Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Физические процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью Практична 1пнн1сть. 1. Оптимальн! умови одераання Г1сте-резису характеристик ТПЕ/1С мапть практичну ц!нн1сть для тради-цМного використання прилад!в на основ1 ТПЕЛС як !ндикаторних пристро!в…	Белецкий, Андрей Иванович	1995
Физические свойства и структура сульфида и селенида цинка, полученных методом самораспространяющегосявысотемпературного синтеза Мехашзми реагування легкоплавких компонент, якими е елементи наШвпроЫдникових матершлт, в метод! СВС не ви-вчались. Без глибокого розумшня ф1зичних процест, як1 про-тжають при синтез1 та утворенш кристалш, 1 з'ясування 5х механ!зм1в неможливо тлеспрямовано отримувати напшпрови-ников! матер 1али. з заданими властивостями. Кр1м того, при СЕС метод1…	Козицкий, Сергей Васильевич	1995
Формирование и релаксация объемного заряда и поляризации в сегнетоэлектрических полимерах Доел! дав ння процас!в форму вання поляраэац1\| та об" стог о заряду, a також алактрично! релансацП у сагнетолоя1ыерах i композитах на ix ochobí в одним з оезовних напрям!в сучасного роз-витку ф1зижи влен1рвт1в. Про w св!дчвть той факт, що на останн!х ц1жнародшЕс CHMüoaiywax з ел8итрвт1в у 1991 та 1994 роках близь-ко тратннн допов1дей були…	Сергеева, Александра Евгеньевна	1995
Формирование и электрофизические характеристики многослойных структур на основе системы кремний-диоксид кремния Акоалмщсхг.. Система кремний - диоксид кремния (ЗьБЮ^) лнлмссч основной составной частью различных дискретных приборов интегральных с см (ИС) и используется в качестве экспериментальных структур для изучения приповерхностной области кремния, его межфазной границы (МФГ) со слоем БЮг- В первую очередь эта систе.ма применяется в структурах…	Урицкий, Валерий Яковлевич	1995
Фотоэлектрические свойства структур на основе CdSiAs2 и его аналогов Основными объектами в настоящей работе являются диодные структуры из диарсенида кадмия и кренния .а также его изотропных аналогов из числе полупроводников II 1-У (Сайг и др…	Рудь, Василий Юрьевич	1995
Фотоэлектронные свойства реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия К настоящему времени для етих материалов относительно хорошо изучены свойства атомарно-чистой поверхности и межфазной границы диэлектрик - полупроводник (ДП - границы) с некоторыми диэлектриками <Si02, AI2O3 и др.). Значительно меныие исследованы свойства реальной поверхности. По-видимому, это связано с трудностями определения электронных…	Байдусь, Николай Владимирович	1995
Химические связи и электронные свойства систем Cs/GaAs(001) и S/GaAs(001) Между электронными свойствами поверхности и её химическим строением'существует фундаментальная связь, исследование которой является одной из важнейших задач физики поверхности. Очевидно, что эта связь сохраняется и при адсорбции чужеродных атомов, приводящей как к формированию новых химических связей, так и к изменению электронных свойств границы…	Гусев, Александр Олегович	1995
Экситонные и электронные состояния сверхтонких полупроводниковых пленок и простых гетероструктур полупроводников Актуальність твіді досяідаагь.Тенденція зменшення розмірів і великої інтеграції напівпровідникових приладів,а також дальиий розвиток електроніки,ставить задачі детального дослідження властивостей кристалів малих розмірів.Увага багатьох дослідників звернута до вивчення фізичних властивостей квазічастинок,що знаходяться біля поверхн…	Билынский, Игорь Васильевич	1995
Экситон-фононные состояния плоских гетероструктур Актуальність теми /осліл.ксн;,. Напівпровідникові гетерогенні системі! с важливими об'єктами дослідження фізики напівпровідників і фізики контактних явиш зокрема. Широкій вибір композиційних матеріалів та геометрії систем ¡кількості, гобщіш, розташування шарів тощо) дна можливість виготовледня унікальних за своїми властивостями гетероструктур з…	Пазюк, Вадим Васильевич	1995
Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца Сильное различие диэлектрических проницаемостей частей, составляющих диэлектрическую наноструктуру, приводит к существенному перераспределению электрического поля (в том числе электрической компоненты электро-магнитного поля) вследствие стандартных граничных условий на поверхности раздела сред. Как правило, электромагнитное поле, взаимодействующее…	Муляров, Егор Алексеевич	1995
Экситоны и межзонное поглощение света в полупроводниковых брэгговских отражателях и микрорезонаторах Новым классом объектов, технологически реализованным в начале 90-х годов, являются палупроводниковыг микрорезонаторы с квантовыми ямами, структуры, в которых локализованные в квантовых ямах носители заряда взаимодействуют с локализованной в резонаторе Фабри - Перо оптической модой [2,3]. В последние годы появился ряд экспериментальных работ по…	Калитеевский, Михаил Алексеевич	1995
Экситоны и поляритоны в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами Экситоны,.представляющие собой двухчастичные электрон-дырочные возбуждения в кристалле, возникают в результате прямого ку-лоновского и обменного короткодействующего взаимодействия электрона й дырки. Такая система напоминает водородоподобную. Однако; сложная структурна энергетических зон реальных полупроводников, в частности кубических…	Глинский, Геннадий Федорович	1995
Экспериментальное исследование откольного разрушения ионных кристаллов, облучаемых сильноточным электронным пучком Образцы облучались электронным пучком сильноточного ускорителя ГИН-600. Параметры электронного пучка регулируются в пределах: 2 - 25 не ; 0.3 - 0.5 Мэв ; 1 - 2000 А/см2…	Савенко, Олег Михайлович	1995
Электретный эффект в структурах неполярный полимер-металл Современное состояние физики электретного эффекта в полимерах характеризуется тем, что накопленный к настоящему времени достаточно большой объем экспериментальных данных, анализируется, в основном, в рамках упрощенных феноменологических моделей. Данные модели, базирующиеся на абстрагировании от многих реальных свойств, присущих изучаемым объектам…	Рычков, Андрей Александрович	1995
Электрические и оптические свойства монокристаллов сульфида кадмия с дефектами радиационного происхождения Халькогеждш наптпровщников! сполуки групп А2В. внаслцюк сукулносп ряду властивостей, таких як велика ширина заборонено'; зон», велика iiMcmipHicTb випромшювально\' рекомбшаш», вкеока фоточутлпшетъ, тошо, знайшли тироке використання як магер^али, на основ! якнх вигоювляють phni елементи сучасяо! електрптки, оптоелектрошкп, нелшшно! оптики. Вони…	Давидюк, Георгий Евлампиевич	1995
Электронная структура комплексов с атомами благородных газов в кремнии и алмазе Интенсивное развитие и применение в последние годы получили такие методы исследования приповерхностных слоев твердых тел, как Оже-электронная спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, вторичная ионная масс-спектроскопия, ионный микроанализ, обратное' рассеяние ионов и другие. В большинстве из перечисленных методов при…	Безъязычная, Татьяна Владимировна	1995
Электронные процессы на поверхности арсенида галлия, обработанной в парах халькогенов Несмотря на значительные достижения в развитии кремниевых интегральных схем, в современной' микроэлектронике устойчивые позиции приобретают интегральные элементы на основе арсенида галлия. Это обусловлено определенными преимуществами арсенида галлия перед кремнием: высокая подвижность электронов, большая ширина запрещенной зоны, Еысокое удельное…	Котов, Геннадий Иванович	1995
Электронный перенос по примесной зоне при эффекте поля в слабокоапенсированном кремнии Лругое важное обстоятельство, послужившее толчком к интенсивному изучению транспортных и фотоэлектрических свойств слоев легированного слабокомпенсированного кремния, связано с созданием нового класса фотоприемников - структур с блокированной проводимостью по примесной зоне (В1В-структур) [5], в фотопроводимости которых существенную роль играют…	Гайворонский, Алексей Григорьевич	1995
Электрофизические процессы в многоэлементных электролюминесцентных индикаторах с самосканированием В части обеспечения устройствами управления малоэлЕкентныэ ЭЛИ (до 10 элементов) основное значение имеет разработка дискре ных коммутирующих элементов, совместимых по рабочим напряжению току с ЭЛИ» а по управлению с серийно выпускаемыми микpacxeмaм^ Наиболее простым вариантом, обеспечивающин подачу симметричногс знакопеременного напряжения на ЭЛИ…	Гурин, Нектарий Тимофеевич	1995
Эллипсометрия и электронный спектр материалов с цепочечной структурой Актуальное? ь, Халькогениды элементов третьей группы периодической таблицы кристаллизуются в цепочечных и слоистых структурах. Многие физические свойства этих соединений (в частности механические, электрические и оптические) проявляют анизотропию. В' связи с интересом к низкоразмерным системам большое внимание уделяют • их электронным спектрам…	Каграманова, Самира Теймур кызы	1995