Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников
Код ВАК 01.04.10Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Оптические свойства сильно легированного арсенида галлия π-типа
В связи с развитием интегральной оптики возрос интерес к . сильно легированному (СЛ) арсенвду галлия, обусловлэнный превдэ всего высокой эффективностью излучательной рекомбинации в нем. На передний план вцдвпнулась задача управления составом и состоянием ансамбли структурных дефектов в кристаллах, требующая глубокого проникновения в проблему их… |
Богданова, Вера Александровна | 1994 |
Особенности микродефектов в монокристаллах соединений А3В5, выявленные методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей
В числе проблем, связанных с созданием монокристаллов полупроводниковых соединений А3В5 с заданными свойствами, определяемыми во многом совершенством и однородностью структуры кристаллов, важное место занимает вопросы, касающиеся природы и свойств микродефектов < МЛ) кристаллической решетки, а так же методов их исследования и неразрушасщего… |
Щербачев, Кирилл Дмитриевич | 1994 |
Особенности фазовых превращений в системах твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью
Для создания источников и приемников излучения, рассчитанных на этот спектральный диапазон весьма перспективны узкозонные твердые растворы на основе соединений АэВв. Сюда относятся прежде, всего четырехкомпонентные твердые растворы Сах1п1_,сАзу БЬг-у и 1пРхАЗуБЬ1_х_у.. Термодинамика и кинетика взаимодействия фаз при получении их методом… |
Рубцов, Эдуард Русланович | 1994 |
Особенности фотолюминесценцииэпитаксиальных слоев арсенида галлия при различных уровнях легирования мелкими донорами
Интерпретация полос $Л 1,17-1,36 эВ при 77 К (или более низких температурах) в ваА5 птипа является дискус^онной. Например, полоса 1,36 эВ обычно связывалась с акцептором медьо, однако это не согласуется с данными масс-спектрометрии в эпитаксиаль-них слоях. Природа полос 1,17-1,36 зВ и степень компенсации ваАь является важными прикладными… |
Андреев, Геннадий Васильевич | 1994 |
Особенности экситонных спектров приповерхностных квантовых ям А3В5 и твердых растворов полупроводников А2В6 с дефектами упаковки
Исследование ннзкоразмерных структур А'В5, таких как квантовые ямы (КЯ), квантовые нити и квантовые точки, является одним из наиболее актуальных направлении современной физики полупроводников,что связано с их широким применением и современной микроэлектронике. Их оптические и электрические свойства определяются с одной стороны эффектами размерного… |
Власов, Юрий Александрович | 1994 |
Особенности электронного транспорта в баллистических полупроводниковых квантовых нитях
Во второй главе изучается влияние объёмногЬ заряда в квантовой нп-тп, выводится выражение для дифференциального импеданса квантового баллистического канала при большом приложенном напряжении смещения. Рассматривается однородный квантовый баллистический канал с плавными устьями, показанный на рис. 1, параметры которого слабо изменяются на длинах… |
Федичкин, Леонид Евгеньевич | 1994 |
Особеннсти экситонных спектров приповерхностных квантовых ЯМ А3В5 и твердых растворов полупроводников А2В6 с дефектами упаковки
Исследование низкоразмерных структур Л3В\ таких как квантовые ямы (КЯ), квантовые нити и квантовые точки, является одним из наиболее актуальных направлений современной физики полупроводников,что связано с их широким применением в современной микроэлектронике. Их оптические и электрические сионсша определяются с одной стороны эффектами размерного… |
Власов, Юрий Александрович | 1994 |
Отражение поверхностных акустических волн от сильных единичных неоднородностей и квазипериодических структур
Во второй части обзора (я.1.2) рассмотрены работы, в которых рассчитывался коэффициент отражения ПАВ от периодических и квазжпериодических структур как аналитически, так и помощью компьютерного моделирования. Отмечено, что до сиз пор цри определении коэффициента отрааения ПАВ от квазипериодаческих решеток коэффициент отрааешя от одного элемента… |
Майер (Гарова), Елена Анатольевна | 1994 |
Перенос носителей и накопление заряда в МДИ структурах с аморфными диэлектриками на основе кремния
В настоящее время МДП структуры на основе креиння-однн из основных базовых элсме»пхш микроэлектроники. Различные по составу слон аморфных диэлеетршеоа на основе кремния, используемые в МДП приборах, могуч значительно отличаться по своим свойствам (зонная структура, подвижность н эффективная масса носителей, спектр локализованных состояний). Тек… |
Симанович, Елена Владимировна | 1994 |
Перестройка частоты колебаний в диодах Ганна ММ-диапазона из фосфида индия в условиях оптической накачки
Диоды Ганна являотся одними из сисоко использупаихся полупроводниковым приборов лля получения СВЧ мощности в широком диапазона частот. В связи с этим, освоение СВЧ-ди.зпазона во многой будет определяться успехами в их разработке и совершенствовании… |
Подчищаева, Ольга Вячеславовна | 1994 |
Поверхностная ЭДС в дисклокационнах кристаллах кремния
В первой главе приведено описание метода поверхностной фото-эдс в системе полупроводник-электролит. Рассмотрены электронные свойства поверхности кремния для ее различных физико-химических состояний: атомарно-чисток поверхности; поверхности, ¡защищенной пленкой диэлектрика-, поверхности в контакте с проводяцей средой (металл,.электролит… |
Новик, Андрей Владимирович | 1994 |
Получение монокристаллов твердых растворов бета-Са2-хInхО3 и исследование их оптико-люминесцентных свойств
Оксид галш в!дноситься до об'ектхв, придатних для вивчення эагальних законом1рностей н"р1вновау.них процесса в оксидах. Це, зокрема, зумовлено пом1рною шириною заборонено! зони 1 .М"хлив1стю пор1вняно легко зм1н1вати концентрации власних дефект 1 в структури вар1ац1ею умов ¡.ирощування та термообробки кристал!в. Виязлена фотопров!дн1сть… |
Рым, Ярослав Иванович | 1994 |
Поляризационные свойства фотолюминесценции горячих электронов в квантовых ямах
Исследование поляризационных спектров горячей фотолпи-яееценции и ее деполяризации в магнитном поле ягллось наиболее мощным методом изучения быстрых релаксационных процессов в голупроводниках. Этот метод основан на двух физических явлениях. Эдно из них - оптическое выстраивание электронов и дырок - сотой? в том, что при межзонном поглощении света… |
Портной, Михаил Ефимович | 1994 |
Поляризационные эффекты в монокристаллах оксида галлия и галлиевых гранатах
Актуальність теми. Оксидні кристали з домішками елементів перехідних груп застосовуються як активні середовища квантових парамагнітних підсилювачів і потужних твердотільних лазерів.. Монокристалічні пластини рідкісноземельних (РЗ) галієвих гранатів служать підкладками при епітаксіацьному нарощуванні плівок для . пристроїв пам’яті та… |
Катерняк, Игорь Богданович | 1994 |
Преобразование энергии бета-излучения структурами на основе гидрогенизированных слоев аморфного кремния
Базовым элементом фотопреобразователя является р-1-п или БШ (с барьром Шоттки) диод. Возможности практического использования структур данного типа не исчерпываются солнечной энергетикой. В последние года появились публикации, свидетельствующие о значительных усилиях различных групп . направленных на создание детекторов а-, (3-, 7- квантов… |
Флоринский, Владимир Юрьевич | 1994 |
Примесные состояния ионов группы железа в алмазоподобных полупроводниках
Дкосзркщпя посзяаэна ксслздоватпэ ккогозарядных глубоких центров, еэеодщых прс/есями группы гэлеза с незаполненной 3d -оболочкой в гшазошдобкшс полупроводниках… |
Демидов, Евгений Сергеевич | 1994 |
Пространственное распределение поля и его эволюция в высокоомных полупроводниковых структурах
Кроме того, интерес к изучению арсенидгаллиевых р-1-п гтруктур во многом обусловлен их ш.гроким применением в качестве составных частей различных полупроводниковых приборов, таких как тиристоры, диоды 1'анна, лавинно-пролетные диоды, фотодиоды. На основе таких структур созданы новые приборы - оптоэлектронные тиристоры, имешие оптическую связь… |
Куценко, Алексей Борисович | 1994 |
Проявление несовершенства поверхности и подповерхностного слоя кристаллического кремния в упругом рассеянии света
Відомо, що навіть дуже добре полірована поверхня напівпровідника розсіює світло. Це явище може обумовлюватися кількома незалежними причинами. Джерелами розсіювання світла можуть . являтися дефекти, забруднення та мікрошорсткості поверхні а також дефекти та флуктуації оптичних констант у підповерхневому шарі і в об'ємі . Зрозуміло, що розсіяне… |
Домашев, Геннадий Евгеньевич | 1994 |
Радиационная и термическая модификация рекомбинационных явлений полупроводниковых светоизлучающих структур
Актуальн!сть проблем и визначаеться пироким 1нтересом до багатошарових систем на основ! нап!впров! дншсових сполук А3В5, ун!кальн1 ф!зичн! властивост! яких дозволяють вт!лити численн! ix перевали в оптоелектронн! приладй: св!тлод!оди, лазери та фотоприймач!. В зв'язку з щм особливий !нтерес викликають нап!в-пров!дников! св!тловипром!нююч1… |
Сукач, Георгий Алексеевич | 1994 |
Разработка и исследование варизонных P-I-N-структур и фотоэлектрические процессы деградации в них
Наряду с большими успеха».»« в области создания г-ксеко.^Фок-шшк фотопрео^рэзогатол';" на основе ачорфнш; материалов, до оогспвюго i'pwnrf ряд; вопросов, связанных с технолоыей изгогов-'ш1-- клслсо^оточувс~;и:«"ельп.'й тг.иких слоев а-31:Л и его спалив, axiEL как a-SiCiSt a-MGaiH п влризонншс р-с-а-структуртлс фото- -реобразователой па та осноив… |
Усмонов, Шукрулло Негматович | 1994 |