Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников
Код ВАК 01.04.10Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Нелегированные эпитаксиальные слои арсенида галлия и высоковольтные р-п-р-п структуры на их основе
Однако, на пути широкого применения Оа-Аэ, для создания высоковольтных, быстродействующих приборов /диодов, транзисторов, тиристоров / стоят значительные технологические трудности, связанные с получением достаточно "чистых" эпитаксиальных слоев с высокими подвюкностями основных носителей заряда /ОНЗ/. Поэтому важное .значение имеет разрабштка… |
Нугманов, Дамир Лукманджанович | 1991 |
Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета
Использование СИ кольцевых ускорителей и накопителей дало в руки экспериментаторов новые возможности для исследования оптических свойств твёрдых тел. СИ обладает рядом несомненных преимуществ, таких как: -непрерывный спектр от инфракрасной до рентгеновской области, высокая интенсивность, малая угловая расходимость, высокая степень поляризации. А в… |
Макаров, Олег Артемович | 1991 |
Особенности свойств чистых и активированных редкоземельными элементами полупроводниковых пленок, выращенных фотостимулированной эпитаксией
Исследования люминесценции твердых тел, проводквшеся на про-тялепия целого столетня сделали возможным создание различите типов приборов излучащнх свет (люминесцентных приборов). Среди особо вы-дащихся достижений необходимо отметить создание телевидения и лазеров… |
Сидоров, Павел Петрович | 1991 |
Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния, полученной при низких (100-400°С) температурах
В последние годы в связи с созданием МДП-приборов на основе полупроводниковых Соединений типа АШВ^ и AIIBVI актуальной задачей является разработка низкотемпературных (100-400°С) способов получения диэлектриков с малыми токами утечки, достаточно высокими пробивными полями и хорошей границей раздела полупроводник-диэлектрик… |
Белоусов, Игорь Иванович | 1991 |
Рассеяние волн нерегулярными границами раздела фаз в поликристаллах и композитах
Теория распространения волн различной природы в микронеоднородных средах представляет собой актуальную область физики. Среди различных задач, относящихся как к физике диэлектриков, так и к другим разделам физики (теории упругости, оптике, радиофизике, физике плазмы) важное место занимают задачи, связанные с определением параметров распространения… |
Дикарев, Алексей Вадимович | 1991 |
Светоуправляемые приборы на основе полупроводниковых структур
В настоящее время одной из актуальных задач современной тоиги ки волоконно-оптической связи (ВОЛС1 является разработка и волг,: зация ВОЛС с полностью оптической обработкой и адресацией информ.о циошюго сигнала непосредственно в канале передачи. Новая светоуп равляеыая элементная база, позволяшая производить управление па раметрами световых… |
Перепелицын, Юрий Николаевич | 1991 |
Сопряженное действие радиации и внешних факторов на деградацию фотоэнергетических параметров фотопреобразователей
В настоящее время кпд отдельных элементов достигает 25 %, а ¡рийно выпускаемые элементы обладают шц порядка 15 % и выше.Это >здает реальную возможность построить на осноье Зотоэлектричес-IX преобразователей солнечную электростанцию… |
Кабулов, Ибрагим Акрем оглы | 1991 |
Фотоспилловер водорода в пленках оксидов переходных металлов
В настоящее время резко возрос интерес к проблеме водорода в полупроводниках к диэлектриках. Среди полупроводниковых и диэлектрических материалов особое место занимают оксиду переходных металлов ( ОГО! ). Введение водорода е ОПМ приводит к радикальному изменению электрических, оптических, структурных, химических и других свойств оксидов. Изменение… |
Ланская, Татьяна Георгиевна | 1991 |
ЭПР и спин-зависимая рекомбинация в облученном кремнии
Метод электронного пирамашитного резонанса /ЭЛР/ ягаяется основным методом исследования микроструктуры точечные дефектов в твёрдых телах и, в частности, з полупроводниках. В кремнии, например, обнаружено более двухсот различных спектров ЭПР примесей л структурных дефектов, на основании которых была установлена электронная структура к предложены… |
Власенко, Марина Петровна | 1991 |
Влияние S-D(F) обменного взаимодействия на распространение спиновых волн в магниитных полупроводниках
Во второй главе .полученная система уравнений применяется для рассмотрения задачи о влиянии электронов на поглощение СВ в ФМП. Наличие электронов проводимости приводит к качественному отличию данной ситуации от ситуации в диэлектриках. Кроне магнитодиполь-ных, ыагнитоудругих и других каналов релаксации, здесь открывается возможность рассеяния СВ… |
Раевский, Александр Осипович | 1990 |
Динамика ограниченной двумерной электронной системы GaAs-AlGaAs в сильном магнитном поле
К числу последних относится квантовый эффект Холла С КЭХ) *], открытый в 1980г. (Нобелевская премия по физике за 1985г.). фект заключается в квантовании холловской и исчезновении диа-кальной компоненты тензора статической проводимости C6xy=i>*e / л. бххЮ, v-целое число). Самое удивительное, что этот эффект а открыт при изучении давно известного… |
Камаев, Андрей Юрьевич | 1990 |
Динамические явления в мессбауэровской спектроскопии систем различной размерности и проводимости
В геометрии пропускания в детектор попадают в основном кванты, не участвующие в резонансном взаимодействии с ядрами исследуемого вещества. Напротив, продукты распада возбуяденных ядер, которые непосредственно несут в себе информацию об условиях резонансного захвата и испускания, в целом не регистрируются. Поэтому традиционные метода использования… |
Мирзабабаев, Рауф Мамедали оглы | 1990 |
Длинноволновая фурье-спектроскопия эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs1-x-y Sb x P y и Cex Si1-x
В длинноволновой ПК-области спзктра расположены частоты рег:ето-к й плазменных колебаний, а также - энергии.возбужденных состояний месей полупроводников IV группп соединений А5В и их твердых раст-юв. Эт"-открывает широкие вэзмо/гносхи для их исследования и соз-:ия методик неразрушающего контроля основных электрофизических па-етров. Подходящим… |
Васильев, Валерий Анатольевич | 1990 |
Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62
Практическая значимость. Полученные в работе значения дисперсии оптических констант кристалла 7VСло^е^ъ области температур 6-300 К и спектральном диапазоне 20-600 см""* для геометрий Е X С и Е // С могут быть использованы при создании оптоэлектронных устройств и нелинейно-оптических приборов на их основе. Аномалии в спектрах оптического… |
Гусейнов, Самир Саиб Оглы | 1990 |
Кристаллы аналогов фосфолипидов. Синтез и исследование свойств
Установление в последнее время перечисленных свойств у лого ряда биологических сред, в том числе у основных состав-х элементов биологических мембран.- фосфолипидов, а также вестные результаты по участию фосфолипидов в процессах работки информации на молекулярном уровне делает актуальными… |
Куликова, Наталия Александровна | 1990 |
Оптические характеристики разупорядоченных полупроводников, полупроводниковых границ раздела и пленок
Успехи последних лет в изучении данного раздела физики убедительно доказали возможность и перспективность создания различных приборов твердотельной опто- и микроэлектроники на основе неупорядоченных полупроводников, вполне способных конкурировать с их аналогами, выполненными на 'монокристаллкческих материалах и при этом, в отличие от последних… |
Гавриленко, Владимир Иванович | 1990 |
Особенности электропоглощения света и волноводных модуляторах с использованием модельных структур на арсениде галлия
Однако анализ литературы показывает, что в модуляторах на ЭП наблюдается ряд специфических явлений, влияющих на эффективность .действия таких устройств. Гак, неоднородное распределение электрического поля в активной области модулятора приводит к зависимости ■коэффициента модуляции от распределения интенсивности модулируемого света в поперечном… |
Сухотин, Сергей Алексеевич | 1990 |
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в п+ -р-р+- структурах и проблема дрейфа лития в кремнии и германии
При создании полупроводниковых приемников слабопоглоиаомо-го излучения возникает задача получения однородных вксоксошшх монокристаллов. В этой связи уникальные возможности предоставляет технология компенсации полупроводников методов дрейфе ионов лития в электрическом поле. Напришр, он позволяет получать высокооднородный германий с разностной… |
Андреев, Владимир Михайлович | 1990 |
Поверхностные и приповерхностные акустические волны в планарных структурах
Проведенные исследования вносят существенный вклад в развитие нового научного направления "Поверхностные и приповерхностные акустические волны в планарных структурах… |
Анисимкин, Владимир Иванович | 1990 |
Получение однородных структур большой площади из арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе
Ак^альность^емн^ Применение арсенида галлия и твердых рас-воров на ого основе приобретает все более существенное значение целом ряде направлений современной электроники… |
Куликов, Александр Юрьевич | 1990 |