Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Карбид кремния, легированный алюминием, и его использование в высокотемпературных полупроводниковых приборах и керамических нагревательных элементах Поскольку класс примесей, пригодных для создания р-п-пе-реходов в карбиде кремния ограничен, то для создания необходимых структур выбран алюминий, как акцептор с наименьшей энергией активапии. Наличие широкого класса технических порошков карбида кренния. легированных алюминием, представляет возможности их использования в электротехнических…	Растегаев, Владимир Петрович	1993
Кинетика неравновесных фононов в диэлектрических материалах с высокой концентрацией дефектов структуры Кроме того, в основе многих физических явлений в таких материалах лежат особенности кинетики акустических фононов, обусловленные несовершенством кристаллической структуры, поскольку фононы взаимодействуют практически со всеми типами дефектов и элементарных возбуждений в решетке кристалла Ш. Известно, что простейший вид дефекта - дефект массы…	Хазанов, Ефим Наумович	1993
Кислород в сульфиде кадмия и его влияние на оптические свойства Сульфид кадмия традиционно считается одним из наиболее перспективных материалов оптоэлектроники. В настоящее время он находит широкое применение в производстве фотоприемников, лазеров, светодиодов, люминесцентных и лазерных экранов, других средств индикации. Ведутся разработки по созданию на основе сульфида кадмия датчиков регистрации излучения и…	Морозов, Александр Владимирович	1993
Контактные явления в структурах металл-аморфный гидрогенизированный кремний Поиск нетрадиционных материалов для элементов твердотельной электроники привел к открытию и бурному развитию физики неупорядоченных полупроводников. Наиболее перспективным в приборном применении из этого класса полупроводников является аморфный гидрогенизированный кремний (a-Si:Н). Перспективность обусловлена применением при его получении…	Вишняков, Николай Владимирович	1993
Кристаллизация в системе InP-In0.53Oa0.47As с участием примесей Mn, Re и разработка приборов на основе данной системы Впервые экспериментально исследовано поведение переходного элемента - рэния в системе 1лР-1пБаАс. Показано, что введение рения в раствор- расплав при кристаллизации твердых растворов…	Карлина, Людмила Борисовна	1993
Кулоновские состояния дырок в кубических полупроводниках Апробация работы. Основные результаты работы докладывались э Всесоюзной конференции по фотоэлектрическим явлениям в элупроводниках (Ташкент, 1ЭЗЭ); Всесоюзном совещании по теории г/лупроводников (Донецк, 1939); 4-ой Международной конференции по эмпыотерной алгебре и ее применению в физических исследованиях…	Галиев, Вячеслав Исмаилович	1993
Люмiнесценцiя та теплове випромiнювання напiвпровiдникових структур на основi InSb Ta Ge Актуальн1сть теми. Широке застосування нап!впров!дник1в в оптоелектронШ! та 1ифрачервон1й (14) техниц1 висувае на перший план задачу досл1дження 1х вилром!товальних властивостей…	Салюк, Ольга Юрьевна	1993
Люминесцентные, электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP В результате проведенных исследований даны рекомендации по выбору оптимальных технологических условий для достижения высокого внутреннего квантового выхода (=* 80+90Я) гетероструктур 1пБаАвР/1пР. Созданы эффективные светодиоды планарной и торцевой конструкции на длины волн 1,3 мкм и 1,55 мкм для волоконно-оптических линий связи…	Страхов, Валерий Александрович	1993
Люминесценция монокристаллов селенида цинка и излучающих структур на их основе В настоящее время наиболее исследованными являются сульфиды цинка и кадмия. Однако, значения ширины запрещенной зоны этих полупроводниковых материалов не являются наиболее оптимальными для целей создания источников излучения, перекрывающих весь видимый диапазон длин волн. В этом отношении более подходящим является се-ленид цинка, обладающий…	Баксман, Юрий Федорович	1993
Магнитные свойства неупорядоченных редкоземельных ферримагнетиков Одним из наиболее перспективных классов материалов для " записи- . Бающих сред являются аморфные, сплавы редкоземельных и переходных металлов. Широкий спектр уникальных свойств пленок аморфных сплавов Зс1-4Г элементов (достаточно . низкая температура Кюри - 50-300ЛС, значительная энергия перпендикулярной магнитной анизотропии, доста-. точно…	Сайко, Геннадий Владимирович	1993
Магнитные свойства редкоземельных ферритов-гранатов самария и европия, влияние смешивания мультиплетов Интенсивное изучение физических свойств магнитных материалов происходит уже в течение нескольких десятилетий. Во многом это обусловлено использованием данных материалов в устройствах современной техники. Весьма важными в научном и практическом отношении являются соединения f-й - типа, в состав которых входят редкоземельные (РЗ) элементы и элементы…	Дорофеев, Олег Александрович	1993
Метастабильность оптической поляризации ядерных моментов в легированном кремнии В свою очередь,било обнаружено, что при изменении спинового или зарядового состояния глубокие примесные дефекты в полупроводниках тунпелируют в решетка мезду положениями, характеризующимися различной симметрией. Вероятность тугашхлровашя цэнчра, определяемая величиной энергетического барьера между зарядовыми состояниями, шкет быть мала, что…	Половцев, Игорь Святославович	1993
Микроволновая спектроскопия высокотемпературных свехпроводящих металлооксидов Результаты исследований показали, что одним из основных направлений использования ВТСП материалов является техника СВЧ. В настоящее время созданы болометр, малогабаритный излучатель в СВЧ-диапазоне, микрополосковые линии передач, фильтр-ограничитель, компланарный модулятор СВЧ-сигнала, а также приборы с использованием эффекта Джозефсона…	Богачев, Сергей Викторович	1993
Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным спектром в сильном магнитном поле В разделе 2.1. дана технология приготовления ПС, основанная на голографической фотолитографии Сприменявшейся для засветки фоторезиста толщиной ~0.4 мкм излучением от гелий-кадмиевого или аргонового лазера с Х=441.6 или 488.0 нм, соответственно), с.последующим травлением поверхности гетероперехода на глубину 30...40 нм через решетчатую маску…	Руденко, Андрей Семенович	1993
Моделирование физических и физико-химических процессов, происходящих при изготовлении и деградации изделий из поликристаллического карбида кремния Карбид кремния широко применяется в электротехнике и электронике при изготовлении высоковольтных разрядников, нелинейных полупроводниковых сопротивлений и нагревателей. Проводятся интенсивные исследования, направленные на использование к карбида крем1П1я в качестве конструкционного матэриача в машиностроении и электронике. О ванной роли, которая…	Диалло Тьерно Ибрагим	1993
Модифiкацiя дефектноi структури та фотоелектричних властивостей твердих розчинiв ZnxCd1-xSe, CdxHg1-xTe при лазерному опромiненнi Актуальнють теми. Вивчення вплизу лазерного випрошнювання на дефектну структуру кап1впров1Лник1в е чзстиною фундаментальноI проблема взаемодн випромпюваяня з речовиноя. !нтерес до процес!з лазерного дефектоутворення викликанкй такох кеобх!ДН1стю з'ясування причин деградацП нап1впров!днкковях елемент1в лазерко1 техшкл 1 мо.тлив1стю використання…	Гнатюк, Владимир Анастасиевич	1993
Нелинейные и нестационарные акустоэлектронные явления в монокристаллическом сульфиде кадмия К числу не изученных акустоэлектрошшх явлений относились процессы, происходящие при нестационарной во времени электропроводности среды, в которой происходит акустоэлектронное взаимодействие, новыми для акустоэлегароники являлись уединенные сигналы, эксперименты с которыми оказались интересны не только с научной, но и с практической точки зрения…	Миргородский, Владимир Иванович	1993
Нерiвноватнi процесi в плавних гетероструктурах з рiзнодолинним переходом та градiентним легуванням АстуагсыЧсть ту та. Г!:рспектквнки шляхом створекня припад1в з ун!кальшад кошгавостяю! на осноз! нових ф1сцчних ефэхт!в с дос-я1дзвннд иатер1ал1з, влзстнбост! яких плавно зи1нЕГ)ться уздовн оаяого тл дек1кьхох иалряда1в. Серед таких матер1ал1в пров1дне М1сд0 ааЯкаоть гетероструктури э пямноо коордянатасо залежшсто складу твердого розчину…	Верховодов, Максим Петрович	1993
Неравновесные фотоэлектронные процессы в аморфном гидрированном кремнии Понимание механизмов физических процессов, связанных с электронно! и атомной подсистемами в акор^ягг гидрированных полупроводниках, отстает от успехов, достигнутых в оиластя их ис • пользования в электтюнт'ке и гелкоэнэргетике. Это связано с рядом специфических особ9Шостзй, присущих дащшм материалам, а имение, - высокой-чувствительностью их…	Казанский, Андрей Георгиевич	1993
Нестационарные электронные процессы в сверхвысокочастотных полупроводниковых структурах Умаэышш размеров активны? областей в повышение частота приводят' к изменению характера переноса зарядов з пол5;*роводни-оенх структурах. Во-первых, малые размеры структур требуют учета дакания носителей по.крайней мера по двум координатам. Заявим такта является учет пространственной неоднооодноста профиля легирования. Во-вторах, сокращение…	Павлов, Георгий Павлович	1993