Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ. А1стуальн1сть теми. Монокрисгалм н1обату л1т1ю 1АШЭ3 1 парателур1-ту а-ТеОя завдяки сво1м ун1кальним ф1зичним властивостям широко вюсористовуються в науц1 1 техн1ц1 : в акусто- 1 електрооптичних присгроях, п'езоперетворювачах, в тому чмсл1, в ф1лътрах на повер-хневих акустичних хвилях, як дефлектори 1 модулятори в…

Ионно- лучевая модификация твердых теп является быстро развивающимся метопом создания момнх материалов. В минроэлентронине данный метоп обычно применяется лля легирования полупроводниковых материалов. Однано н последние годы он все чаше начинает использоваться для ионного синтеза различных химических соединений…

Кр:1?ер:з1 устойчивости к неустойчивости однородного распределения поля в кристалле с ОДП, выведенные и экспериментально подтвержденные для случая воздействия на образец постоянного напряжения и переменного напряжения от внешнего псточннка СВЧ колебаний, остаются в силе, когда переменное ¡пряжение возникает на образце за счет автоколебаний в…

Актуальяосг_ь_те^ы. Развитие волоконно-оптических систем связи и техникл СВЧ потребовало создания сложных полупроводниковых приборов, оптимизированных для работы в различных спектральных диапазонах. Это привело к интенсивному исследованию технологии получения эпитаксиальных слоев и многослойных структур на основе различных бинарных соединений и…

Особое место, среди аморфатх полупроводников, занимают аморфшйТ-гидрированный . кремний. (a-Sl:H) и сплавы на его основе. Главным моментом, спредэливэим развитие интереса к этому классу материалов, явилась возможность значительно уменьши» концентрацию внутренних дефектов пассивацией их водородом в процессе роста пленок. Исследования, выполненные в…

Широкозонные полупроводники типа А^Вд обладают хорошими оптическими и фотоэлектрическими свойствами,ситьно ., зависящими от дефектности структуры, которыми удается управлять в определенных пределах в зависимости от концентрации чу&еродных примесей и собствешисс д^ЬектоБ структуры, от степени их компенсации, от их рассположе- . ния, ориентации в…

НАУЧНАЯ НОВИЗНА. Исследовано пространственное распределение по кремниевой пластине величин поверхностного изгиба зон Уз , эффективного времени жизни X и проведено их сравнение с плотностью распределения структурных нарушений, выявленных позднее травлением пластин в селективных иравителях. Установлено шесть характерных видов распределений…

Характерной чертой полупроводниковых материалов является их структурная чувствительность. Именно поэтому этапы развития твердотельной электроники соответствуют этапам развития исследований влияния структуры полупроводников на свойства приборов…

С помощью комбинационного рассеяния света можно определить многие фундаментальные параметры динамической системы: энергию, времд жизни, симметрию колебательных состояний. Частота и полуширина спектральных линий несет информацию о напряжениях, плотности дислокаций и разупорядоченности образующих сверхрешетку полупроводниковых материалов. Применение…

На всех стадиях производства полупроводниковых приборов неотъемлемым элементом технологического цикла, очевидно, должно быть диагностирование параметров, определяющих функционирование прибора. Основой большинства п/п приборов различного назначения служит р-п переход. Самым широко используемым материалом в микроэлектронике в настоящее время и в…

Объектом исследования являются аморфные гидрогенизированные сплавы "'о - ¿>2_К0Х:Н рс всей диапазоне изменения X от 0 до I, то есть включены однокомпонентные материалы а - и…

В последнее .время возрос интерес к исследованию электронных свойств протяженных дефектов, из-за их важности в процессах 'рекомбинации [Ли, генерирования примесей [Л2] и в работе полупроводниковых приборов СЛЗ…

С середины шестидесятых годов стали развиваться полупроводниковые лазера на основе твердых растворов соединений 17-УХ. груш (соединений свинца-олова о серой,оаленом.таллурои)-.полупроводников с узкой запрещенной зоной (Е^ к 0,3 эВ).позволившие перекрыть широкий диапазон инфракрасного (ИК) спектра 3-50 ккм. ,Такие лазеры явились базой дан.развития…

В связи с этим представляется актуальным проведение экспериментальных исследований особенностей процессов происходящих в МДП-приборах при внепкта воздействиях…

Для указанных выше задач требуются высокоэффективные фотодетекторы, которые должны удовлетворять ряду требований: -иметь высокую чувствительность в заданном спектральном дияпавонв -обладать высоким быстродействием или произведением коэффициента усиления на ширину полосы пропускания, -иметь минимальные шумы в необходимой полоса частот. Этим…

Основная цоль настояцей работы заключалась в разработки технологии РИТ полупроводниковых соединения А3В6 для создания различных элементов оптоэлектронных приборов, в ¡астности. лаззрных диодов. Для этого' предполагалось создание диагностического коми лекса для исследования газового разряда и его взаимодействия с поверхностью образцоь и деталями…

Требование невысокой стоимости заключает в себе противоречие. Приборы с невысокой стоимостью невозможно изготовить на очень совершенных материалах, потому что такие материалы являются дорогими. Требование невысокой стоимости влечет за собой структурное несовершенство большинства типов используемого кремния…

На сегодняшний день базовым способом получения полупроводникоЕнх прибороЕ на основе А3В5 в промышленной 1ехнологии массового производства является шдкофазная эштаксия ■ (Ш). При создашь различных типов пр/боров мккро- и оптозлектроники, особенно основанных на структурах о кваятоворазмэршми слоями (таэдшы активных слоев в десятки нанометров и…

Поликристаллический кремний в настоящее время выдвигается в число наиболее перспективных материалов твердотельной электроники и находит широкое применение в производстве полупроводниковых приборов (интегральных транзисторов, диодов, резисторов, фотоэлементов). Выбор в качестве объекта исследований поликремния представляется обоснованным, так как…

Когда распространение излучения идет в атмосфере, предстанет интерес не весь ИК диапазон спектра, а только те его уча, которые приходятся на прозрачные области ("окна") атмос-?ы…