Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Замещение по Воткинсу и диффузия имплантированных примесей в кремнии В начале 60-х годов Воткинсом было обнаружено явление вытеснения элементов III группы из узлов решетки кремния междо-узельными атомами кремния, возникающими при облучении кристаллов электронами с энергией порядка 1 МэВ. Боткине наблюдал это явление при 20.4 и 4.2 К. Затем этот Эффект наблюдался при еще более низких температурах: 1.6 и 0.5 К…	Муханад Абдуль-Хафииз, Ражих Джадан	1994
Излучательная рекомбинация на примесно-дефектных центрах в облученном германии Германий явился первым материалом, на котором было изучено влияние облучения высокоэнергетическими частицами на свойства полупроводниковых кристаллов и приборов…	Долгих, Наталья Ивановна	1994
Исследование границы раздела Si (III)/SiO2 в кластерном приближении В последние годы наблюдается рост интереса к границе раздела 31/зЮг одному из основных структурных элементов в микроэлектронике. Этот интерес связан, в частности, с актуальной на сегодняшний пень задачей создания газочувствительных элементов-сенсоров на зснове современной технологии. Перспективным является использова-ше структуры ра-БЮ^-Б! в…	Грошев, Геннадий Евгеньевич	1994
Исследование границы раздела диэлектрик-полупроводник с целью разработки плазмохимического процесса для формирование МДП структур на соединениях А3В5 Наиболее оптимальной элементной базой доя цж* чвых и линейных ИС являются транзисторы со структурой металл- диэлектрик -полупроводник (МДП ПТ). Однако, реализация МДП ПТ на арсенида галлия и фосфиде индия имеет существенные трудности и, прежде всего, из-за неудовлетворительных параметров границы раздела диэлектрик-полупроводник, связанных с…	Падеров, Виктор Петрович	1994
Исследование зарядовой нестабильности МДП-систем в сильных электрических полях и разработка методов контроля Для исследования зарядовых явлений в диэлектрических пленках МДП-систем при критических воздействиях широкое применение нашли следующие экспериментальные методы: воздействия постоянным электрическим полем, облучения ионизирующей радиацией, лавинной инжекпии, фото-инжекции, инжекцин заряда постоянным током и т. д. Одним из наиболее перспективных…	Андреев, Владимир Викторович	1994
Исследование комплексов, содержащих вакансию галлия в арсениде галлия, легированном теллуром или оловом Дефекты с глубокими уровнями могут вводиться в материал намеренно - для получения необходим электрических и оптических свойств. В ряде случаев их появление вызывается неконтролируемыми загрязнениями или собственными дефектами, образующимися как в процессе роста кристаллов, так к в процессе изготовления и эксплуатации приборов, к/или…	Сосновский, Валерий Роальдович	1994
Исследование концентраторных солнечных элементов и высоковольтные фотопреобразователи на основе GaAs — AlGaAs Целый настоящей работы является: исследование структур фо-•1ч').трообразователой на основе гетеросистеш СаАз - А1СаАз подученных вддкофазной апитаксией (КФЭ); определение причин ухудшения их фотоэлектрических характеристик; разработка ■ оригинальных коЕьтругШий (Сонц8лт];аторнах, каскадных и высоковольтных ФП нэ основе гетеропереходов в системе…	Кутлимратов, Александр	1994
Исследование оптических особенностей фотолегированных слоев халькогенидных стеклоподобных полупроводников Розробка 1 досл1дшення рееструючих оередовищ для оптичш/о ?<а-пису 3.нформац11 в наш час вид!лились в окремий. перспективный иауковий напрямок. Основна увага в цьому напрямку прид!лястьсн досл1дженню ков ж ф1зичних та 1нженерно-технолог1чних принциШв, як! б дозволяли покращувати параметри резструючих середовищ. Одним 1з нових перспекгивнкх клас!в…	Стецун, Аполлинарий Иванович	1994
Исследование особенностей механизма генерации многомодовых непрерывных InCaAsP/InP ( λ =1.3 мкм) лазеров раздельного ограничения, выращенных методом краткоконтактной жидкофазной эпитаксии Исследования полупроводниковых структур о квочтовораз-мерными слоями привели к открытию новых явлений в физике полупроводников, обусловленных эффектами изменения распределения плотности состояний по энергии в таких структурах, что сказывается на других важных параметрах структуры. На основе таких структур были существенно улучшены параметры ряда…	Зайцев, Сергей Витальевич	1994
Исследование особенностей плазмон-фононного взаимодействия и оптическая диагностика структур на основе GaAs Актуальн1сть теми. Використання СаАз як нап1впров1днико-вого матер1алу для створення млсроелекгронних прилад1в дае ряд в!домих переваг пор1вняно до використання кремнш через б1льшу рухлив1сть носИв 1 ширину заборонено! зони, прямозонн1сть, можлив1сть отримання широкого спектра твердшс розчшив, тощо. Як правило, м1кроелектронн1 припади на основ1…	Васильковский, Сергей Анатольевич	1994
Исследование примесных центров марганца, цинка и халькогенов в кремнии и твердых растворах кремний-германий Одним из полупроводниковых растворов,привлекавших особое внимание исследователей в течение многих лет«являются твердые растворы кремний-германий.Исследование твердых растворов Si-Ge, легированных примесями с глубокими уровнями представляет повышенный интерес, которое кроме чисто прикладного имеют также большое значение для физики…	Мирсаатов, Равшанбек Муминович	1994
Исследование процессов неравновесного структурообразования и модификации свойств полупроводников кристаллов теллурида кадмия и ртути под действием лазерного излучения Актуальність теми. Лазерні методи обробки матеріалів знаходять > все більш широке застосування в процесах виготовлення мікро-електронних приладів. Широкі діапазони зміни енергетичних і просторово-часових характеристик випромінювання оптичних квантових генераторів (ОКГ), простота спряження лазерного обладнання з вакуумним технологічним…	Загиней, Аполлинарий Алексеевич	1994
Исследование роста эпитаксиальных слоев материалов A3B6 и их некоторых электрофизических свойств Младая такими уникальными возможностями, материалы А"зс ко ;ашли широкое практическое применение для изготовления активных '.ле^ентов электронной техники как, например, германии и кр^/.лкй. >то свяаано с. тем, что связь кеэду химической чистотой и физическими свойствами, которая была установлена для германия и к рам в и:? ¡елъад раопрсх. то^дито…	Барри, Умар	1994
Исследование субмикронных рельефных прямоугольных структур методом растровой электронной микроскопии Детальное исследование рвльефти поверхностей естественно! ' чать с объектов, имеющих наиболее простой профиль поверхносг-й структуры с известными с высокой точностью линейными рпзю- : ки, например, прямоугольный. При этом желательно иметь едва-дный по атомному составу материал рельефного эджент;. Нади!-; 9 таких объектов упрощает задачу…	Стрижков, Илья Борисович	1994
Исследование фотоэлектрических свойств аморфного гидрированного кремния Понятно, иго удовлетворить все возраставшие требования зс параметрам и характеристикам электронных лриборсз в связи с расширением областей их применения, можно только используя новые материала. Поэтому не случайно в последнее десятилетке ргзвитие фотоэлементов было связано с кспогъзованиен акорфинх полупроводников…	Икрамов, Рустамжон Гуламжанович	1994
Исследование электронной структуры и оптических свойств идеальных и содержащих точечные дефекты кристаллов диэлектриков кластерным методом рассеянных волн Необходимость пнтерпретацпп новых экспериментальных результатов, касающихся спектроскопических свойств твердого тела, требует постоянного развития теоретических моделей и методов. Высокую эффективность для описания параметров электронной структуры и оптических свойств как идеальных, так и содержащих дефекты кристаллов, демонстрируют методы физики…	Соболев, Александр Борисович	1994
Исследование электронных процессов в структурах полупроводник-диэлектрик-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика и квазиодномерным электронным каналом Исследование туннелирования носителей заряда сквозь промежуточный окисел представляет значительный научный интерес, поскольку вопросы зонной структуры и макроскопического описания окисных слоев толщиной 10 - 40 химического состава окисла и переходных слоев остаются до конца не. выясненными…	Осипов, Владимир Юрьевич	1994
Исследование электронных процессов в структурах полупроводник-диэлектрик-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика и квазиодномерным электронным каналом Исследование туннелирования носителей заряда сквозь промежуточный окисел представляет значительный научный интерес, поскольку вопросы зонной структуры и макроскопического описания окисных слоев толщиной 10 - 40 1, химического состава окисла и переходных слоев остаются до конца не. выясненными…	Осипов, Владимир Юрьевич	1994
Исследование электронных свойств поверхности эпитаксиального арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия и кислорода Для повышения квантовой эффективности и стабильности фотокатодов с 0Э0 важным представляется изучение фотоэмиссионных свойств широкозонных твердых растворов А3В5. Такие полупроводники, сохраняя преимущества СаАз, должны обладать большей величиной ОЭС и, возможно, лучшей стабильностью…	Паулиш, Андрей Георгиевич	1994
Исследование эффектов квантования ионного и электронного спектров в полупроводниковых сверхрешетках As/AlAs методом инфракрасной спектроскопии Л Б т у п л ь п о с' г ь___темы. Значительный прогресс в полупроводниковой технологии позволил создать искусственные микроструктуры с размерами сравнимыми с межатомными расстояниями. Доступность этого класса полупроводниковых структур создает новые пути для исследования физики твердого тела в условиях с сильно пониженной размерностью, где…	Мирихин, Александр Германович	1994