Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Разработка методов исследований и свойства диодных структур на основе узкощелевых полупроводников А4В6 Литературные сведения о физических; свойствах диодов ПЬттяи на Рв^Эм^Те, микроскопической структуре граница раздела, влияния технологических резашов обработки поверхности и условий нанесения металлов на свойства диодов косят фрагментарный характер…	Чопик, Владимир Юрьевич	1990
Рентгенопроводимость в свинецсодержащих материалах Широков использование рентгеновского излучения ¡РИ> в сов-иве^Ш. условиях (развитие рентгенотерапии, ^рэнтгенодиагнос-аки, рентгенодефектоскопии) , расширение космических иссле-эваний в области РИ , дефицит серебра, которое является осно-гшм ингредиентом используемых рентгеночувствительных матери-яов, теми или иными' недостатками известных…	Хорошева, Валентина Александровна	1990
Теория нелокальных оптических и концентрационных эффектов, связанных с переносом энергии электронного возбуждения, излучения и частиц в полупроводниковых системах В работе в обобщенном воде представлены результаты теоретических исследований, относящихся к кристаллооптике, оптоэлектро-нине и коллективным явлениям в полупроводниках. Исследования обье-. денены принципиальной связью большинства рассматривает,их явления с переносом энергии электронного возбудцегаш, излучения и частиц…	Пипа, Виктор Иосифович	1990
Фотолюминесценция аморфных гидрогенизированных пленок a-Si1-xCx:H Кстествонннм следствием широкого внедрения a-3J :Н стал поиск новых материалов на основе его сплавов. ií здесь :¡a:»;«mto выделяется енлан к^мния с углеродом a-sij_xC'x:H. Перспектива ряда применений a-Mj_xCx:JI, особенно перспектива со."д'шия оъо-тоизлучаюцих матриц и дисплеев, вызвала значительны:! ктго]>ос к исследованию фундаментальных сьоНств…	Мусабеков, Ескермес	1990
Электронное строение ионно- имплантированного и гидрированного кремния Процессы ионной имплонткцн» кремния широко используется в тк-хно/.огии производства микрог»лгктронных приборов. В связи с втеч прецстагляет интерес ияучешш оптимальных режимов откигп дл i октия&ции пргмеси, распределение активированной примеси на глубине с.чоее и десятки нкнемстров, что rhwio для проиоподстса приборов с суби1кронныки параметрами…	Тростянский, Сергей Николаевич	1990
Ядерный гамма-резонанс олова-119 в полупроводниках А IV B VI и в их твердых растворах Практическая применимость данных чатериалов вызывает потребность в изучении их физических свойств. Заасной особенностьв .твердых растворов соединений л1УвУГ является то, что вирнной запрещенной , . зоны кохно легко управлять пеняя их состав или теипературу. При определенных условиях осуществляется инверсия валентной зоны и зоны проводимости…	Мотеюнас, Стасис Владович	1990
Интерференционные и мезоскопические эффекты в проводимости полупроводниковых и полуметаллических слоев Для повышения быстродействия и степени интеграции требуется также уменьшение размеров тонкопленочных элементов в плоскости. Прогресс в области технологии привел к обнаружению нового класса явлений в неупорядоченных системах - мезоскопических эффектов. На мезоскопических масштабах, промежуточных между микро- и макроразмерами, флуктуации…	Савченко, Александр Константинович	1989
Коллективные эффекты в системе экситонов большой плотности в германии Исследование систем, содержащие большое число взаимодействующих частиц, является одной из наиболее закных и сдоищх задач современной физики. Интерес к проблеме коллективных взаимодействий в полупроводниках обусловлен не только важностью проб-лекн многих тел для физики а цело:.», но и практический нуждами бистро развивающейся современной…	Степанов, Виктор Иванович	1989
Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников В ряду проблем теории легированных полупроводников основное место занимает задача о структуре электронно* состояний. При низких температурах, если легирование достаточно слабо, то, согласно Андерсону /I/, электронике состояния строго локализована на примесях и, следовательно, задача заключается в нахедцешш распределения электронных состояний по…	Нгуен, Ван Лиен	1989
Однодомовые инжекционные лазеры и интегральные оптоэлектронные структуры на их основе Научная новизна и практическая значимость. В работе проведены теоретические и оксперименталыше исследования процессов генерации в инфекционных лазерах с распределенным отражением света в брэгговских зеркалах. Показано, что амплитуда и фаза отражения волноводного брэгговского зеркала существенно зависят от начальной фазы гофрировки. Вперрне…	Гуревич, Сергей Александрович	1989
Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов Экспериментальное нзученпе точечных дефектов а процэосов образования их скоплений в кристаллах полупроводников затруднено многообразием реакцай, в которых нрвиидшг участие точечные дефекты. Электрическая неактзвнооть мездоу зальных атомов, чаоти атомов примесей, с которыми реагирует точечные дефекты, а кга-плексов точечных дефектов с атскама…	Асеев, Александр Леонидович	1989
Динамические ОДП в субмиллиметровой области при стриминге и инверсии населенностей горячих электронов в объеме полупроводников Научная новизна работы состоит в тем, что в работе впервые указаны механизмы динамической ОДП (ОДП в области частот (¿> не примыкающей к uj = 0 ) в полупроводниках и выделены случаи такой ОДП, которые могут быть реализованы…	Андронов, Александр Александрович	1988
Квантовые высокочастотные и оптические явления в двумерном электронном газе в полупроводниковых гетеропереходах GaAs-AlGaAs К числу важнейших физических явлений,недавно обнаруженных в вырожденных 2 в системах,относится квантовый эффект Холла(КЭХ)¡открыт в 1980г. Нобелевская премия в 1385г. Подробное исследование КЗХ чрезвычайно актуально как с фундаментальной,так и прикладной(метрология) точек зрения и является важной задачей современной физики/3,4…	Гродненский, Илья Михайлович	1988
Локализация носителей заряда в слабо неупорядоченных двумерных и трехмерных проводниках Теоретически задача о локализации электронов в олучайном потенциале была сформулирована' П.В.Андерсоном еще в 1958 г. и все эти годы интенсивно разрабатывается выдающимися теоретиками мира. Благо даря успехам в этом направлении,в наши дни достигнут практически новый уровень в понимании явлений, связанных о переносом, носителей тока в…	Заварицкая, Энгельсина Ивановна	1988
Макроскопические свойства совершенных и дефектных водородсодержащих монокристаллов сегнетоэлектриков, связанные с доменной структурой Благодаря удивительна« и своеобразным физическим свойствам . сегне'.-оэлектрики и родственные им материалы, «исло которых увеличивается с каждым годом, находят применение как в традиционных, ,так и в новых областях техника - в радиоэлектронике и пьеэотехнике, гидроакустике и.акустоаяектропике и т.д…	Камышева, Людмила Николаевна	1988
Математическое моделирование компонентов интегральных схем в диффузионно-дрейфовом приближении Наряду с тем, что современный компоненты интегральных схем обладают микрониши размерами. они являются и сильно легированными. Концентр/шил ярямеенюс отомов в уремниевых структурах достигает Ю^сьГ3 и выше. Йто приводатк необходимости учитывать ряд дополнительных физических зффек -тов, вызванных сильным легированием. К таковым следует отнести…	Польский, Борис Семенович	1988
Многочастичные эффекты в примесных оптических переходах в полупроводниках Практическая ценность. В современных приборах оптоэлек-троники, лазерной техники в значительной мере используются оптические свойства легированных полупроводников. Детальная информация о примесных, переходах, их интенсивностях, частотных зависимостях и т.д. принципиально ванна для работы соответствующих приборов. Прс этом существенно необходимым…	Харченко, Василий Алексеевич	1988
Неэмпирические методы в теории точечных радиационных дефектов в кристаллических полупроводниках Дефекты кристаллической структуры определяют наиболее пагашо кинетические и спектроскопические характеристики полупроводников к полупроводниковых приборов. Раэвитиз современной полупроводниковой технологии - создание пленочных структур, йнтегралькнх схем, применение методов имплантирования и лазерного отжига - приводит к необходимости глубокого…	Тележкин, Вениамин Александрович	1988
Теория проявлений носитель-ионных обменных взаимодействий в полупроводниках Научная новизна работы состоят в том, что в ней впервые предложены модели и на основе их анализа проведено описание широкого круга явлений, обусловленных сильным носитель-ионным обменным- вэа-имодействием в магнитосметанных полупроводниках…	Семенов, Юрий Григорьевич	1988
Двухуровневые системы в стеклах и кристаллических полупроводниках: высокочастотные нелинейные и квантовые явления Несмотря на свою простоту, модель ДУС нашла обширное применение в физике твердого тела. В порвуи очередь это относится к явлениям магнитного резонанса. Роль двухуровневой системы выполняет при этом примесный атом, в оболочке которого, имеется наскои .нсиро-ванный спин…	Паршин, Дмитрий Алексеевич	1987