Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Спектроскопия фотолюмисценции и комбинационного рассеивания света тонких сверхпроводниковых пленок и гетероструктур на основе арсенида галия Актуальність теми. Інтенсивний розвиток напівпровідникової електроніки нерозривно пов'язання з досягненнями в області технології напівпровідників. Різке покращення якості традиційних…	Бачериков, Юрий Петрович	1993
Статика и линейная динамика магнитной системы сильноанизотропных ферримагнитных диэлектриков К настоящему времени имеется огромное число исследовании физических свойств материалов при различных температурах и несравненно меньше - при высоких магнитных полях, несмотря на то, что эффективность воздействия последнего на вещество едва ли менее значима. Наибольшее магнитное поле, полученное в лабораторных условиях…	Лагутин, Александр Сергеевич	1993
Стимулированное излучение и электронно-дырочная жидкость в слоистых полупроводниках InSe и GaSe Даяв поверхностный анализ работ, посвященных исследованию природы вынужденного излучения, например, в (да Бв , показывает, ч?о единого взгляда на механизм этого излучения в '"ва-5е но существует. Вынужденное излучение в Бе и ба 5е приписывалось и экситон-зкситокным и экситон-эло-ктроИнын неупругим процессам, считалось обусловленным…	Кахраманов, Ниязи Барат оглы	1993
Структурно-чувствительные особенности валентной зоны при разупорядочении в кремнии Основой современного понимания особенностей свойств аморфного кремния ( £1 ) являются представления о нарушении дальнего порядка его атомной структуры по сравнению с кристаллом, появлении нескомпенсированных связей и метастабильности струк-' туры с этими особенностями. Несмотря на значительное количество экспериментальных работ и модельных…	Мильвидский, Андрей Михайлович	1993
Структурный анализ некристаллических веществ в системе кремний-углерод Структура аморфного вещества, его Олимшй порядок определяет физико-химические свойства материала, являясь при 8 том продуктом определенного процесса синтеза. Несомненна, следовательно, необходимость в надежной информации о строении вещества, существенно облегчающей поннмашю свойств материала, а такке ого генезис. Большое значение поэтому имеет…	Казак-Казакевич, Александр Зенонович	1993
Тензоэлектрический эффект в кремнии, компенсированном никелем и гадолинием, и структур на его основе Бурное развитие современной электронной техники происходит благодаря широкому внедрению автоматических систем управления, ключевой основой которых являются датчики и преобразователи внешних воздействий: температуря, силы, давления, радиации, светового излучения и др. Чувствительными элементами этих датчиков и преобразователей в настоящее время в…	Маматкаримов, Одилжон Охундедаевич	1993
Теория свободного магнитного полярона в квантовой яме с полумагнитными барьерами Полумагнитныэ (или магнитосмешанные ) полупроводники (IMI) - молодой и перспективный класс материалов, сочетающих в себе полупроводниковые и магнитные свойства. Высокая магнитная восприимчивость, обусловленная включенным в кристаллическую решетку ионами переходных металлов, и сильное обменное взаимодействие электронов на внутренних незаполненных…	Кавокин, Кирилл Витальевич	1993
Транспорт носителей заряда в кристаллах с электрически активными неоднородностями в области перехода металл-неметалл Существенную роль в микроэлектронной технологии играют многослойные системы на основе металлов, полупроводников и диэлектриков (гетероструктуры, сверхрешётки, барьеры Шоттки, МДП-, ПДП- и др. структуры). В таких системах' существуют как специально созданные неоднородности (обычно б направлении перпендикулярном плоскости слоев), тет и" случайные…	Федотов, Александр Кириллович	1993
Фiзико-технологiчнi дослiдження i розробки в галузi одержання монокристалiв широкозонних сполук групи А2В6 та iх використання в приладах когерентноi i некогерентноi оптоелектронiки Передбачалося, что в результат! виконання роботи в щлому (тоб-то И ф!зично! та технологично! частин) стане можливим пов^стю або принайм! частково заповнити так! пом!тн! прогалини, пов'язан! з пра-ктичним використанням нап!впров!дник!в групи АЙВ6, як 1) вЦсут-н!сть крупних однор!дних ионокристал!в твердих розчкн!в гпхС<11.д Б та гп^^Бе, цо…	Пекар, Григорий Соломонович	1993
Фiзичнi процеси в контактах силiцид металу-кремнiй при зовнiшнiх дiях Мата дано! роботи полягае в досл!джо1ш! впливу зовнПт!х д!й на ф!зичн! продоиг, як! прот!кають при цьому в коитактпих структурах силШид металу-кремн!й з бар'ером Шоттк! в залежнос-т! в!д елзктро^гкчних властивостёй мек! розпод!лу, иргакзвсрхо-штх иар!в сопи . просторового заряду та процос!в переносу струму в структур! силщид . • металу-кремшй. Для…	Лисняк, Павло Григорьевич	1993
Фазовые переходы в окислах и сульфидах переходных металлов и их техническое использование Физические исследования этих веществ вскрыли наличке з физике твердого тела шогих проблем, которые могут быта поняты лишь при учета специфики поведения ¿¿-электронов в узких с1 -зонах при наличии сильных электрон-электронных к элёктрон-фононных коррелящй. Неучет этих факторов в окислах и сульфидах переходных металлов ведет к появлению не только…	Теруков, Евгений Иванович	1993
Фазовые переходы и поверхностные явления в жидких полярных диэлектриках Характерной особенностью систем, включающих жидкие-диэлектрики, является то, что здесь достаточно легко и в широких пределах можно менять диэлектрическую проницаемость (что достигается смешиванием полярной и неполярной жидкостей). Это дает уникальную возможность напрямую исследовать зависимость термодинамических характеристик системы от ее…	Соколова, Светлана Викторовна	1993
Фотоиндуцированные изменения и процессы плазмохимического травления ХГС ДериБатографнчесгамн и электродао-^эфоскогадасго'ая всса&Еаш-ИИЯ1М установлено, что в ХГС системы Go-So шшюш Ери юиеггш воздействиях сопровоздаотся иакоплзквом гзэОигочгшж гойосвя&ей, Приводящим it шкро- я и^фолйтащюшиш процессам с внцэжхжи огдом-НЫХ ÍS3…	Федотова, Ирина Витальевна	1993
Фотостимулированная диффузия в тонкослойных светочувствительных структурах полупроводник-металл. Актуэлыпсть теми. Ргвень сучасно! технологи у зношхй мг-р: вганачаеться устхвт в розробги ргзномангтних реесгруючих середовищ. Розвиток М1кроелектрон1ки пов'язаний э удосконаленням резкст1В для лхтограф!?, информатики - э розвитком оптичного запасу хнформэцп, оптотехтшш -стгареипяы голографхчних оптичних елементхв, ихн оформи та 111. ЩдЕицення…	Индутный, Иван Захарович	1993
Фотостимулированные процессы газовой эпитаксии узкозонных полупроводников Успешное разрешение указанных проблем открыли <5н широкие возможности для решения ряда практических задвч в области оптимизации процесса эпитаксии узкозонных полупроводников, среди которых особенно большой практический интерес представляют твердые растворы теллурцца свиниа - олова как материалы обладающие высокой чувствительностью к инфракрасному…	Мамедов, Тофик Сафарали оглы	1993
Фотоэлектрические процессы в гетеро-P-I-П-структурах на основе аморфного гидрированного кремния В силу ■ этих обстоятельств является актуальным комплексное исследование и изучение взаимосвязи технологических параметров процесса роста пленки аморфного гидрированного кремния с их физическими параметрами…	Кабулов, Рустам Рашидович	1993
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb1-z-ySnzGeyTe:In с перестраиваемыми дефектами и фоторезисторы на их основе Одной из основных задач современной оптоэлектроники является разработка и создание новых фотоприемиых'систем ближнего, среднего и дальнего инфракрасного (ПК) диапазонов. Системы такого рода используются в оптическ' й земной и космической связи, в различных система V обнаружения, наведения, слежения, теплопеленгации, оптической локации, в…	Третиник, Виталий Викентьевич	1993
Характеристики пороговых ИК фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами Несомненный интерес представляет изучение ИК фотоприемников СФП) на основе структур с КЯ соединений GaAs/AlxGat_xAs и Si/Si^Ge^ для диапазона длин волн 8-14 мкм. Принцип действия такого ФП состоит в .возбуждении электронов с основного состояния в КЯ в непрерывный спектр с последующим сбором носителей с помощью приложенного ■ электрического поля…	Серженко, Федор Леонидович	1993
Экситоны в низкоразмерных структурах с немагнитными и полумагнитными барьерами Возникновение ноклх классов полупроводниковых структур, таких как квантовые- яш, сверхреюетки, ешнтошэ провода и квантоше точки, потребовало здекватйогс теоретического описания энергетических состояний носителей и экситонов в этих структурах. Не менэе шжой является задача расчета макропараметров исследуемых систем, та:мх как коэффициенты отражения…	Кавокин, Алексей Витальевич	1993
Электрическая активность границ зерен в кристаллах профилированного кремния Цвльа.рпботи является изучение зериограшачной структуры про-^.цкроватшх кристаллов крешшя (ПК), определение взаимосвязи между кристолдогрэфическиш! параметрами границ зерен и их електричес-коЯ ак'ишноегъв, а такта вняснениэ природа влияния ' електрически активных грзпЗД зерен на токопэреиос в профилированном кремнии…	Ильяшук, Юрий Михайлович	1993