Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10
Тема работы Автор Год
Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы

Для работы в среднем и дальнем ИК-лиапазонах в современных оптоэлектронных приборах применяются полупроводники с узкой запрещенной зоной. Одними из наиболее часто используемых материалов такого рода являются теллурилы свинца и олова- это связано, прежде всего, с возможностью плавно изменять в достаточно пироких пределах ширину запрещенной зоны…

Хохлов, Дмитрий Ремович 1992
Процессы атомной миграции в приповерхностных слоях кремния в неравновесных условиях (численное исследование)

Но изменения в технологии не коснулись принципа управления проводимостью кремния легирующими примесями - элементами III и V групп периодической системы Менделеева - бором, фосфором, мышьяком и сурьмой. Значительное уменьшение размеров легированных областей в кремнии при сохранении основного способа их формирования - твердотельной диффузии…

Мороз, Виктор Альбертович 1992
Процессы спекания и электропроводность карбидкремниевой керамики

Свойства карбипкремниевой керамики определяются ее ».»икро-структурой, формирующейся на стадии высокотемпературного обжига. Однако, до сих пор нет целенаправленных исследований процессов спекания - керамики, направление на получение материала с заданными свойствами. Не смотря на больлое количество ' ксперимектальных паяных по получению различных…

Авров, Дмитрий Дмитриевич 1992
Псевдопараболическая модель и ее применение к объяснению гальвано- и термомагнитных свойств твердых растворов BI1-xSBx (X<=0.12)

Показано, что для полупроводникового твердого раствс-Ра о оо а„ а угап наклона электронного эллипсоида базисной плоскости меньше,чем в случае полуметаллических сплавов…

Юзбашев, Эльтадж Рамзи оглы 1992
Радиационная амортизация кварца в высоковольтном электронном микроскопе

Достоверность полученных результатов обеспечивается стабильностью и монохроматичностью электронных сучков высокой интенсивности (до I019 эл/см^с) в ЮН ори боль,ной энергии частиц (до 1 1!зВ). Регулировка электронных потоков в колонне электронного микроскопа (ЗЮ дает возкогаость, растянув процесс аморфаззш во времена, получить его дозовые…

Саяпина, Ольга Владимировна 1992
Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs

До последнего времени быстрая коммутация больших мощностей (~1 МВт) осуществлялась преимущественно газоразрядными прибо-pai.ni. Именно благодаря успехам в их разработке появилась возможность создания мощных радиопередающих, радионавигационных, локационных и других систем. Однако, более широкое использование указанных систем, по крайней мере в…

Султанов, Ахмаджон Мажидович 1992
Распространение пучков магнитостатических волн в тонкопленочных структурах

Изучение как линейных, тан и нелинейных колебательных я волновых процессов з "объемных" ферромагнетиках имеет узе богатую историю и является в настоящее время одним из фундаментальных разделов физики твердого тела (см., например, монографии [1-4]).. Исследования этих, процеееов, с одной стороны, позволили получать информацию о свойствах твердого…

Стальмахов, Андрей Всеволодович 1992
Рекомбинационные и акустостимулированные процессы в полупроводниках сложного состава и твердых растворах на основе соединений A2(Cd, Zn, Hg) - B6(Se, Te)

Весьма важный для практического ¡«пользования ебстоятельсета» ми является изоморфность большинства вещзств этого типа, допускавшая синтез непрерывного ряда твердых растворов с переданной шириной запрещенной зоны, относительная деиевизна, простота и разнообразие технологических способов нх получения и модификации физических свойств…

Нурмухаммедов, Какаджан 1992
Сегнетоэлектрическая динамика дипольных стекол дигидрофосфата рубидия-аммония (RADP) и его дейтрированного аналога (DRADP)

Актуалмнкть темы. Исследование диэлектрических свойств разупорядоченных твердых тел представляет значительный научный и практический интерес. Он обусловлен возможностью получения с помощью такого рода исследований богатой информации о строении и динамических свойствах разупорядоченных систем (11, изучение которых стало одной из центральных задач…

Синицкий, Алексей Владимирович 1992
Спектр основных примесных состояний меди в кристаллах твердых растворов германий-кремний

Несомненна последователь»"^ изучение характера изменения акцепторных состояний р твердых растворах йе1 с изменением состава кристалла, вопросов связанных с расщеплением этих состояний,обладающих различной степенью локализации волновых функций,причины различного поведения меда в йе и Б! и анализ полученных данных в свете существующих представлений…

Мир-Багиров, Владислав Владиславович 1992
Спонтанное шнурование тока и механизмы формирования отрицательного дифференциального сопротивления в сильноточных инжекционных переключателях

Сильноточные инжекционные переключатели - динисторы, обычные и запираемые тиристоры, тиристоры со статической индукцией, тиристоры с МДП-затвором и другие приборы тиристорного типа, составляющие элементную базу современной сильноточной электроники - представляют собой распределенные системы с Б-образной вольт-амперной характеристикой (ВАХ) и, как…

Родин, Павел Борисович 1992
Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs

Глубокие центры изменяют свойства материала и поэтому управляемое введение их в кристаллы активно используется в настоящее время для создания приборов с заданными характеристиками…

Цацульников, Андрей Федорович 1992
Структурные изменения и электрофизические свойства анодных оксидов тантала и алюминия в условиях переноса водорода

Важной структурной особенностью анодных оксидов, обусловленной условиями их формирования и эксплуатации, является наличие в них водорода. В ряде работ, присутствием в оксидных пленках водорода объясняется ухудшение их электроизоляционных свойств. Различные представления о протонном переносе в оксидных пленках привлекается для интерпретации эффекта…

Карпухина, Людмила Григорьевна 1992
Теоретическое исследование влияния частотного эффекта на спектральные характеристики точечных дефектов в диэлектрических стеклах

Основным вопросом спектроскопии точечных центров с глубокими уровнями в стеклах является вопрос о форме линии кногофонон-ных оптических переходов, сопровождающихся изменением их зарядового состояния. Именно особенностями формы линии определяется спектральная фоточувст.ьительность приборных материалов, так как возникающие при перезарядке состояния…

Дийков, Алексей Львович 1992
Термодинамические особенности выращивания и электрофизические свойства кристаллов твердых растворов системы Лантан-Сера

Полуторный сульфид лантана, легированный неодимом признал потенциальным неорганическим материалом для получения стимулированного излучения при оптическом возбуждении…

Маловицкий, Юрий Николаевич 1992
Условия конденсации и механизмы электропереноса в аморфных полупроводниках

В последние 15-20 лет исследование электронных явлений в неупорядоченных систеиах заняло одно из центральных иост в физике твердого тела. Это обусловлено как внутренней логикой развития Физики, так и возрастаьцей практической важностью таких систем. Одна из основных особенностей аморфного твердого тела состоит в том, что в такой теле отсутствует…

Хасан Сулеман 1992
Физические принципы регистрации оптической информации с помощью гетероперехода CdS-Cu2S

Перспективность' практического применения нёвдеаяышх ге-. теропереходов связана, в лервуы очередь, с экономикой. Технология создания поликристалличэских полупроводников характеризуется более низкой стоимостью, чем монокристаллических стоуктур. Использование . депевкх .технологий приводит к тому, что сак;: "олу-_ проводники, а; также граница мевду…

Куркмаз, Тайсир 1992
Флуктуационные явления в приборах молекулярной и полупроводниковой электроники

Важность развития теоретического подхода к описанию шумовых характеристик преобразователей диктуется еще и тем, что молекулярноэлектронные информационные системы способны регистрировать и обрабатывать очень малые внешние физические воздействия. Например,соответствующие сейсмоприемники могут ре-, гистрировать смещения вплоть до 1нм. На земле…

Антохин, Андрей Юрьевич 1992
Фононный ветер и динамика капель электронно-дырочной жидкости

Шестьдесят лет назад Френкелем [Л1,Л2] было введено понятно об экситонах - бостоновых возбуждениях в диэлектрических рристаллах, способных свободно пероиеиаться по кристаллической ргшетке. С тех пор выполнено огромное чкело теоретических и экспериментальных работ, которые показали, что во многих случаях оптические, фотоэлектрические, транспортные…

Сибельдин, Николай Николаевич 1992
Фотоупругое взаимодействие в диэлектрических и полупроводниковых сверхрешетках

Обнаружение возможности протекания в СР фотоупругих процессов, принципиально невозможных в однородных средах,' в том числе в образующих СР материалах. Аналитический расчет компонент эффективного электрооптического тензора СР…

Вакуленко, Андрей Владимирович 1992