Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10
Тема работы Автор Год
Энергетический спектр и кинетические свойства электронов в тонких полупроводниковых приповерхностных слоях и пленках

Актуальн1сть теми. Вивчення к!нетичшпс явщ - один 1з основнюс напрямк1в ф!зики нап1впров!дник1в на всЬс етапах II розвитку. Такия стан обумовленкй там. що електричн! та опги-чн1 метода досл1ди/.ень дають важливу 1нформац1ю про структуру I властивост! нап1впров!дник1в. Практичне використання.на-П1впроБ1дникових натер!ал1в в технлд! (м 1кроелектрон…

Прима, Нина Аркадьевна 1994
Эффект переключения в оксидах переходных металлов

Перспективными материалами, с точки зрения использования их в различных областях техники, являются оксиды переходных металлов. Переходные металлы, проявляя переменную валентность в соединениях с кислородом, образуют, как правило, целый ряд оксидов, обладающих широким спектром физических свойств. В частности, по типу проводимости эти вещества могут…

Пергамент, Александр Лионович 1994
Эффекты анизотропии в оптических спектрах слоистых полупроводников группы А4В6

С ОДНОЙ стороны СЛОИСТЫО ПОЛуПрОВОДНМКН груша-1 д'Ьз? иредстсвляш- ккчерзс как кристаллы е сильной аниьотропшп фивнчаскнх саоПств. С другой стороны ооуиэсталйнно эшмсн голограмм на оотоипйзкшх поверхностях скола, оСдаруэкэнш структурных фаусшд лоруходоа, а4'(-вхтс»и шрэклмчуи-яя н электркчаскоп памяти, стимулировало неслздоьшния 'злзктричес-1*лх…

Кулибеков, Айдын Микаил оглы 1994
Эффекты взаимодействия электромагнитных волн в кристаллах со структурой халькопирита

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальд1сть_робдти. Р1зясман1тя1стъ оптичних властивостей то7 та !нто1 сполуки визначаеться в к!нцевому рахунку явищами взасмодН падаючопо електромагн1тного вштром1нювання з твердим т!лом. 3 другого боку, досл!дкення них явит е дкерелом ваяливо! 1нформац11 про структуру енергвтичних зон кристалгчних сполук, про…

Сусликов, Леонид Михайлович 1994
Эффекты кулоновского взаимодействия в низкотемпературной электронной кинетике нейтронно-легированного Ge: Ga

В то же время М.Поллаком с соавторами в ряде работ (см., например, [3]) высказывалась идея о том, что при некоторых условиях многоэлектронные коррелированные прыжки могли бы оказаться энергетически более выгодными по сравнению с одноэлектронными. Сложность теоретического описания, связанная с многоэлектронностыо задачи, не позволяла построить…

Андреев, Антон Георгиевич 1994
Эффекты междолинного смешивания в полупроводниковых гетероструктурах

Успехи технологии, в особенности молекулярно-пучковой и металл-органической эпитаксии, создали основу для получен I высококачественных гетеропереходов — границы двух полупроводниковых материалов с малой концентрацией дефектов (островков, ступеней и т.п.). Оказалось возможным выращивать столь тонкие слои полупроводников, что эффекты размерного…

Киселев, Андрей Анатольевич 1994
Эффекты, связанные с проскальзыванием фазы волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике TaS3

Волна зарядовой плотности - особое состояние твердого тела, [ри котором происходит конденсация электронов в V.-,лл^ктипноё юстояние с обсазоплкк^м пай^рлсоьской Щоли б спектре юзбуждений. При этом возникает ряд необычных свойств, :овмещающих черты как сверхпроводников, так и полупроводников…

Покровский, Вадим Ярославович 1994
Автоматизированная система для бесконтактного контроля электрофизических параметров полупроводников и исследование процессов рекомбинации носителей заряда в поликремнии

С другой стороны., величина потенциального барьера зависит от уровня фотовозбуждения, что приводит к существенно неэкспоненциальному ходу релаксации фотопроводимости. Процессы рекомбинации носителей заряда в таких условиях во многом не изучены. В этой связи особое значение приобретает разработка методов и экспериментальные исследования поведения…

Диалло Амаду Диухе 1993
Акустическая эмиссия электроизоляционной и токопроводящей керамики

Методы исследований. Для достижения поставленной пели использованы экспериментальные методы исследования процесса наког ления повреждения п частности разрушения : акустический, фрак-тографический и др., а при анализе результатов использованы методы математической статистики…

Никольская, Татьяна Сергеевна 1993
Анизотропия оптических и фотоэлектрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников

Для современного этапа развития полупроводниковой электроники, ■ особенности оптоэльктроники, характерно асе пение физическим явлений, происходящих а полупроводниковых материалах со сложным химическим составом и в лолупраыодникзпых структурах с комбинацией тонких слоев или сверх'решиток. Это относится не только к кремниевым, структурам с…

Медведкин, Геннадий Александрович 1993
Взаимодействие спиновых, упругих и электромагнитных волн в геликоидальных и многоподрешеточных магнетиках

К настоящему времени хорошо исследован целый ряд статических и■динамических эффектов, обусловленных МУ взаимодействием. К ним относятся, например, эффект магнитострикции, заключающийся в деформации кристалла при изменении его намагниченности; эффект "магнитоупругой щели", связанный с влиянием упругой подсистемы на магнитную /I/. В динамике МУ…

Бычков, Игорь Валерьевич 1993
Власнi дефекти у сполуках А2В6, одержаних методом радiкало-променевоi епiтаксii

У даний час стає все очевиднішим, що вся різноманітність оптичних і електричних властивостей спеціально нелігонаних бінарних сполук. А4В* визначається складом і структурой власних вролх-ни:; дефектів решітки…

Кидалов, Валерий Витальевич 1993
Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники

В последнее время наметался интерес к такому воздействию, как обработка полупроводниковых материалов и структур всесторонним давлонием при температурах от комнатное до диффузионной. Это воздействие моягат быть обратимым, когда свойства материала восстанавливаются при снятии давления, или необратимым. Обратимое воздействие давления на…

Васин, Александр Сергеевич 1993
Влияние легирования селеном на рост. структуру и свойства монокристаллов теллура

При определении услоь!й выращивания и выбора способа получения кристаллов за основу были взяты данные, полученные для чистого теллура, а при анализе свойств твердых растворов Те1_хБех проводилось сравнение с чистым теллуром, свойства которого достаточно хорошо изучены…

Шульга, Наталья Константиновна 1993
Влияние магнитного поля на процессы рождения экситонов в полярных полупроводниках

Поэтому актуально изучение процессов МРКРС комбинированного типа ( с участием и электронно-дырочных пар и экситонов/, Причем энергия экситонйз, участвующих в этих процессах,не превышает зне…

Прохоров, Алексей Владимирович 1993
Влияние одновременного действия разных силовых полей на молекулярную подвижность в полимерах

Являясь конструкционными материалами полимеры в реальных условиях эксплуатации подвергаются воздействию силовых (механических, электрических, магнитных) и температурных полей разной интенсивности. .При этом воздействие различных по характезру силовых полей на полимерные системы имеет как сходные, так и специфические черты. Феноменологическое…

Потемкин, Александр Владимирович 1993
Влияние точечных дефектов и концентрационных неоднородностей на свойства монокристаллических пленок магнитных гранатов

Высокая степень интеграции запоминающих и логических устройств на основе пленок магнитных гранатов предъявляет жесткие • требования к структурной однородности материала.Поэтому вопросы структурного совершенства тонких эпитаксиальных пленок и влияния условий выращивания на процессы формирования неоднород…

Ткалич, Александр Константинович 1993
Влияние электронного облучения и термообработки на свойства арсенида галлия n-типа

Условия облучения, в частности,температура образца в. процессе облучения оказывают существенное влияние на протекание процессов взаимодействия первичных радиационных дефектов <РД) с примесями и другими дефектами кристаллической решетки и формирование более сложных^дефектов, которые, в конечном итоге, определяют свойства материала. Систематические…

Прохоренко, Татьяна Александровна 1993
Внутренний фотоэффект и ударная ионизация в пленках a-Si1-x(GexC)x:H и TiAsGe2

Акту§№ность_твш.' В результате многочисленных теоретически:, экспериментальна и технологических исследований аморфные элупроводгники заняли весомое место в физике' и технике полупро…

Кумеков, Марат Ешмухамбетович 1993
Воздействие радиационных дефектов на диффузию фосфора в имплантированном кремнии

Ионная имплантация в настоящее время является основный технологическим приемом легирования полупроводников. Этому методу присущи высокая, в том числе и изотопная, чистота процесса, воспроизводимость по глубине и уровню легирования. Ионная имплантация позволяет создавать тонкие легированные слои с резким распределением примеси…

Хаки Исмаиль Хаки Тахер 1993