Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Электронное комбинационное рассеяние и двухфотонное поглощение света в полупроводниках типа А2В6 и полумагнитных полупроводниках на их основе Исследования оптических свойств полупроводниковых структур' связаны с перспективами достижения предельных возможностей по быстродействию^ чувствительности л габаритам, а также создания принципиально новых оптоэлектронных устройств. Благодаря успехам современной лазерной спектроскопии стало возможным изучение спектров электронного комбинационного…	Исмаилов, Тариэл Гумбат оглы	1993
Электронно-коливальна взаемодiя в низькорозмiрних органiчних провiдниках Ця приваблпва перспектива ззидкого прориву у галуз! ф1зкки та гехн!ки надпров!дник1в, де зросгання критичних парлиетр1в з!дбувалося в т! роки досить пов!льно, сткмулювала розгортання роб!т г xiMil та ф!зики низькорозм1рних срган1чних пров!дник1в практично у зс1х промислово розвинутих кра1нах Заходу, а тако:я у колишньому Радянському Comi…	Походня, Константин Игоревич	1993
Электронный спектр полупроводниковых соединений типа TiFeSe2 Характер физических явлений,имеющих место в полупроводник ах и обуславливающих их [фактическое применение в значительной степени определяется структурой энергетического спектра плектра нов . Для дальнейшего применения и направленного поиска важно изучение закономерностей энергетической яонной структуры.Ре--шоние этой задачи требует комплексного…	Джахангиров, Закир Агасолтан оглы	1993
Электрофизические и оптические свойства кремния, имплантированного ионами высоких энергий В последние годы ионная имплантация стала одним из основных методов введения примесей в полупроводниковые кристаллы. Данный метод имеет ряд преимуществ как с технологической точки зрения, так.и с точки зрения разработки электронных приборов. Наиболее важными из них являются: возможность точного контроля количества вводимых атомов примеси…	Аль-Баккур Фавзи ибн Абдулла	1993
Эллипсометрическая диагностика структур полупроводник-окисел Любая гетерофазная граница, в том числе граница полукровод-ник - диэлектрик, имеет переходную область. Границу раздела однородных сред невозможно получить идеально резкой - в приграничной области неизбежно возникают переходные слои, толдика которых может меняться от нескольких единиц до нескольких сотен атомных слоев. Электрические измерения…	Макарова, Татьяна Людвиговна	1993
Энергетический спектр и процессы трансформации новых термодоноров в кремнии Широкая распространенность и хорошие полупроводниковые свойства позволяют кремнию занимать ведущее место среди материалов, применяемых в электронной технике. Особую роль с точки зрения технологии приборов на основе кремния играют примеси кислорода и углерода, которые попадают в…	Оганесян, Гагик Араратович	1993
Энергетический спектр резонансных состояний мелких примесей и основного состояния акцепторов в германии в магнитном поле При помещении водородоподобной примеси в магнитное поле настолько сильное, что циклотронная энергия носителя заряда превосходит энергию ионизации примеси, наблюдается ряд эффектов, несвойственных для малых магнитных полей. Так Зееманов-ское расщепление возбужденных состояний атома становится настолько большим, что все термы, имеющие положительные…	Прошин, Сергей Анатольевич	1993
Эпитаксиальные термоэлектрические пленки A2vB3vi различной толщины Данные материалы в пленочном состоянии, с одной стороны, представляют интерес как самостоятельный физический объект со специфическими свойствами ( сильноразвитой свободной поверхностью,наличием жесткой связи с подложкой, высокой плотностью границ зерен) и, с другой стороны, имеют практическую ценность для создания на их основе пленочных…	Грибанова, Ольга Станиславовна	1993
Эффективность введения радиационных дефектов в кремнии и структурах на его основе в условиях применения радиационно-технологических процессов Управление спектром радиационных дефектов в кремниевых структурах осуществляется выбором бомбардирующих частиц, изменением их энергии потока, а также послерадиационной термообработкой. Однако ограниченность условии облучения в реакторах не позволяет эффективно управлять спектром РД в кремшш. Послерадиаци-онная термообработка позволяет отяпгать не…	Сагдуллаев, Хусан Усманович	1993
Эффективные магнитные поля сверхтонкого и спин-орбитального взаимодействий в квантовых ямах GaAs/AlGaAs В последнее время объектом интенсивных исследований становятся различные нелинейные системы, многие из которых лежат в основе работы современных полупроводниковых приборов. Одна и та же система, динамика которой в одних условиях предсказуема, в других условиях демонстрирует практически непрогнозируемое поведение благодаря наличию…	Коренев, Владимир Львович	1993
Эффекты пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности границы раздела при термоактивационном анализе Si-МОП-структур Таким образом, изучение эффектов пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности ГР при релаксационном термоактивационном анализе характеристик ЛЭС и явлений генерации ННЗ - актуальная и практически значимая задача…	Сумарока, Александр Михайлович	1993
Явления неустойчивости и неравновесные фазовые переходы в системе дефектов полупроводников Широкое использование ионной имплантации и других типов облучения в современной полупроводниковой технологии, как способов для модификации характеристик кристалла, обуславливает необходимость всестороннего изучения проявления такого воздействия в полупроводцшках…	Вернер, Игорь Витальевич	1993
Взаимодействие и миграция точечных структурных дефектов в твердых телах на основе щелочно-галоидных кристаллов и гидридов металлов Для ИГК, слаболегированных двухвалентными примесями (типичные ристаллы без глубокой очистки), представляет интерес изучение пе-ехода от области примесной проводимости (когда электропровод-ость кристалла определяется миграцией вакансий- по чистому :ристаллу) к области комплексообразования. Экспериментальное изу-:екие электропроводности з переходной…	Вараксин, Анатолий Николаевич	1992
Влияние дефектов в области пространственного заряда на явления переноса в CdS-Cu2S фотопреобразователях Апробация работы. Основные результаты работы докладывались не 12 Совещании по теории полупроводников (Ташкент. "355 г.), II Уральской конференции "Синтез и исследование халькогенидных плёнок" (Свердловск, .1966 г.), Девятом международном совещании пс (Фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твёрдых телах (Болгария, Варна, 1969 г.;, Ьсесоюзной…	Борщак, Виталий Анатольевич	1992
Влияние межфазных явлений на формирование пьезоэлектрического эффекта в системе полимер-пьезоэлектрик СовпеменныП научно-технический прогресс неразрывно связан . с разработкой и освоением иотзчх активных диэлектриков, в частности, композиционных диэлектриков типа полимер- сегпето-пьезо-злептрик. В этих двухфазных системах путем соответствующего ш-бора компонентов обоих фаз, их концентрации, дисперсности, типа связности, технологии получения и…	Садыгов, Халыгверди Аллахверди оглы	1992
Влияние молекулярного близкодействия и неоднородности структуры полярных диэлектриков на диэлектрические свойства и явления вблизи поверхности В настоящее время заметное внимание к изучению полярннх диэлектриков связано как с проблема1,',и шсто научного характера, так а с многообразием практических применений материалов, относящихся к этому классу. Высокие изолирующие свойства, часто наблюдаемые сегнетоэлектрические явления обусловили широкое использование полярных диэлектриков в…	Агафонов, Вадим Михайлович	1992
Влияние связанных экситонов на фотоэлектрические свойства фосфида галлия, легированного азотом В первой главе на основе литературных данных представлены основные свойства фосфида галлия. Основное внимание уделено особенностям зонной структуры и оптическим явлениям в 0О,Р. Приведены данные по оптическому поглощенно, люминесценции и фотоэлектрическим свойствам 6аР в области свободных и связанных экситонов. Особое внимание уделено энситонаи…	Юнис, Мурад Бадрахан	1992
Вторичная электронная эмиссия некоторых микрозонных диэлектриков Существующие до настоящего • времени теории вторичной электронной смнсс:з: косят, в основном, качественный характер и длл достижения совпадения с экспериментом требуют введения подгоночных параметров, .действительных, как правило, лишь для данного материала га ограниченной группы материалов. Это пс-зидкиому, ясля-зтся следствием еда ке достаточной…	Мурашов, Сергей Вадимович	1992
Вторичная электронная эмиссия некоторых широкозонных диэлектриков Существующие да настоящего времени теории вторичной электронной эмиссии носят. в основном, качественный характер и для достижения совпадения с экспериментом требуют введения подгоночных параметров, -действительных, как правило, лизь для данного материала ет . ограниченной группа материалов. Это по-видному, пйляэтся следствием eue ке достаточной…	Мурашов, Сергей Вадимович	1992
Диффузия и механизмы растворимости примесей (цинка, индия) в твердых растворах теллурида свинца-теллурида олова Специфика легирования фаз переменного состава заключается в том, что физические свойства и структура легированных кристаллов определяются не только примесными атомами, но и собственными точечными дефектами и взаимодействием их меиду собой. Характер взаимодействия всех видов точечных дефектов зависит от типа и концентрации собственных дефектов…	Чу Чор	1992