Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия Благодаря развитию технологии в настоящее время успешно выращиваются достаточно совершенные и чистые монокристаллы антимони-да индия сравнительно большого диаметра и длины, что делает этот материал модельным для исследования свойств прямозонных полупроводников…	Гим Гван Дё, 0	1984
Исследование экситонных спектров поглощения в полупроводниковых кристаллах с учетом ангармонизма фононов Важным вопросом в изучении экситонных спектров поглощения является исследование динамики экситона, т.е. взаимодействие эк-ситона с другими квазичастицами и полями. Сюда следует отнести взаимодействие экситонов с фононами, примесями, дефектами кристаллической решетки, экситон-экситонное взаимодействие и др. Результаты, посвященные исследованию…	Шепета, Александр Макарович	1984
Исследование электронных состояний на поверхности теллура при низких температурах Теллур - один из четырех элементарных полупроводников с самой узкой запрещенной зоной « 0,3 эВ). В чистом виде для создания полупроводниковых приборов Те не нашел еще широкого применения, хотя ширина запрещенной зоны, совпадающая энергетически с одним из окон прозрачности атмосферы, позволяет считать этот материал перспективным для создания…	Березовец, Вячеслав Анатольевич	1984
Калорические, термические и электрофизические свойства твердых растворов Ba1-xCexTiO3 Следует заметить, что интерес к титанату бария, как к наиболее удачной модели^обладающей переходом типа "смещения" (в отличие от модели перехода "порядок-беспорядок" )f не ослабевает и в настоящее время (см. библиографию по сегнетоэлектричеству последних лет [238, 239] ). Это обусловлено не только простотой модели, которой является титанат бария…	Брайловский, Владимир Васильевич	1984
Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров и экситонов в германии Эти исследования стимулируются более глубоким пониманием процессов захвата носителей на кулоновский притягивающий центр и их ионизации, достигнутом в результате нового развития микроскопической теории этих процессов как для случая мелких при…	Аснина, Жанна Сергеевна	1984
Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями Часть этих вопросов рассматривается в данной работе: изучается роль примесей ЗсС -переходных металлов в формировании зонной структуры полупроводниковых соединений AgBg, исследуется влияние механизма рассеяния на обменном потенциале примесных атомов на кинетические коэффициенты полупроводников с различной зонной структурой в присутствии магнитных…	Дейбук, Виталий Григорьевич	1984
Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений Поэтому особое значение приобретают экспериментальные исследования колебательных спектров сложных халькогенидных соединений, в результате которых удается получить необходимую информацию о строении и характере взаимодействия атомов исследованного соединения…	Кенгерлинский, Лятиф Юлдуз оглы	1984
Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3 Нет единства точек зрения я в вопросе о механизме токопереноса через границу между ХСП и кристаллическими полупроводниками, еще в меньшей степени изучены контактные процессы на границе между двумя ХСП. В физической картине контакта с участием ХСП не вполне выяснена роль высокой плотности локализованных состояний, отсутствуют сведения о модуляции…	Симашкевич, Андрей Алексеевич	1984
К теории кинетических явлений в двумерных анизотропных системах Развитие физики двумерных систем постоянно стимулируется потребностями микроэлектроники". Одним из первых практических дюс?ижений в этой облаоти явилось создание ВДР-транзисторов /6/. К числу последних важных достижений в физике двумерных систем можно отнести создание гетероструктур на основе Cl-hJ^s- GaAsAt\ двумерный газ электронов в которых…	Воробьев, Павел Алексеевич	1984
Локализованные орбитали в кристаллах с ковалентными связями Зонная структура полупроводников может быть рассчитана в соответствии с различными приближениями [9,10]. Однако мы в настоящей работе будем использовать исключительно метод сильной связи, так как он позволяет описывать аналитически зонную структуру кристалла, сзгдить 0 кратности вырождения уровней и изучать генезис описываемых зон…	Нахабин, Андрей Вадимович	1984
Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик Точный гамильтониан электронной системы твердого тела является сложным дифференциальным оператором, который нельзя представить суммой независимых одноэлектронных гамильтонианов из-за вклада межэлектронных взаимодействий. Пока нет метода точного описания этой системы и используются различные приближения. Все приближения основаны на вариационном…	Гаргури, Хамши	1984
Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами Практическая значимость работы заключается в получении информации о фотоэлектрических и люминесцентных свойствах нелегированных кристаллов f - JL0iSs и когОх£ , а также о влиянии полупроводниковых свойств данных матриц на спектрально-люминесцентные характеристики Р.З. активаторов, необходимой при создании активных сред твердотельных лазеров и для…	Логозинская, Елена Станиславовна	1984
МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле В кремниевых и германиевых ВДП-структурах эффекты зарядовой нестабильности достаточно подробно изучены Г 4,5] . Исследование системы металл-диэлектрик-полупроводник на основе Ги S6 требует разработки нового научного подхода к цро-блеме, что вызвано следующими причинами…	Вайнер, Борис Григорьевич	1984
Метод расчета и моделирования функциональных схем В настоящее время можно уверенно сказать, что в электронике твердого тела, в интегральной электронике появилось новое направление - функциональная электроника (ФЭ), использующая принципы физической интеграции, которые позволяют значительно снизить удельный вес схемотехники и перейти к интеграции элементов с сосредоточенными функциями и интеграции…	Шигапов, Зинатулла Гамирович	1984
Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка …	Гапоненко, Сергей Васильевич	1984
Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников В связи с наблюдением обратной водородоподобной серии в спектрах поглощения некоторых кристаллов возникла необходимость теоретического исследования возможности образования нового класса двухэлектронных систем - биэлектронно-примесных комплексов, их энергетического спектра, оптических свойств и стабильности относительно различных механизмов распада…	Черныш, Леонид Валентинович	1984
Моделирование неомической электропроводности сильно неоднородных сред Большую пользу принесли обсуждения моей работы на семинарах лаборатории теоретической физики ФТИ АН СССР, всем участникам которых я также глубоко благодарен…	Левин, Евгений Иосифович	1984
Оптическая ориентация и люминисценция в легированных полупроводниках В последнее время развилось новое направление в области оптических исследований полупроводников — оптическая ориентация электронных и ядерных спинов в полупроводниках. Система ориентированных пси спину носителей б полупроводниках представляет значи-телБНый интерес для исследований кинетики рекомбинации и спиновой релаксации, для выявления…	Узунова, Ягода Тодоровна	1984
Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия Среди слоистых кристаллов наиболее изучен селенид галлия и именно для него имеющиеся к настоящему времени данные об электронных и колебательных спектрах позволяют в общих чертах разглядеть картину проявления в этих спектрах особенностей, обусловленных слоистым характером строения решетки. Информация же для других соединений менее полная, поэтому…	Ляхович, Анатолий Николаевич	1984
Оптические свойства монокристаллов теллурида цинка, легированных примесями переходных элементов группы железа Действие этих фильтров основано на насыщении под действием мощного излучения поглощения электронных переходов с участием мелких примесных уровней. Переход на глубокие примесные уровни в перспективе позволит существенным образом расширить спектральную область за счет выбора соответствующей примеси…	Жмурко, Александр Иванович	1984