Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников
Код ВАК 01.04.10Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Энергетический спектр и кинетические свойства электронов в тонких полупроводниковых приповерхностных слоях и пленках
Актуальн1сть теми. Вивчення к!нетичшпс явщ - один 1з основнюс напрямк1в ф!зики нап1впров!дник1в на всЬс етапах II розвитку. Такия стан обумовленкй там. що електричн! та опги-чн1 метода досл1ди/.ень дають важливу 1нформац1ю про структуру I властивост! нап1впров!дник1в. Практичне використання.на-П1впроБ1дникових натер!ал1в в технлд! (м 1кроелектрон… |
Прима, Нина Аркадьевна | 1994 |
Эффект переключения в оксидах переходных металлов
Перспективными материалами, с точки зрения использования их в различных областях техники, являются оксиды переходных металлов. Переходные металлы, проявляя переменную валентность в соединениях с кислородом, образуют, как правило, целый ряд оксидов, обладающих широким спектром физических свойств. В частности, по типу проводимости эти вещества могут… |
Пергамент, Александр Лионович | 1994 |
Эффекты анизотропии в оптических спектрах слоистых полупроводников группы А4В6
С ОДНОЙ стороны СЛОИСТЫО ПОЛуПрОВОДНМКН груша-1 д'Ьз? иредстсвляш- ккчерзс как кристаллы е сильной аниьотропшп фивнчаскнх саоПств. С другой стороны ооуиэсталйнно эшмсн голограмм на оотоипйзкшх поверхностях скола, оСдаруэкэнш структурных фаусшд лоруходоа, а4'(-вхтс»и шрэклмчуи-яя н электркчаскоп памяти, стимулировало неслздоьшния 'злзктричес-1*лх… |
Кулибеков, Айдын Микаил оглы | 1994 |
Эффекты взаимодействия электромагнитных волн в кристаллах со структурой халькопирита
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальд1сть_робдти. Р1зясман1тя1стъ оптичних властивостей то7 та !нто1 сполуки визначаеться в к!нцевому рахунку явищами взасмодН падаючопо електромагн1тного вштром1нювання з твердим т!лом. 3 другого боку, досл!дкення них явит е дкерелом ваяливо! 1нформац11 про структуру енергвтичних зон кристалгчних сполук, про… |
Сусликов, Леонид Михайлович | 1994 |
Эффекты кулоновского взаимодействия в низкотемпературной электронной кинетике нейтронно-легированного Ge: Ga
В то же время М.Поллаком с соавторами в ряде работ (см., например, [3]) высказывалась идея о том, что при некоторых условиях многоэлектронные коррелированные прыжки могли бы оказаться энергетически более выгодными по сравнению с одноэлектронными. Сложность теоретического описания, связанная с многоэлектронностыо задачи, не позволяла построить… |
Андреев, Антон Георгиевич | 1994 |
Эффекты междолинного смешивания в полупроводниковых гетероструктурах
Успехи технологии, в особенности молекулярно-пучковой и металл-органической эпитаксии, создали основу для получен I высококачественных гетеропереходов — границы двух полупроводниковых материалов с малой концентрацией дефектов (островков, ступеней и т.п.). Оказалось возможным выращивать столь тонкие слои полупроводников, что эффекты размерного… |
Киселев, Андрей Анатольевич | 1994 |
Эффекты, связанные с проскальзыванием фазы волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике TaS3
Волна зарядовой плотности - особое состояние твердого тела, [ри котором происходит конденсация электронов в V.-,лл^ктипноё юстояние с обсазоплкк^м пай^рлсоьской Щоли б спектре юзбуждений. При этом возникает ряд необычных свойств, :овмещающих черты как сверхпроводников, так и полупроводников… |
Покровский, Вадим Ярославович | 1994 |
Автоматизированная система для бесконтактного контроля электрофизических параметров полупроводников и исследование процессов рекомбинации носителей заряда в поликремнии
С другой стороны., величина потенциального барьера зависит от уровня фотовозбуждения, что приводит к существенно неэкспоненциальному ходу релаксации фотопроводимости. Процессы рекомбинации носителей заряда в таких условиях во многом не изучены. В этой связи особое значение приобретает разработка методов и экспериментальные исследования поведения… |
Диалло Амаду Диухе | 1993 |
Акустическая эмиссия электроизоляционной и токопроводящей керамики
Методы исследований. Для достижения поставленной пели использованы экспериментальные методы исследования процесса наког ления повреждения п частности разрушения : акустический, фрак-тографический и др., а при анализе результатов использованы методы математической статистики… |
Никольская, Татьяна Сергеевна | 1993 |
Анизотропия оптических и фотоэлектрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников
Для современного этапа развития полупроводниковой электроники, ■ особенности оптоэльктроники, характерно асе пение физическим явлений, происходящих а полупроводниковых материалах со сложным химическим составом и в лолупраыодникзпых структурах с комбинацией тонких слоев или сверх'решиток. Это относится не только к кремниевым, структурам с… |
Медведкин, Геннадий Александрович | 1993 |
Взаимодействие спиновых, упругих и электромагнитных волн в геликоидальных и многоподрешеточных магнетиках
К настоящему времени хорошо исследован целый ряд статических и■динамических эффектов, обусловленных МУ взаимодействием. К ним относятся, например, эффект магнитострикции, заключающийся в деформации кристалла при изменении его намагниченности; эффект "магнитоупругой щели", связанный с влиянием упругой подсистемы на магнитную /I/. В динамике МУ… |
Бычков, Игорь Валерьевич | 1993 |
Власнi дефекти у сполуках А2В6, одержаних методом радiкало-променевоi епiтаксii
У даний час стає все очевиднішим, що вся різноманітність оптичних і електричних властивостей спеціально нелігонаних бінарних сполук. А4В* визначається складом і структурой власних вролх-ни:; дефектів решітки… |
Кидалов, Валерий Витальевич | 1993 |
Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники
В последнее время наметался интерес к такому воздействию, как обработка полупроводниковых материалов и структур всесторонним давлонием при температурах от комнатное до диффузионной. Это воздействие моягат быть обратимым, когда свойства материала восстанавливаются при снятии давления, или необратимым. Обратимое воздействие давления на… |
Васин, Александр Сергеевич | 1993 |
Влияние легирования селеном на рост. структуру и свойства монокристаллов теллура
При определении услоь!й выращивания и выбора способа получения кристаллов за основу были взяты данные, полученные для чистого теллура, а при анализе свойств твердых растворов Те1_хБех проводилось сравнение с чистым теллуром, свойства которого достаточно хорошо изучены… |
Шульга, Наталья Константиновна | 1993 |
Влияние магнитного поля на процессы рождения экситонов в полярных полупроводниках
Поэтому актуально изучение процессов МРКРС комбинированного типа ( с участием и электронно-дырочных пар и экситонов/, Причем энергия экситонйз, участвующих в этих процессах,не превышает зне… |
Прохоров, Алексей Владимирович | 1993 |
Влияние одновременного действия разных силовых полей на молекулярную подвижность в полимерах
Являясь конструкционными материалами полимеры в реальных условиях эксплуатации подвергаются воздействию силовых (механических, электрических, магнитных) и температурных полей разной интенсивности. .При этом воздействие различных по характезру силовых полей на полимерные системы имеет как сходные, так и специфические черты. Феноменологическое… |
Потемкин, Александр Владимирович | 1993 |
Влияние точечных дефектов и концентрационных неоднородностей на свойства монокристаллических пленок магнитных гранатов
Высокая степень интеграции запоминающих и логических устройств на основе пленок магнитных гранатов предъявляет жесткие • требования к структурной однородности материала.Поэтому вопросы структурного совершенства тонких эпитаксиальных пленок и влияния условий выращивания на процессы формирования неоднород… |
Ткалич, Александр Константинович | 1993 |
Влияние электронного облучения и термообработки на свойства арсенида галлия n-типа
Условия облучения, в частности,температура образца в. процессе облучения оказывают существенное влияние на протекание процессов взаимодействия первичных радиационных дефектов <РД) с примесями и другими дефектами кристаллической решетки и формирование более сложных^дефектов, которые, в конечном итоге, определяют свойства материала. Систематические… |
Прохоренко, Татьяна Александровна | 1993 |
Внутренний фотоэффект и ударная ионизация в пленках a-Si1-x(GexC)x:H и TiAsGe2
Акту§№ность_твш.' В результате многочисленных теоретически:, экспериментальна и технологических исследований аморфные элупроводгники заняли весомое место в физике' и технике полупро… |
Кумеков, Марат Ешмухамбетович | 1993 |
Воздействие радиационных дефектов на диффузию фосфора в имплантированном кремнии
Ионная имплантация в настоящее время является основный технологическим приемом легирования полупроводников. Этому методу присущи высокая, в том числе и изотопная, чистота процесса, воспроизводимость по глубине и уровню легирования. Ионная имплантация позволяет создавать тонкие легированные слои с резким распределением примеси… |
Хаки Исмаиль Хаки Тахер | 1993 |