Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое Результаты работы используются и внедряются на предприятиях ЧССР, и являются проблематикой решающейся в рамках темы Гос .плана научных исследований № I-I-8/I…	Лелак, Ярослав	1985
Явления переноса в полупроводниковых пленках К настоящему времени достигнута реальная возможность получения тонких однородных полупроводниковых пленок и в связи с этим проводятся интенсивные экспериментальные исследования электронных явлений переноса в них. Наблюдаются такие явления, объяснение которых не укладывается в рамках существующей теории, которая развивалась, в основном, в…	Кулиев, Бахшали Имамкули оглы	1985
Акустоэлектронное детектирование и усиление сигналов в знакопеременном электрическом поле Акустоэлектронные устройства позволяют осуществить большое число операций над сигналами [6-8] : временную задержку и фильтрацию сигналов, преобразование частот, параметрическое усиление и др. Создается миниатюрные функциональные элементы для считывания, кодирования, декодирования, хранения и корреляционной обработки информации, акустоэлектронные…	Боритко, Сергей Викторович	1984
Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела Во-первых, получить дифференциальные уравнения описывающие изменения амплитуд падающей и отраженной волн в области конечной решетки, представляющей собой периодическую систему неровностей на поверхности упругого тела, занимающую часть поверхности с границей в виде произвольного контура. Рассчитать распределение амплитуд в наиболее часто…	Алякна, Юстинас Юстинович	1984
Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков В связи с высказанными соображениями представляется, что разработка вероятностных моделей, которые позволили бы выразить статистические характеристики электрофизических параметров случайно-неоднородных диэлектриков через величины, характеризующие структуру материала и геометрию образцов, представляет значительный интерес…	Красильщиков, Борис Романович	1984
Взаимодействие акцепторов III группы с собственными точечными дефектами в кремнии В первой главе дается обзор,имеющихся в литературе данных о механизме образования простейших собственных дефектов в кремнии под действием гамма-лучей и быстрых электронов с энергией ~ I МэВ. Обсуждаются также литературные данные о пространственной конфигурации и энергетических спектрах собственных точечных дефектов в кремнии, рассматриваются…	Маргарян, Мкртич Арестакесович	1984
Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия Практическое использование CdTe в значительной мере определяется решением ряда проблем, главной из которых является разработка воспроизводимой технологии получения достаточно крупных и совершенных монокристаллов с требуемыми характеристиками и параметрами, стабильными в широкой области температур. Успешное решение этой задачи возможно путем…	Илащук, Мария Ивановна	1984
Взаимодействие зарядов на границах раздела конденсированных сред и в слоистых системах В 1969-1970 гг. было предсказано теоретически, а вскоре подтверждено экспериментально существование двумерных локализованных электронных состояний над поверхностью жидкого гелия. Исследования таких локализованных состояний (они обнаружены также над поверхностью жидкого Не? над жидким водородом, твердым неоном и водородом, над пленкой жидкого гелия…	Ильченко, Людмила Георгиевна	1984
Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов В сравнении со слоистыми соединениями группы физические свойства цепочечных ¿V* соединений мало изучены. Имеющиеся в литературе данные, касающиеся электрофизических свойств этих соединений, носили противоречивый характер. При исследовании спектров КРС цепочечных кристаллов под давлением /57/ были обнаружены особенности, проявляющиеся в виде…	Гасымов, Шафаг Гусейн оглы	1984
Влияние деформации на зарядовое упорядочение в кристаллах Существенным обстоятельством, обусловившим рост интереса к исследованию ЗУС, явилось то, что в последние годы появились реальные сферы практического приложения этого яркого физического явления. Так, фазовый переход в ЗУС (часто это переход металл-диэлектрик) можно использовать при конструировании критических терморезисторов, оптической записи и…	Ткач, Валентин Иванович	1984
Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках Представляет интерес изучение нелокальной теплопроводности в более чистых металлах, где фононы СО могут распространяться не диффузионно, а баллистически:и где нужно учитывать разный характер фонон-фононных процессов для цродольных и поперечных подтепловых фононов…	Гусейнов, Ниязи Музафарович	1984
Влияние радиационных воздействий на электрофизические свойства МНОП структур В процессе приготовления, на различных стадиях технологического процесса, при функционировании полупроводниковых приборов и интегральных схем, слои нитрида кремния подвергаются воздействию различного типа излучений. Перечислим некоторые из таких воздействий…	Хан Су Хуан, 0	1984
Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках Епава I посвящена изучению некоторых вопросов кинетики носителей заряда в легированных невырожденных полупроводниках. Основная задача первых трёх параграфов состоит в расчете температурной зависимости дрейфовой и холловской подвижностей при от^ казе от борновского приближения в задаче о рассеянии носителей заряда на ионах примеси» Кроме того…	Хамидуллина, Наталья Мугалимовна	1984
Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников В излагаемом подходе считается, что мелкомасштабные флуктуации по этой причине можно не учитывать. Крупномасштабные флуктуации состава, захватывающие объем, в котором содержится много атомов всех компонент раствора, можно описывать как флуктуации концентрации компонент твердого раствора. Реальный полупроводник представляется как виртуальный…	Аблязов, Нурлан Насирович	1984
Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков Большое внимание уделяется изучению физических свойств антиферромагнетиков и слабых ферромагнетиков с широкими запрещенными зонами, к которым относятся многие антиферромагнитные соединения переходных элементов /6/. Такие магнетики, где электроны проводимости не оказывают влияние на магнитные свойства и практически отсутствуют вихревые токи и…	Гусейнов, Наби Гара оглы	1984
Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе А В , обладает большинством из описанных выше свойств. Относительно невысокая температура плавления, по сравнению с другими более широкозонными материалами данного класса, позволяет использовать для выращивания кристаллов стандартные технологические методы с применением в качестве тигля плавленного кварца. Указанное свойство, а также доступность и…	Иванов, Валерий Александрович	1984
Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния Большой сигнал ЭПР , прыжковая проводимость, процессы оптического поглощения в области малых энергий фотонов обусловлены электрически активными состояниями, лежащими в псевдозапрещенной зоне или "щели" подвижности. Высокая плотность локализованных состояний одна из причин которая приводит к нечувствительности материала к легирующим добавкам…	Рязанцев, Иван Александрович	1984
Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя Коль скоро в дальнейшем нас будут интересовать в частности стохастические автоколебания, остановимся на этом подробнее.Рассмотрим стохастические автоколебания в динамической системе (B.I) на примере странного аттрактора и гомоклинической структуры. Под стохастическими автоколебаниями будем понимать установившиеся случайные процессы в…	Воронин, Игорь Николаевич	1984
Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста Кроме того, несмотря на управляемое получение основных политипных структур, природа политипизма в ВсС до сих пор полностью не выяснена. Существующие теории не имеют прямого экспериментального подтверждения. Физическое объяснение явления политипизма дало бы возможность улучшить процессы управления ростом нужных политипных структур . Поэтому…	Левчук, Богдан Иосифович	1984
Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела Научная новизна работы состоит прежде всего в том, что в ней последовательно проводится теоретический и экспериментальный анализ особенностей диффузионных процессов, обусловленных асимметрией физических и химических свойств структур металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. В частности, исследовано…	Федотов, Александр Борисович	1984