Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников
Код ВАК 01.04.10Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
Научная новизна. I. Впервые исследована кинетика образования и разрушения кислородных рекомбинационных термоцентров (ГЦ (0) - I), образующихся в кристаллах кремния с различным содержанием кислорода в диапазоне температур 350 - 600°С. Получены зависимости концентрации Щ (о) - I от концентрации содержащегося в кристаллах кислорода для различных… |
Боримскмй, Виталий Васильевич | 1985 |
Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
В полупроводниковых гетероэпитаксиальных системах неотъемлемо присутствуют внутренние механические напряжения, обусловленные несоответствием параметров решеток компонент гетеро-систем, неравенством их коэффициентов термического расширения / КТР / и некоторыми другими причинами… |
Ариас, Авила Нельсон | 1985 |
Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
К моменту начала работы спектр электронных состояний дииодида ртути был изучен достаточно подробно (в том"числе методом люминесценции), в то время как фононный спектр был изучен сравнительно слабо. Литературные данные по вопросу классификации фононного спектра и выяснению характера межатомного взаимодействия в этом материале содержали неточности и… |
Гайслер, Владимир Анатольевич | 1985 |
Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость
Прежде всего, предстояло исследовать анизотропные концентрационные эффекты (АКЭ) в многодолинных полупроводниках типа St и Ge в условиях, когда анизотропия электропроводности вызвана: а) различным влиянием магнитного поля на парциальные токи электронов из различных долин при приложении к кристаллу внешних электрического и магнитного полей; б… |
Буянов, Алексей Вадимович | 1985 |
Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
В теоретическом отношении понимание энергетической структуры и свойств центров с мелкими уровнями было, в принципе, достигнуто уже более 20 лет назад. В то же время в трактовке свойств центров с глубокими уровнями имеются еще нерешенные вопросы, и полученные данные имеют в значительной степени эмпирический характер. Различные подходы к этой… |
Ушаков, Виктор Валентинович | 1985 |
Микроволновые исследования мягких мод в сегнетополупроводниках и сегнетоэлектриках
Состояние вопроса. В качестве объектов исследований выбраны сристаллы, в которых исследования динамики фазового перехода в области СВЧ не проводились, либо проводились недостаточно де -гально: сегнетополупроводниковые твердые растворы БЬЯ. Вг Л л… |
Папротны, Влодзимеж Игнатьевич | 1985 |
Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия
Базовой методикой исследования служили измерения постоянной Холла и проводимости в сочетании с анализом температурных (6 * 400 К) зависимостей концентрации носителей заряда на осно.-.: вании уравнения электронейтральности методом наименьших квадратов с помощью ЭВМ. Для дополнительной характеристики кристаллов и исследуемых центров привлекались… |
Литвинов, Валентин Вадимович | 1985 |
Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe
Практическая значимость работы заключается в том, что полученные в работе данные об оптических свойствах цепочечных кристаллов группы aV1 могут быть использованы при создании оптических приборов на их основе. Показана принципиальная возможность изготовления высокочувствительных датчиков гидростатического давления на основе кристаллов АШВУ1… |
Эфендиева, Ирада Кафар кызы | 1985 |
Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями
В сплавах, к которым относятся и соединения PlDl)(SfnxTe f наряду с механизмами рассеяния, характерными для обычных полупроводников, есть дополнительное рассеяние, обусловленное флуктуациями локальной мольной доли /так называемое сплавное рассеяние/. Таким образом, неупорядоченности в соединениях Pbh)(Snx7e создаются как донорами и акцепторами… |
Пусеп, Юрий Александрович | 1985 |
Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия
Во-первых, благодаря широкому применению в оптоэлектро-нике, технология фосфида галлия сравнительно хорошо развита и позволяет получать высококачественные кристаллы и эпитакси-альные слои, пригодные для тонких физических экспериментов… |
Пак Чун Вэ, 0 | 1985 |
Особенности поведения узкозонных полупроводников во внешних полях
Показано, чаю учет резонансного взаимодействия туннелиругоще-го электрона с заряженной примесью приводит к появлению на ВАХ туннельного перехода ступеньки, а на кривой проводимости - пика, положение и размеры которых определяются положением примеси в туннельном переходе и энергией связи резонансного состояния… |
Зайко, Юрий Николаевич | 1985 |
Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур
С другой стороны, повышение степени интеграции микросхем, использование многоуровневой металлической разводки, и необходимость потребления низких питающих напряжений требует контроля нестабильностей по потенциалу порядка десятых долей вольта. Как показывает анализ отказов, основным механизмом деградации ИС, приводящим к выходу из строя более 60… |
Славова, Магдалена Ламбова | 1985 |
Поглощение акустических волн в диэлектрических кристаллах с примесями
Диэлектрические кристаллы являются наиболее удобным объектом для исследования взаимодействия АВ с тепловыми фононами. В других твердых телах в поглощение АВ может вносить существенный вклад взаимодействие звука с другими различными элементарными возбуждениями. теории состоит в разработке рекомендаций для целенаправленного поиска ( либо синтеза… |
Красильников, Михаил Владимирович | 1985 |
Полупроводниковые элементы интегральной оптики, полученные с использованием ионно-плазменного напыления
В технологии создания монолитно-гибридных схем, наряду с методами эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев, должны применяться и другие методы получения пленочных структур. Одним из наиболее универсальных способов получения пленок диэлектриков, аморфных полуцроводников и других материалов является метод ионно-плазменного напыления… |
Скопина, Вера Ивановна | 1985 |
Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств
Особое место в этой проблеме занимают структуры на основе соединений аЩ^. Эти широкозонные материалы и их твердые растворы обладают высокими люминесцентными свойствами во всем видимом диапазоне спектра [11 - 14]. Исследования электрофизических свойств соединений аЩ^, и в частности теллурида цинка, показали перспективность его применения в… |
Ребров, Сергей Анатольевич | 1985 |
Разработка методики и изучение ультраакустических свойств расплавов полуметаллов и полупроводников
В прикладном смысле реализация поставленной программы изысканий имеет большое значение для технологического контроля в металлургии, в технологии выращивания полупроводниковых материалов, для ультразвукового контроля качества материалов и изделий в машиностроении, для ядерной и МГД-энергетики и др… |
Ким Сен Гук, 0 | 1985 |
Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов
В литературе встречалось очень ограниченное число работ зарубежных авторов, посвященных данной проблеме. Фактически были лишь указания на возможности получения нитрида алюминия из расплавов ?е , Са3И2 и нитрида агллия из расплава (та-¡51 .Б Советском Союзе эта проблема вообще не исследовалась. Сведения о диаграммах состояния систем металл Ш… |
Чан Хи Бинь, 0 | 1985 |
Теория фазовых переходов в неоднородные состояния, обусловленных кулоновским взаимодействием, в полупроводниках и сегнетоэлектриках
Изучение корреляции заряженных центров на поверхности позволяет понять наблюдаемые на опыте осцилляции продольной проводимости по локальным поверхностным центрам в МДП структурах в зависимости от заполнения поверхностной примесной зоны… |
Ченский, Евгений Васильевич | 1985 |
Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы
Выбор объектов исследования объясняется как фундаментальными, так и прикладными соображениями. Как известно, соединения со слоистой и цепочечной структурой склонны к полиморфным превращениям, богаты структурными фазовами переходами и получили широкое применение. Среди них существует большое семейство низкоразмершх халькогенидов и галогенидов… |
Урбонавичюс, Вайдотас Владович | 1985 |
Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP
Научная новизна работы состоит в проведенном впервые для случая изоэлектронного акцептора расчете энергий основного и возбужденных состояний связанного экситона с учетом пространственного распределения плотности электронного заряда… |
Логинова, Татьяна Николаевна | 1985 |