Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Шум типа 1/f в структурах полупроводник-диэлектрик Обычно используемая при сравнении с экспериментом формула для 1'Г вука а модели Мак-Уортера не учитывает ряда„особенностей поверхностного механизма формирования шума, таких как наличие праповеркностаоа областа пространственного заряда, одновременно» участие в акте формяровання шума как электронов так и дырок а также ряда других, позволяющих…	Панащенко, Олег Николаевич	1992
Электрические и фотоэлектрические эффекты в кристаллах CdS, связанные с наличием подвижных и метастабильных центров Вместе с тем ряд вопросов, касающихся природы и механизмов: таких процессов., а также возможных следствий присутствия подвижных-дефектов остался не выясненным. К ним относятся…	Дроздова, Илга Анатольевна	1992
Электропроводность тонких пленок полимерных полупроводников на основе карбазола Преимущества Гтототдршпластического способа пра регистра-обработке я хранении оптической информации по сравнению с дкцконным фотографическим процессом известны и неоспоримы еверсивность, высокая скорость регистрации, простота вазуа-ации скрытого изображения, эконоюгчность и -цр. /. Однако, уеденного использования рэгистрируксая сре~а…	Решетняк, Валентин Владимирович	1992
Взаимодействие электрически неактивных примесей с собственными дефектами в кремнии К настоящему времени установлено, что большинство экспериментально наблюдаемых радиационных дефектов в кремнии представляет собой комплексы первичных радиационных дефектов - вакансий (V ) и собственных межузельных атомов ( I ) - с атомами примесей находящихся в кристалле. Именно эти комплексы определяют важнейшие электрофизические свойства…	Клингер, Павел Михайлович	1991
Динамика флуктуаций тока микроплазм в P-N-переходах на кремнии и карбиде кремния Фундаментом МП представлений до настоящего времени служит модель включения и выключения МП тока, основанная на элементах теории марковских стационарных процессов, сводящаяся к модели стационарного пуассоновского двоичного процесса. Несмотря на имеющиеся противоречия физических данных с этой моделью, определяющейся средними величинами параметров…	Кондратьев, Борис Сергеевич	1991
Динамические преобразования доменных границ в импульсных магнитных полях В связи с широким практическим использованием пленок ФГ ис-:лючительно важное значение приобретает исследование структуры и ©ойств доменов и ДГ в наиболее перспективных для этих целей ма-ериалах. Кроме чисто прикладного значения, исследования динами-[еских свойств.ДГ при импульсном перемагничивании представляют и ольшой самостоятельный научный…	Николаева, Елена Петровна	1991
Диффузионное и ионно-лучевое легирование CdxHg1-xTe В настоящей работе под легированием понимается воздействие на материал, происходящее посла завершения пэоцесса его выращивания и направленное '-а изменение его свойств путем введения примесных атомов или изменения концентрами собственных дефектов. В качестве методов такого воздействия используется диффузия помеси (индия) и ионно-лучевое травление…	Мынбаев, Карим Джафарович	1991
Исследование генерационно-рекомбинационных дефектов в приборах с зарядовой связью При проведении технологических операций в производстве ПХ в крегашевых пластинах индуцируятся различного рода дефекты, а также дефекты исходного кре?лння на последующих высокотемпературных обработках (ВТО) процесса изготовления претерпевают различные изменения - М7~рируют по пластине, укрупняются, взаимодействуют между собой, диссоциируют или…	Барышев, Сергей Константинович	1991
Исследование и разработка быстродействующих туннельных переходов в Ge и GaAs Инерционность процессов тункепирования через потенциальные барьеры составляет 10-13..ДО" 12 с, что может служить основой для создания сверхбыстродействующих полупроводниковых структур и приборов. Однако их потенциальные возможности являются исследованными и реализованными в недостаточной степени…	Лякас, Михаил Аронович	1991
Исследование контактной эхоклюзии электронно-дырочной плазмы в полупроводниках конечных размеров Несмотря на систематическое исследование явления контактной эксклюзии в СССР и за рубежом ко времени начала этой работы, оставался рад задач, требующих решения и уточнения. Так. в .отгературе при рассмотрении эффекта эксклюзии описаны два приближения: диффузионное и дрейфовое < тогда как в большинстве случаев необходимо одновременно учитывать как…	Витусевич, Светлана Александровна	1991
Исследование локальных уровней сильнолокализованных точечных дефектов в кристаллических полупроводниках В микроэлектронике, являющейся лидером в научно-т'ехничес-кого прогресса, дальнейшее уменьшение размеров элементов сверхбольших интегральных схем, увеличение числа "прецизионных" технологических операций, повышение плотности рассеиваемой энергии предъявляет совершенно новые требования к качеству полупроводниковых материалов и уровню понимания их…	Фоминых, Сергей Васильевич	1991
Исследование оптических характеристик InGaAsP/InP (лямбда=1,3 мкм) и InGaAsP/GaAs (лямбда=10,8 мкм) мощных лазеров раздельного ограничения с широким полосковым контактом Научная новизна и практическая ценность результатов работы заключается в следующем: установлено, что ближние и дальние поля излучения 1п0аАзР/1пР РО ДГС лазеров( л =1.3 мкм) о широким полссковым контактом хорошо описываются линейной моделью синусоидальных мод и обусловлены суперпозицией ьулевой мода и нескольких поперечных мод о индексами 1-4. РО…	Рафаилов, Эдик Урихаевич	1991
Исследование особенностей ватт-амперных и теплофизических характеристик квантоворазмерных лазерных диодов с λ =0,8 МКМ и разработка диодной системы накачки АИГ: Nd3+ на основе ИнГаАсП/ГаАс ГЕТЕРОСТРУКТУР Ш?Пё§я.ЛК®изна определяется тем, что установлено, что выброс носителей из активной области квантоворазмерних лазеров, у которых разница ширин запрещенных зон активной области и эмиттера менее ЗБО мэВ, является основной причиной возрастания пороговой плотности тока при ее значениях более 2 кА/см~ .На основании сравнения экспериментальных данных с…	Гулаков, Аркадий Борисович	1991
Исследование процессов роста при молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с напряженными слоями Использование кваятово-размерит: гегэрострукгур произвело настоящий переворот в полупроводниковой теташсе, позволив существенно улучшать параметры арактячесни всех известных полупроэод-никозцх приборов а создать целнй ряд принципиально нолнх приборов. Приыеракз 'таких достижений является создание квантово-размерите Гетеролазеров, позволивших…	Дзамашвили, Александр Акакиевич	1991
Исследование радиационных дефектов в кристаллах Hg1+xCdxTe ядернофизическими методами Использование известных методов получения полупроводникового соединения ^^х^х ^ и традиционных способов управления характеристиками кристаллов (термообработка в парах компонентов, термодиффузия примесей) не позволяет получать материал с параметрами, требуемыми для создания высокочувствительных ИК-фотоприемников. Прогресс в этом направлении может…	Коротаев, Александр Григорьевич	1991
Исследование фотоакустического эффекта в халькогенидных стеклообразных полупроводниках С этой точки зрения актуальным является исследовшше ФА аффекта в халькогенвдных стеклообразных полупроводниках '„ХСП),такие особенности которых,как большая концентрация дефектов, оптическое возбуждение которых в соответствии с моделью Мотта-Дэвиса-Стрита должно вызывать возникновение или исчезновение искажений сетки стекла, изменение толщины…	Харионовский, Александр Валентинович	1991
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP-InGaAs со встроенным потенциальным барьером Последние годы разработке высокоэффективных, быстродействующих фотодетектороз уделяется большое внимание. Это обус-и озлен о тем, что удовлетворить зсе возрастающим требованиям к гараыетрам и характеристикам фотодетекторов в связи с расширением областей их применения— волоконно-оптическая связь, разработка оптоэлектронных интегральных схем…	Абдуллаев, Хаким Олимжанович	1991
Исследование электролюминесценции гетеропереходов InGaAsSb/AlGaAsSb Исследование многокомпонентных твердых растворов А^В^ в системе GuSb - ioAo и гетерострукгур на их основе ва.ъно и с научной стороны, так как они позволяют комбинировать гетеропереходы I, 11, Ш типов для получения высокоэффективной элоктро-дтаинесценции…	Андаспаева, Айкуль Абжапаровна	1991
Исследование электронных и ионных процессов, приводящих к изменению фотоэлектрических и оптических свойств полупроводников A2 B6 под действием лазерного излучения Можно назвать, по крайней мере три причини повышенного интереса к этим процессам. Во-первых, они оказались тесно связанными с деградацией полупроводниковых лазеров. Во-вторых, выяснилась возможность их практического использования для целенаправленного изменения различных свойств полупроводниковых.материалов. И, наконец, механизмы этих процессов (в…	Джумаев, Бердишукур Режепович	1991
Исследование электрофизических явлений на поверхности и вв приповерхностных слоях узкощелевых и бесщеелевых полупроводников методом эффекта поля в электролитах В разделе 1.1 рассмотрели объемные свойства твердых растворов КРТ, ЦРТ и МРТ, знание которых необходимо для проведения исследований. Раздел 1.2 посвядап поверхностнш свойствам этих материалов, исследование которых идет в двух направлениях: исследуется реальная поверхность твердых растворов и ее роль при формировании ДП-структур; исследуются…	Перепелкин, Анатолий Дмитриевич	1991