Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Метастабильные состояния, возникающие в результате длительного освещения легированного и компенсированного гидрированного аморфного кремния В настоящее время аморфные полупроводники и, в частности, гидрированный аморфный кремний (a-Si:H), заняли важное место в электронном приборостроении. На основе a-Sl:H были созданы фотоэлектрические батареи, фоточувствительные покрытия для ксерокопировальных барабанов, тонкошюночные полевые транзисторы, используемые в производстве…	Яркин, Дмитрий Геннадьевич	1995
Метастабильные состояния, возникающие в результате длтельного освещения легированого и компенсированного гидрированного аморфного кремния В настоящее время аморфные полупроводники и, в частности, гидрированный аморфный кремний (a-Si:H), заняли важное место в электронном приборостроении. На основе a-Sl:H были созданы фотоэлектрические батареи, фоточувствительные покрытия для ксерокопировальных барабанов, тонкопленочные полевые транзисторы, используемые в производстве…	Яркин, Дмитрий Геннадьевич	1995
Методы синтеза монокристаллических акустоэлектронных фильтров на поверхностных акустических волнах на основе учета краевых электростатических эффектов и анизотропии кристаллов Рабочие характеристики фильтров в большой степени определяются распределением электростатического заряда на электродах ВИШ, являющихся основными конструктивными элементами таких устройств. Однако существующие в настоящее время методы анализа и синтеза фильтров на ПАВ недостаточно полно учитывают распределение плотности заряда в ВШП. Указанные…	Переломов, Александр Аскольдович	1995
Модификация свойств эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (YSmLuCa)3 (FeGe)5 O12 воздействием j-квантов Co60 Эти задачи являются одними из первоочередных как для магнитной микроэлектроники, так и для радиационной физики твердого тела. • В радиационной технологии интерес к подобным исследованиям обусловлен возможностью использования облучения для целенаправленного . изменения свойств магнитных пленок…	Костишин, Владимир Григорьевич	1995
Монокристаллы и m-s-структуры полупроводников А3В5, модифицированные миллисекундным лазерным излучением Воздействие лазерного излучения на полупроводниковые (соедин9-I, как ожидалось, долено приводить к новым, по сравнению с моно-эмными полупроводниками, эффектам, обусловленным диссоциацией эдинений и инконгруантшм испарением компонент. Это в сочетании большой скоростью охлаадания за счет теплоотвода в кристалл дол-о вызывать формироние слоЗв с…	Дмитриев, Александр Георгиевич	1995
Обменные эффекты в микрокозонных полумагнитных полупроводниках на основе соединений AIIBVI Серед нашпмагштних няпівпроБіднукіз особливий ікторес викликають, яя порївішяно добре е'лвчріші матеріал:! нп основі марганцю (СбГв;Мп, КгуМ^Тв), тук і менше дослідженні на основі салі за (CílTerFe, Fe^d^Te >. Зокрема, останні “ напівпровідники маоть більшу різноманітність фізитшх властивостей ч порівнянні з матерічлзют на основі Ш. № викликано…	Кличук, Олег Романович	1995
Оптические свойства квантоворазмерных гетероструктур в системах A3B5 и A2 B6 , полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии Общая характеристика работы, Актузлъпость работы. В настоящее время является общепризнаипым, что кваптоворазмерные (КР) гетероструктуры определяют прогресс в физике и технике полупроводников. Наиболее очевидны успехи в области оптоэлектроиных приборов, использующих КР-структуры на основе соединений А3В5 и А2В6. В последнее время наблюдается…	Максимов, Михаил Викторович	1995
Оптоэлектронные свойства диодных структур на основе сульфоселенидов цинка Актуадымоь [емн лт:л1для;пъ. Задач! сучааю! отоелектро-и1ки bhm.ii ають. суггаюю исжр.чадмня параметр!» га розширення функц1ональннх можлнвостей П елсменПв. Насамперед це стосуеться Шдвищення гемиерагурно! та часопот стаб1лыюст1, рад1ац1йно! с11йкосП, швндкодИ, розширення спектрального д1апа:юну в корот-кохви-тьову область. Один .ч шляхт досягнешш…	Мельник, Владимир Васильевич	1995
Особенности диффузии примеси в полупроводнике, связанные с ионизацией примесных атомов В этой связи детальный анализ диффузии в полупроводниках с учетом взаимодействия ионизованной примеси с электронно-дырочной подсистемой и межприг,ясного взаимодействия, является актуальной темой исследования…	Горнушкина, Елена Дмитриевна	1995
Особенности переноса носителей заряда в полупроводниковых кристаллах кубической сингонии с наведенной анизотропией электропроводности Актуальн1сть теки: Як вЩомо, yci н8п1впров1даиков1 кристали куб1чяо! chhtohIí характеризуються досить складом онерготичним спектром hocííb струму 1 тону íx е.шпрош1 2ластшост1 набагато r¿pai в1доов!даих властивостэй модального нап1впров1даика й енергетичним сдакгром, под1бним до спектру в1льнюс • едэктрон1в. У куб1чному Еап1впров1дкику е дзк1лька…	Козловский, Сергей Иванович	1995
Переходные слои в мультислойных молекулярных нанокомпозициях на основе амфифильных веществ В последние годы наблюдается интенсивней рост работ в области синтеза, исследования и применения упорядоченных структур, формируемых в виде моно- и мультислойных молекулярных композиций органических веществ на поверхности твердой подложки. Такие структуры могут быть использованы при создании устройств для идентификации и преобразования широкого…	Карагеоргиев, Петр Петров	1995
Плотность дефектов в псевдолегированном и легированном аморфном гидрированном кремнии Известно, что дефекты (оборванные 31-31 связи) образуются ак в процессах осаждения пленок и их легирования электрически ктивными примесями, так и три внешних воздействиях на уже закденные пленки (термишских воздействиях, инжекции носителей эряда, облучеции интенсивным светом, ионами, электронами…	Мавлянов, Хасан Юсупович	1995
Получение пленок твердых растворов CuInxGa1-xSe2 импульсным лазерным осаждением и исследование их физических свойств Соединения СШпБег, СиОаЗег и твердые растворы Си1пхОа1_хЗо2 занимают особое место в группе полупроводников А1Вэсбг со структурой халькопирита благодаря уникальному сочетанию физических параметров…	Зарецкая, Елена Петровна	1995
Поляризация дипольных кристаллитов и пьезоэффект в поливинилиденфториде Несмотря на широкое применение поливинилиденфторида и его сочетаний, вплоть до настоящего времени ведутся дискуссии относительно физической природы их свойств, которые используются в технике. Нет достаточной ясности относительно механизмов пьезо-, пиро- и сегнетоэлектрических явлений в этих полимерах. Большое число опубликованных работ оставляет…	Меликов, Константин Альбертович	1995
Процессы фазообразования при ионном синтезе скрытых диэлектрических слоев в кремнии, имплантированном атомами кислорода и азота Основными тенденциями развития микроэлектроники является увеличение быстродействия, плотности упаковки и надежности работы приборов и интегральных схем (ИС) в экстремальных условиях. Данным тенденциям о максимальной степени соответствует создание приборов и ИС на основе структур кремний на изоляторе (КНИ). В настоящее время одним из методов…	Борун, Александр Феликсович	1995
Процессы формирования и физические свойства твердых растворов на основе карбида кремния АкщгальнйСз:ь_1'£Ш. Развитие твердотельной • электроники, определяется уровнем создания новых материалов, удовлетворяющих комплексу требований. Анализ современной отечественной и зарубезгк$ патентной и периодической литературы показывает, что наиболее полно удовлетворяют требованиям твердотельной электроники такие классы тугоплавких соединений как…	Офицерова, Наталья Васильевна	1995
Равновесные и неравновесные фазовые переходы в эпитаксиальных пленках магнитных гранатов Наряду с традиционными объектами исследования, к которым относятся равновесные фазовые превращения, в последнее время все больший интерес вызывают неравновесные ФП, для описания которых необходим синергстический подход…	Пак Чун-Ман	1995
Равновесные и неравновесные электронные процессы в полупроводниках АIIIBVI и твердых растворах CdxHg1-xTe (0,23 < или равно Х < или равно 0,65) К настоящему времени в полупроводниках ТпЗб и 9а ¿в , а твердых растгсрах£#^.^?/.Апроведены. фундаментальные исследования в области вблизи края собственного.поглощения при умеренных и высотах уроЕняуоптачесЕого возбуждения в широком интервале температур и еэпитлюс полей. Эти исследования- поввогззш установить основные характеристики зонного…	Исмайлов, Фикрет Исмаил оглы	1995
Радиационное дефектообразование в кремнии при двойной ионной имплантации При выборе видов имплантируемых ионов учитывалось, что внедрение бора широко применяется в технологии легирования кремния. Известно также, что атомы азота и аргона не являются электрически активными в кремнии после высокотемпературного отжига, однако, дополнительная имплантация этих ионов может влиять на процессы электрической активации бора…	Попок, Владимир Николаевич	1995
Рекомбинационное излучение с участием собственных точечных дефектов в фосфиде галлия В настоящее время получены шогочисленнш доказательства сдаственного влияния собственных точечных дэфехтов (СТД) структуры в ASBV на элэкгрофизэтзеюю свойства этих соединений и особенности поведения в ms дэгкрувдия и остато^тых примесей…	Тарченко, Виктор Петрович	1995