Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Термоэлектрические явления и электропроводность в полупроводниковых субмикронных слоях Актуалыпсть роботи. ■ Одна is спостережуваних тендешцй сучасно! м1кроелектрон1Ки поЯягзе в мШатюриэацП pisHoro роду нал1впров1дникових пристригв та використанш в зв'язку а цим тонких нап1впров1дникових mapiB. В даний час р1вень роз-витку технологи тонких шавок дозволяв довести íx товщини до десятих долей м1крона.Через те, що в типових…	Логвинов, Георгий Николаевич	1994
Тонкая структура спектров рекомбинационнного излучения экситонов, связанных на изоэлектронных центрах в кремнии Эффективными методами исследования, позволяющими с высокой костью определять структуру энергетических состояний дефектных шлексов (в том числе содержащих в своем составе водород) 1яются спектроскопические измерения, в том числе фотолюми-;ценция, возникающая при рекомбинации связанных на центре жтрона и дырки. При этом каждому комплексу…	Лавров, Эдуард Владимирович	1994
Тонкая структура спектров рекомбинационного излучения экситонов, связанных на изоэлектронных центрах в кремнии Эффективными методами исследования, позволяющими с высокой эчностью определять структуру энергетических состояний дефектных эмплексов (в том числе содержащих в своем составе водород) вляются спектроскопические измерения, в том числе фотолтаи-зсценция, возникающая при рекомбинации связанных на центре лектрона и дырки. При этом каждому комплексу…	Лавров, Эдуард Владимирович	1994
Упорядочение и электронные особенности кристаллов In4Se3 Актуальн1сть те;,ж. Досягнення в облает! нап!впров!цниково! електрон1ки стимулгоаля прискорензй розвитск ф!зики ннзькороз-м!рних систем. Усшхом було створенкя штучних надструктур, пер!од якях коливаеться в!д одного до десяти нанометр!в…	Демкив, Тарас Михайлович	1994
Физические основы методов быстрого ядерного анализа твердого тела и модификации свойств полупроводников ионами повышенной энергии Использование пучков ускоренных ионов для решения прикладных задач физики полупроводников и диэлектриков - совершенствования существующих и разработки новых технологий изготовления элементов опто- и микроэлектроники - определяет наивысшие достижения в этой области с точки зрения как сложности и многофункциональности производимых микросхем, так и…	Урманов, Александр Рифатович	1994
Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) Исследования атомарно-тадкой поверхности н физики послойного роста имеют самостоятельное научное значение; в то же время, такие исследования способствуют быстрому развитию технологии МПЭ. Важной темой является установление связи между состоянием поверхности полупроводника во время роста и приборным качеством выращенных слоев…	Фокин, Георгий Анатольевич	1994
Флуктуационные процессы на границах раздела зерен и в поликристаллах кремния Сейчас использование поликристаллического кремния проводится так широко, что уже невозможно оставлять в стороне проблему определения характеристик электрического шума в нем, исследования природы процессов, которые определяют флуктуации его электрических параметров, поиск путей снижения шума в этих элементах и приборах электроники. Кроме того…	Ткаченко, Николай Николаевич	1994
Формирование слоев n-типа проводимости при радиационно-термических обработках кристаллов p-Cd x Hq1-x Te Актульной проблемой является создание на материале р-типа многоэлементных фотоприемников с высокой степенью интеграции, что возможно только с помощью радиационно-термических методов, позволяющих контролируемо управлять глубиной залегания ГЪР перехода, однородностью и уровнем легирования полупроводника в локальных областях поверхности. Формирование…	Талипов, Нияз Хатимович	1994
Фотолюминесценция легированных кристаллов антимонида индия и двойных гетероструктур CaSb - IcAs - GaSb Исследования рекомбкнационного излучения дают возможность получать данные с генной структуре полупроводника, механизмах рекомбинации и т.п. В то ке вре«я данных о фотолюминесценции ле-гироьанкых кристаллов ахтимонида индия немного, что обусловлено очень слабой интенсивностью рекембикационного излучения. В час-.т-ности. 8 литературе имеются данные…	Куренкеев Бердалы Турдалы-улы	1994
Фотопреобразователи на основе кремния с использованием прозрачных проводящих оксидов Основной причиной ограниченного использования фотопреобразователей [ФШ являотся их высокая стоимость, определяемая, главным образом, ценол и показателями качества испсцльзуемого кремния, который г» настоящоо оромя остается основным полупроводниковым материалом, применяемым для этих цолоя…	Нечипоренко, Юрий Леонидович	1994
Фотопроводимость аморфных молекулярныхполупроводников в области поглощения комплексов с переносом заряда и соединений с внутримолекулярным переносом заряда В дксертацП вхкладэно основн! результата, одэркзн! автором, досл!даень фотоф1зкчних властивостей эморфних колэкулярних нап1в-пров!дник!в (АМН). АМН являшъ собою тверд! розчини орган!чиих молэкул 1 в загальному випадку складаються з 4 компонент: молэкул донора з порIвеяно низысии потенц1алои 1он1зац11; молекул акцептора з пор!вняно великим…	Давиденко, Николай Александрович	1994
Фотостимулированные оптические явления в материалах интегральной и волоконной оптики В настоящее время экспериментальные данные по оптическому , поглощению в неупорядоченных полупроводниках чаще всего интерпретируются в рамках модели многократного захвата носителей на локализованные состояния. Однако, надёжно установлено, что процессы релаксации генерированных неравновесных носителей в неупорядоченных, полупроводгшках з течение…	Емельянова, Евгения Васильевна	1994
Электрические и фотоэлектрические качества монокристаллов и тонких пленок антимонидов индия и кадмия Вшишве Miene » ф1йищ натвпров1дш<к1в еаймають локал1воваи1 иш, як! внаходятьоя на вначних в1дстанях В1д RpalB доаволених ). Проблема глибоких центр)в t ГЦ) в теоретичном/ план1 влобоцея-1 аараэ, неавалаг/чи на наявк(етб значно! (ШькссП метод 1 в 1х пл(дження. Роль глибиких р!вн1в необ.лдно враховувати .при :1Л1а) електричних, опткчннх…	Божко, Владимир Васильевич	1994
Электрические и фотоэлектрические процессы в p-n, МОП фотопреобразовательных GaP, InP, AlSb в структурах Следует также отметать.что хотя многие, вопросы.касаадиеся создания и .функционирования МОГГ структур', на основе бэ.51,6аАз,успешна ресены, и ряд приборов: выпускается серийно, р-п и ИОЛ структуры 1пР,Л13Ъ и боР. в этсм плане, остаятся мало изученными. Такая информация вообээ отсутствовала в 'откооении АГБЬ. Недостаточно исследовались процессы…	Газаков, Овезуглы	1994
Электродинамика ультратонких пленок Актуальн1сть тени. 1нтерес до тонких пл1вок, со -икликаний розвктксм мхкроелектрон 1ки, х1м1ч:-:нх тэ ф1зико-х1м1чних технология призз!з до ззродкенкя нового напрякку з ф'.зиц1 Ф1зики тонких пл1вок Ш. Одним з каЯ2аж.лив1пих $актор1з, ¡до стимуле рсзвитск дослЩяекь поверх:-:! та кизьксрсз.ч^рни:: систем з тенденция до м1н1зтюр;<ззц11 електронних…	Барьяхтар, Ирина Викторовна	1994
Электронные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах В последующие годы проводились исследования методов полу-ия и свойств тонкопленочных излучателей- Эти исследования дстаьляли большой научный интерес, так как многослойные сво-злучающие устройства являлись уникальным объектом для изучз-природы центров свечения, механизма Электроисминзсцзнцпп и зктов, связанных с сихьншйГэяекирическкш! поля?"! и…	Самохвалов, Михаил Константинович	1994
Электротранспортные и дипольные свойства пленок Ленгмюра-Блоджетт некоторых амфифильных соединений Протягом останнього десятирШчя ушрадковзн! нолекулярн1 Пл1еки Ленгмюра-Блодиет (ЛЛБ) сгають об'ектом дедал1 1лтенсивн1инх ф1этпих доел 1джень. Дв1 осноен! тенденцП сумовлюють розвиток у цьому напрямку. Перша - це досд1днення ПЛБ а метоп створения елемантно! бази молекудярно! елактренж"; 1иша - вюсористання ПЛБ як унЗкальних модельних об'скт1в для…	Лаврик, Николай Владимирович	1994
Электрофизические процессы в пленках магнитного полупроводника Eu1-xSm x O Е связи с интенсивны* развитием функциональной ыикрсолек-рокикя актуальной является проблеш попета» исследования войств и- использования: новых материалов, обладавши ценны® ачествами.. Значительное место' среди таких материалов занимает кислы редкоземельных элементов СОРЗЭл. часть из которых явля-тся магнитными полупроводниками СИТО. т.е. имепт…	Кабанов, Владимир Федорович	1994
Электрофизические, тепловые и термоэлектрические свойства структурно совершенных кристаллов CdSb и приборы на их основе Як термопарнь особливо компвраторн!, нап!впров!дников! датчики, так 1 сенсори на баз! ан!зотропних термоелемент!в (АТ.) на час постановки даного циклу досл!джень перебували у розвитку ! ствсреня! Гх ф!зичшх, технолоПчних та конструктивна основ. Для Гх виготовлення найб!льш широко застосовувались монокристалл сур-м'янистого кадм!ю, у якому…	Раренко, Анна Илларионовна	1994
Энергетические спектры и кинетические явления в твердых растворах на основе теллурида свинца и теллурида индия и их модификация примесями К последний относятся твердые растворы рЬ\|_х5пхТе(1п) и РьТе(6а), которые можно рассматривать как модификации хорошо известных материалов группы а4В6. как было установлено ранее, эти материалы характеризуются двумя основными свойствами: стабилизацией положения уровня Ферми (уф) при введении достаточного количества примеси и существованием…	Рябова, Людмила Ивановна	1994