Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Молекулярно-лучевая эпитаксия Ga As и гетероструктур GaAs/AlGaAs для приборов микроэлектроники Развитие в последнее время новейших технологий, в особенности молекулярно- лучевой зпитаксии (МЛЭ) и газофазоЕой эпи-такспи из металлоорганических соединений (ГФЭ ИОС), обеспечило возможность формирования нового класса полупроводниковых материалов с принципиально новыми физическим! свойствами…	Медведев, Борис Константинович	1992
Нелинейное поглощение излучения ближнего ИК-диапазона радиационно окрашенными кристаллами со структурой флюорита, активированными неодимом Эффект невшейного поглощения веществом лазарзсго излучения язляагся нэ только мадам Ьнструмэятом исслэдовашя в фетпаз т&ардого тела, квантовой олзктрсшакв, Сазпзиэ полупроводников п диэлектриков, но Емэвт и больное прикладное значение. Шаровое й^зазпзше лазеров с пасснвниш лазершаш ватворетя в фязичэских козле дованшп:, целлнейпсй озгтхв, ллзоршЗ…	Сычев, Сергей Альбертович	1992
Нестационарные инжекционные и тепловые процессы в сверхмощных полупроводниковых переключателях В основу работы РВД заложен новый принцип коммутации электрической мощности с помощью управляющего плазменного слоя [1]. Его использование позволяет осуществлять включение прибора одновременно по всей рабочей площади. Длительность процесса включения оказывается в десятки раз короче, чем у обычного тиристо-тора, что значительно снижает…	Панайотти, Ирина Евгеньевна	1992
Низкотемпературная спектроскопия точечных дефектов в кремнии Для кремния, одного иа основных материалов современной электронной промышленности, важное яначение имеют примеси замещения III mV групп, являющиеся основными легирующими добавками, и радиационные дефекты, возникающие на различных стадиях создания и эксплуатации полупроводниковых приборов. Изучение свойств таких дефектов и носителей заряда…	Сафонов, Алексей Николаевич	1992
Обратимое пороговое просветление арсенида галлия под действием пикосекундного импульса света Однако в наших экспериментах был обнаружен существенно иной характер просветления. Если энергия возбуждающего импульса превышала некоторое порогозое значение, просзетление зо время возбуждения сначала росло, а затем спадало за пикосекундные времена. Рост и спад просветления происходили с некоторым запаздыванием по отношению к росту и спаду…	Броневой, Игорь Леонидович	1992
Оптимистические и электрофизические свойства аморфных пленок нитрида и оксинитрида кремния переменного состава Б этой связи особый интерес приобретают исследования пленок Зь^и 5ьОхМ^ , состав которых, а следовательно, и физические свойства могут варьироваться в широких предела;., что позволяет использовать их в качестве селективных теплорегулируюшх и про-светлявких покрытий, оптических фильтров. Несомненно, перспективно использовать эти пленки для…	Баширов, Мусавер Забит оглы	1992
Особенности динамики нагрева и моделирования процесса наносекундного импульсного лазерного облучения полупроводников в режимах развитого плавления До настоящего времени большинство работ по проблеме ;Ш0 было поевлдено исследованию лазерного отжига полупроводников, поэтому основное внимание исследователей уделялось режимам облучения, соответствующим этапу зарождения ялдкой фазы или плавления приповерхностных областей на глубину < 0.2 мкм, типичную толщину нарушенного ело.. ..рн ионной…	Эм, Александр Семенович	1992
Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( λ=0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе В настоящее время по объему мирового производства инспекционные лазеры стали одним из наиболее распространенных полупроводниковых приборов. Из всех полупроводниковых лазеров наибольшим спросом пользуются лазеры с контролируемым модовым составом излучения…	Фуксман, Михаил Викторович	1992
Особенности электронных и гамма-резонансных спектров TiCa1-xFexS2(O< или равно х < или равно 1) Энергия обменного взаимодействия, естественно, оказывается весьма чувствительной так же к частичным замещениям ионов железа в цепях на еоответсвуюшие немагнитные ионы, в тем числе на ионы галлия. Несмотря на отмеченные выше различия кристаллов соединения Т1.РеБ…	Кязимов, Сулейман Бильман оглы	1992
Перенос горячих электронов в многослойных гетероструктурах на основе многодолинных полупроводников Б связи с гтп; ввсыз актуальны:-.^ является теоретические исследования свойств 1ЛЮГОСЛОЙНЫХ ГС г разработка математических ь:одеяз15, гщепхатпс описиБанипи: наиболее суцоственные особенности разогрева и переноса электронов б ГС на оезове кногсдолзкгаг полупроводников». Ирг. это:,: га-пно знать влияние конгтрук-гиднки параметров структур на…	Солоцкая, Татьяна Ивановна	1992
Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров шоттки Такие прибора имзэт кеныяиэ обратит токи и при прочих рашнх еловиях кмеот большие пробяшш иапряйеная. Эти 'актора блатопрют-н при изучении слоев объ?пкого заряда у стру ктур, содервшрос toe, ш-одаая емкостной спектроскопия. Арсенцц гахякя иироко ксполыувгсй as основной конструкционный материал а таких подупроводвиюошх уст-ойствазс, врк…	Карфул Ризек	1992
Поверхневi електромагнiтнi збудження в розупорядкованих системах на основi GaAs, SiC i SiO2 Актузльн1сть т<?т. Досл1дяення поверхнэвих електро-магн1тних хвиль СПЕЮ та рзд1ац1йних поверхневих под в малих частниках металiв. нага впров1дник1в та д!електрик!в в останш роки сформувались як окрем1 напрямки Ф1зики твердого т1ла, то бурхливо розвиваються. Характерной особлив!стю ПЕХ е локал1ззц1я ix поля на мэж1 под1лу СповерхнП i висока…	Гончаренко, Анатолий Владимирович	1992
Поверхностно-барьерные структуры металл-полупроводник А3В5 Поверхностно-Барьерные структуры на основе полупроводников А^ и А3В^ в настоящее время заняли,наряду с р-п-структура-ми, прочное место в полупроводниковой электронике, а такке широко используются как средство для исследования свойств полупроводников…	Гольдберг, Юрий Аронович	1992
Поглощение и преломление интенсивной электромагнитной волны сегнетоэлектрическим кристаллом (BaTiO3, PbTiO3) Широкое использование монокристаллических сегнетоэлектри-ков в качестве элементов лазерной техники (преобразователи, затворы, дефлекторы), а также в качестве сред для записи информации голографическими методами, делают подобные исследования особенно важными, поскольку позволяют дать рекомендации о выборе сегнетоэлектрических материалов для…	Косолапов, Игорь Владимирович	1992
Поглощение многокомпонентных церийсодержащих стекол повышенной частоты для ВОЛС в условиях воздействия температуры и гамма-радиации Наряду с проблемой" поЕНиешгя прозрачности стекол для волоконной оптики з настоящее время актуальным является вопрос о последующем поведений волоконно-оптических' элементов в процессе эксплуатации при воздействии различных епс-злшх факторов. К такого рода факторам относятся, в 'частности, ионизирующая радиация и повышенная температура. На практике…	Ананьев, Анатолий Владимирович	1992
Поглощение многокомпонентных церийсодержащих стекол повышенной чистоты для волн в условиях воздействия температуры и гамма радиации Наряду с проблемой повышения прозрачности стекол для волоконной оптики з настоящее время актуальным является вопрос о последующем поведении волоконно-оптических'элементов в процессе эксплуатация при воздействии различных ывшх факторов, К такого рода факторам относятся, в частности, ионийфую'дая радиация и повышенная температура. Ка практике часто…	Ананьев, Анатолий Владимирович	1992
Полупроводниковые сэндвич структуры на основе халькогенидов цинка (процессы роста и токопереноса) Вместе о .тем в последнее, время появюшоь.тьеретьчзггшв работы, позволяющие, во-перэых, аорренгао рассмагрияап.электронные прсдеоси.в.цондеясзроваиных.сиотеяах /1-3/ и..во-вто-. пах, более корректно..описывать и исследовать электронные процессы в .сэндвич структурах /4-5…	Тошходжаев, Хаким Азимович	1992
Получение и оптимизация характеристик AlGaAs фотодиодов для датчиков ионизирующих излучений Современные технологам позволяют получать эпитаксиальные слои АЮзАб высокого кристаллографического качества с заданным составом и содержанием легирующей примеси. Возможности метода низкотемпературной жидкофачной эпитаксии ( 1ГГ ЖФЭ ) пиращнвать кристаллографически совершенные АЮаА? гетероструктуры с ультратонкими поверхностными слоями могут…	Миланова, Малина Михайловна	1992
Поля дефектов и форма резонансных линий Детальное исследование формы резонансных линий, необходимое для установления дефектной структуры кристаллов, предполагает теоретический расчёт формы линий и сопоставление его результатов с экспериментальными данными. Для этих целей существует несколько теоретических методов. Для расчёта неоднородно уширенных резонансных линий, к которым относятся…	Нурутдинова, Инна Николаевна	1992
Применение лазерной обработки в технологии изготовления солнечных элементов …	Потеха, Сергей Васильевич	1992