удовлетворяет эти требования. Однако, другой новый усовершенствованный вариант метода жидкофазной эпитаксии - многократное изотермическое смещивание растворов-расплавов [7] позволяет получить эпитаксиальные…	Атаджиков, Какабай	1984