Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка Однако в процессе имплантации в слоях полупроводников . возникают в высоких концентрациях радиационные дефекты, иногда вплоть до перехода кристалла в аморфное состояние. Это требует последующей термообработки имплантированных структур. Многочисленные исследования показали, что накопленные при имплантации радиационные дефекты оказывают воздействие…	Араика Рибера, Оскар Хосе	1993
Радиационные дефекты в полупроводниковых фосфидах A3B5 и A2B52 Актуальн\|сть теми. Нап!впров!дников! з'едиашш типу широки використовуються в приладобуд.уванн!, як матвр!али для ви товдвшш фотод!од1з, д1 одIв Ганна, фотоопоо!в, оснячаих елемант!в, 1н*вкц1Й-них лазвс1в, пвоетворювач!в енергН, оптоэлектронних пар та !н…	Тартачник, Владимир Петрович	1993
Размерное квантование и спектры межзонного оптического поглощения в кубических микрокристаллах полупроводников со сложной структурой валентной зоны Системы с квантование« в- одной направлении составляю?1 обширный илэоо двумерных (2Д) электронных сисгеч, примерам которых являются: газ 113 э гетеропереходе и инверсионных алоях,. ивантовые яма, езерхрешетьи и др.[1…	Григорян, Гагик Багдасарович	1993
Разогрев носителей заряда, пробой и плазменные явления в узкощелевых полупроводниках в сильном электрическом поле Узкощелевые полупроводники являются также общепризнанными модельными объектами для научных исследовании. Это обусловлено в немалой степени тем, что относительная простота энергетического спектра делает возможной теоретическую интерпретацию их основных свойств, а наличие узкой щели и малость эффективных масс носителей заряда порядка ю-2ч10~3 от…	Богданов, Евгений Владимирович	1993
Разогревные транспортные и оптические эффекты в полупроводниковых микроструктурах Традиционный подход к проблеме повышения производительности электронных процессоров состоит в увеличении плотности упаковки и быстродействия логических элементов, что с неизбежностью ведет к уменьшению их размеров. При топологическом масштабе меньше 1 мкм протяженность активной области элемента I становится соизмеримой с характерными длинами…	Толстихин, Валерий Исаакович	1993
Разработка жидкофазной технологии изготовления мощных низкопороговых заращенных InGaAsP/InP лазеров Исходя из требований к источникам излучения волоконно-оптических систем связи, таких как высокие мощность излучения и коэффициент ввода излучения в оптическое волокно, стабильная модуляционная характеристика, большой практический интерес представляют лазеры, обеспечивающие стабильную генераций нулевой поперечной мода излучения во всем диапазоне…	Беришев, Игорь Эрикович	1993
Разработка и исследование излучательных характеристик мощных одномодовых InGaAsp/InP лазеров раздельного ограничения Н учная новизна и практическая ценность работы заключается в том, что в ней исседовано влияние конструкции лазерной гетероструктуры раздельного ограничения на устойчивую работу. в одномодовом режиме генерагрга мощных мезополоскоь-х зарощенных \пСаА8Р/ШР РО ДГ лазеров. Показано, что уменьшение толщины расширенного волновода исходной РО ДГС поз…	Ильин, Юрий Валерьевич	1993
Разработка количественного термозондового метода анализа твердых растворов теллурида свинца-теллурида олова Эффективность работы приборов существенно зависит от структурного качества используемых кристаллов, их химической однородности и особенно. от распределения электрофизических свойств. Следует отметить, что твердые растворы РЬ^^Зп^Те являются фазами переменного состава, т.е. значение концентрации носителей заряда и тип электропроводности существенно…	Разафиндразака Тсилаву Мандреси	1993
Расслоения и пульсации в широкоапертурных полупроводниковых оптически бистабильных интерферометрах и инжекционных лазерах В научном плане широко понимаемое явление оптической бистабильности (с множеством сопутствующих явлений) представляет собой важный раздел современной нелинейной оптики…	Коган, Александр Самарьевич	1993
Резонансные эффекты при упругом рассеянии и захвате носителей заряда мелкими нейтральными примесными центрами в полупроводниках В настоящее зреш существуют два гсдксгд к теоретическому списании упругого рассеян:" носителей заряда па нейтральных центрах. В первом искользуп-.1 результаты трудоемких численных расчетов селения рассеяния в рамках водародоподобной модели. Основанием для другого подхода является тот факт, что атоиы примеси обладзг-от слабым сродством к электронам…	Шагимуратов, Олег Геневич	1993
Рентгеноструктурные исследования сегнетоэластического фазового перехода в галогенидах одновалентной ртути Особый интерес в фундаментальных вопросах физики твердого тела в последнее время привлекают проблемы структурных фазовых переходов и связанные с ниш процессы и явления. Это фазовые переходы в различных кристаллических системах. энгармонизм колебания и динамика кристаллической решетки, кооперативные явления, проявления сверхпроводимости…	Бойко, Михаил Евгеньевич	1993
Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния Карбид кремния является также материалом для изготовления керамики на его основе, которая широко используется при изготовлении различных конструкций, благодаря их высокой тер…	Дорожкин, Сергей Иванович	1993
Сверхпроводящие свойства системы твердых растворов SnTe-PbTe, легированных индием Научная новизна. В результате проведенных исследований: I1 Впервые получена информация о сверхпроводящих параметрах твердых растворов SnTe-PbTe в широком интервале составов (содержание РЬ) и концентраций легирующих примесей (In, избыточный Те…	Шахов, Михаил Александрович	1993
Светодиодные гетероструктуры на основе GaInAsSb Для достижения поставленной цели были решены следуюси.е задачи: определение границ смешиваемости компонентов Па5Ь, СаЛл, 1пЯЬ, ГпАз в твердом растворе Са1пАяБЬ и выбор оптимальных технологических условий проведения жидкофазной зпитаксии соединений СаТпАзВЬ/СаЕЬ предельное состава…	Попов, Андрей Александрович	1993
Связанные состояния дырок и электронно-дырочных комплексов в алмазоподобных полупроводниках Теория мелких акцепторных центров в полупроводниках с вырожденной валентной зоной на сегодняшний день развита почти исключительно в рамках сферического приближения [1,21. Энергия 'основного состояния мелкого акцептора с учетом гофрировки валентной зоны вычислялась в работе 131. Однако вопрос об анизотропии волновых Функций, представляющий интерес…	Родина, Анна Валерьевна	1993
Сильные оптические нелинейности в объемных и квази-нульмерных полупроводниках Использование для возбуждения полупроводников мойного лазерного излучения позволяет получать чрезвычайно высокие концентрации неравновесных носителей, при которых существенную роль начинают играть процессы мэжчастичного взаимодействия. такие как ноу1фугое зкситон- экситогаюе и электрон- электротюе рассеянно, образованно биэкситонов, аффекта…	Климов, Виктор Иванович	1993
Синергетические фотоэлектрические явления в полупроводниках с метастабильными примесными центрами в условиях экситонного механизма фотовозбуждения Линейный анализ стационарного состояния системы на устойчн-гпстъ (по Ляпунову);получение приближенных аналитических решений для статических пространственно-неоднородных распределения (методом Ван-дер-Поля ); моделирование на ЭЗМ исследуемых процессов (с использованием метода Рунге-Кутта-Мерсона с автоматическим выбором шага) с последущкм…	Каражанов, Смагул Жангабергенович	1993
Синтез, выращивание текстурированных керамических материалов и исследование физических свойств состава YBa2 Cu3 O7-b Новые высокотемпературные сверхпроводники имеют иирокие возможности их практического применения в шгнитах, в ЭВМ, в устройствах Двоэефсона, для передачи энергии и т.д. Успех их применения будет зависеть от многих факторов: вехичини критического поля и критического тока, механических свойств и химической стабильности сверхпроводникового материала…	Эшниязов, Олим Исмоилович	1993
Создание и фотоэлектрические свойства структур на основе CuJnSe2 В большинстве полупроводниковых материалов, используемых при изготовлении эффективных солнечных фотопреобразователей, коэффициент оптического поглощения в спектральном диапазоне излучения Солнца достигает столь высоких значений, что глубина его поглощения не выходит за пределы нескольких микрометров, тогда как толщины массивных кристаллических…	Магомедов, Мурад Алиевич	1993
Спектрально-кинетические свойства кристаллов разупорядоченного кальций-ниобий-галлиевого граната с Cr3+, Tm3+, Ho3+ и ИК лазеры на их основе Монокристаллы со структурой граната, активированные ТИ-34 иона ми, широко используются в качестве активных сред твердотельных ла • зеров. На основе кристалла иттрий-алюминиевого граната с неодимом ИАГ-1М3+ (А.Г0Н =1.06 мкм) созданы импульсные и непрерывные. лазеры для использования в медицине, связи а также для различных тех нических применений…	Рябочкина, Полина Анатольевна	1993