Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, содержащего дислокации и радиационные дефекты Исследование взаимодействия дислокаций с точечными дефектами является одной из актуальных проблем физики 'полупроводников. Это связано с разнообразием технологических приемов, применяемых при создании различных полупроводниковых структур, а также с влиянием дислокаций и точечных дефектов на электрофизические и оптические свойства полупроводников…	Мельникова, Елена Витальевна	1993
Одержання та фiзичнi властивостi легованих епiтаксiйних шарiв телуридiв свинцо-олова-германiю Актуальнхоть теми. Сполуки типу А4Вб та твердх роэчини на IX основ! анаходять широке застосування при створоннх ефективних фотоприймачхв та шпромгнювачгв, як1 працюють в тнфрачервоному дгапазонг спектру олектромагнхтного випром1нк>Еання. Великий на-уковмй 1нтерес до твердих розчин!в цього класу обумовлений тим, що тх елактроф1зичнх, оптичм та…	Водопьянов, Владимир Николаевич	1993
Оптическая спектроскопия подзон размерного квантования в двумерном электронном слое на поверхности кремния Одним из наиболее удобных объектов, которые используются для исследования свойств двумерного электронного газа«является структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структура). При прило-аении электрического напряжения между затвором и подложкой МДГ1-структуры на поверхности кремния формируется потенциальная яма для электронов. В результате…	Козлов, Андрей Александрович	1993
Оптические и магнитооптические явления вбилизи края поглощения и параметры зоны кубических халькогенидов кадмия и цинка В работе выполнено комплексное исследование края оптического поглощения трех халькогенидов кадмия и цинка - Сс)Тв, 2пТе, глве, кристаллизующихся в кубической структуре цинковой обманки (сфалерита…	Алиев, Газимагомед Набиевич	1993
Оптические свойства магнитоупорядоченных кристаллов Частота резонансного поглощения для простого двухподрс-иеточного антиферромзгнетика, которая зависит от параметра обменного взаимодействия и постоянной анизотропии, двухкратно вырождена. Эта частота* как правило, попадает в миллиметровок и субииллнаетрогой диапазон, причем постоянным магнитный полай можно снять вырождение ее и смещать кзкдую из…	Абдуллаев, Мамед Нуру оглы	1993
Особенности переноса заряда в полупроводниках с сильноанизотропной кристаллической структурой TiSe и InSe при низких температурах Если слоистым полупроводникам в указанном выше аспекте уделялось и уделяется значительное внимание, кристаллы с цепочечной структурой изучены существенно менее подробно. Анализ имевшихся данных но позволяет делать каких-либо определенных вызодоз относительно особенностей электронных свойств селени-да таллил, связанных со спецификой его…	Сардарлы, Арзу Джаваншир оглы	1993
Парамагнитные дефекты в аморфизованных алмазе и кремнии Поскольку кремний в настоящее время является самым изученным материалом, относится к такому же типу, как и алмаз,_ то и сопоставление свойств кремния и алмаза дает по принципу аналогий дополнительную возможность 'для ^установления механизмов образования структурных нарушений. Это является важным, например, для прогнозирования основных…	Пенина, Наталья Михайловна	1993
Переходные прыжковые процессы в неупорядоченных органических полупроводниках Из-за малой величины тэмновой проводимости ньденаа -..ьрчьс-ч-в НОП изучают, создавая носители заряда о жмющы) вкетздц 20с• действий. При этом отклонения от равноаосггл могут и стандартные методы анализа, развитые для состонниЗ, {шзкяг н термодинамически равновесным, неприменим:;, Нсшшкм ^иИлюг,«-нием при описании переходных прыжков…	Плохин, Александр Владимирович	1993
Плiвки Ленгмюра-Блоджетт жирних кислот i фталiцiанiнiв на напiвпровiдниках: технология виготовлення, структура та деякi електроннi властивостi Тенденції розвитку сучасної мікроелектроніки полягають у збільшенні інформаційної ємності НВІС та зменшенні розмірів їх елементів. Однак, існуючі фізичні та технологічні обмеження розмірів елементів в сучасній напівпровідниковій мікро’електронщі стимулюють пошук нових альтернативних шляхів електронного приладобудування надмалих розмірів…	Казанцева, Зоя Ивановна	1993
Поведение анодного оксида алюминия в условиях радиационного облучения В последнее время в связи с развитием вакуумных и плазменных технологий появилась возможность использования нового метода нанесения покрытий, а так»» усовершенствовать уже известные. Изучение физических характеристик зтих материалов, а такав исследование поведения зтих материалов в конкретных условиях эксплуатации является актуальной задачей…	Демчук, Виктор Александрович	1993
Полиморфизм в ионных и молекулярных кристаллах В твердых телах но отдельным или совнестнш воздействием температуры. давления и т. д. могут происходить различило структурные изменения, такие как полиморфные превращения, рекристаллизации, распад твердых растворов, тсрническая деструкция, полимеризация, упорядочение. которые приводят к коренному изменению важных Физических и механических свойств…	Насиров, Вагиф Ибад оглы	1993
Получение и исследование керамики на основе карбида кремния Одной'из принципиальных возможностей создания узкозонных полупроводниковых материалов является получение твердых растворов между полупроводниксм и полуметаллом, или полупроводником и металлом. В этой связи представляет большой интерес исследование систем карбид кремния-карбида переходных металлов, и в частности системы SlC - М8С , $>iC-TLC. , SlC…	Шабанов, Шабан Шафиевич	1993
Применение лазера на алюмоиттриевом гранате в технологических процесса обработки конструкционной керамики Структура и о5ъ» /л-ссзртзшг'. Диссертанта состоит кз в&зденкя, четкрс-х r-'этз, ёйЗ^мята^лк з пгрплсжзкля ; ягясязяа 32 2^9 стрг'-ана;;. зкл^чял "О "лзу^коз, 25 тзР^пгц л список пятзрузкои литерззуры, содергзт:::- .131 кзилзлоазнлз…	Юсупов, Зайнулла Факилевич	1993
Проблемы теории электронных свойств облученных кристаллических и стеклообразных полупроводников Используемые традиционные методы управления параметрами твердотельных систем, основанные на высокотемпературных процессах легирования и выращивания полупроводниковых материалов ограничивают возможности современной электроники. Эта проблема в настоящее время, в значительной степени, решается путем управления свойствами материалов и приборов на их…	Ясковец, Иван Иванович	1993
Провiднiсть МГДН структур з основними носiями заряду В дашй! час структури мэтал - тунельно прозорий д!ел5ктрик -нап!впров1дник (ЖДН) широко використовукггься у технЩ!: в перот-воргоачах сонячно! енергп в електричну, залам'ятовувчих елемен-тах, (ЛТДН перемикачах, приладах функшонально! м1кроелектрон!хи, фотодетекторах. Вивчення МГДН структур дае 1нформац1х> про власти-бост! границь шд!лу…	Петрусенко, Виталий Николаевич	1993
Процеси механiчноi релаксацii в склоподiбних сульфiдах i селенiдах миш'яку Серед хсн найС1льш повно вивчен1 сплави б1нарних систем Аэ-Б . та Ая-Ве.якл е базовими для отримання б1льш_с1«ладаих накристал!чних нап1влров1дник1в.Досл1да!9ння стекол Ав„Б(8е)100_ш методами КР та 14 спектроскоп!1,рентгеиоструктурногс анал!зу дозволили виявити деяк! риси пол1керност! !х будови.тому подальше !х доел!дкення необх1дне для з…	Биланич, Виталий Степанович	1993
Процеси формування тонких дiелектричных та приповерхневих напiвпровiдникових шарiв у кремнiевих структурах при нерiвноважних впливах У багатьех вгаздкзх im".! перЬмювг^пг/х В1дпалах значну. роль у перетворенн! ф!зичяих шкгстаостея в-йШ-раятъ процос-л рздЬтлко! стлчуляци та г1дроген1зац11> Введения водню в матёр!ал п!д час. глдрогайзацН пр-.пзвэд;ггь до -зя!ви його фуэдачеяталыстс $isimnx влаетивостеа: шйр!ти .заборонено!' зони . i. пбложеннй.;глкбоюй piBHis дефекПв; у…	Назаров, Алексей Николаевич	1993
Проявление среднего диэлектрического порядка в оптических и туннельных характеристиках сверхпроводников В результатах многочисленных экспериментов по туннельной и оптической спектроскопии ВТСП (см., например, £~4-7_7) имеется ряд существенных расхождений с предсказаниями "классической" тео…	Исмагилов, Альберт Марсович	1993
Пьезоэлектрические характеристики многокомпонентных микронеоднородных текстурированных материалов Практика показывает, что комбинируя материалы, составлявшие многокомпонентный поликристалл, и способы их чередования в пространстве, в большинстве случаев удается добиться свойств, необходимых для того или иного конкретного применения. При этом приходится учитывать, что улучшение одних свойств как правило сопровождается ухудшением других…	Яковлев, Виктор Борисович	1993
Радиационное повреждение и модифицирование структуры и свойств оксидных диэлектриков при воздействии больших доз облучения Другими актуальными проблемами Р5ЦЦ яеляктся исследования: особенностей фазовых переходов ($Ш, индуцированных высокознергети-ческголи частицами; радиационных эффектов в кристаллических и аморфных веществах; эффектов больших доз в диэлектриках; максимально чувствительных к радиации оксидных материалов для твердотельной дозиметрии…	Абдулкадырова, Изида Хамедовна	1993