Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Влияние разогрева носителей заряда и фононов на электрофизические свойства полупроводниковых выпрямляющих структур В настоящее время размеры полупроводниковых диодов в микросхемах имеют одинаковый порядок с длиной остывания носителей тока на фононах. Следовательно,в субмикронных структурах должны проявляться тепловые размерные эффекты. Для исследования процесса прохождения тока через неоднородный полупроводник будем рассматривать образец как ограниченную…	Умаров, Кудиратулла Бекбаевич	1995
Влияние свободных носителей на свойства полупроводниковых гетероструктур В последнее' время широкое применение находят структуры металл-полупроводниковая сверхрешетка, одним из методов исследования которых является изучение их ВФХ. Теории, позволяющей связать параметры такой структуры (разрыв зон на гетерогранице и величину встроенного , в нее заряда, обусловленного присутствием на ней заряженных дефектов), до…	Бычковский, Денис Николаевич	1995
Влияние сложного легирования изоэлектронными примесями кислорода и теллура на оптические свойства сульфида кадмия и селенида цинка Широкозонные полупроводники сульфид кадмия и селенид цинка в настоящее время считаются наиболее перспективными материалами оптоэлектроники. Они широко используются при создании лазеров, фотоприемников, люминесцентных и лазерных экранов, а также све-тодиодов. В чаотносги, сульфид кадмия и селенид цинка, легированные теллуром, применяются в качестве…	Назарова, Лариса Дмитриевна	1995
Влияние термообработок в водороде на эволюцию примесно-дефектной подсистемы кремния В качестве базовой легирующей примеси был выбран бор. Это связано с тем, что в силу ряда специфических свойств, атом бора в кремнии исключительно -сильно взаимодействует с собственными точечными дефектами кристалла: вакансиями и мевдоузольными атомами, являясь, таким . образом, самым подходящим материалом для исследования и конструирования…	Шокина, Джульетта Ивановна	1995
Возбуждение и распространение обменных спиновых волн в ферритовых пленках с неоднородными по толщине магнитными параметрами Следует отметить; что изучение обменных спиновых волн интересно как с практической, так и с фундаментальной точки зрения. Цлина волны ОСВ сопоставима с длинами волн звука и света, поэтому спиновые волны могли бы быть важным объектом и инструментом цля исследования взаимодействия между колебаниями различных Титов…	Тихомирова, Марина Павловна	1995
Волоконные световоды среднего инфракрасного диапазона Волоконная оптика постепенно становится неотъемлемой ча научно-технического прогресса наравне с такими направлениями лазерная техника и микроэлектроника. Успехи волоконной оптики < ли возможны в первую очередь благодаря разработке особочистых 1 нологий изготовления волоконных световодов с низкими оптичес: потерями на основе кварцевого стекла…	Плотниченко, Виктор Геннадиевич	1995
Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела РПС представляет собой рельефную структуру в кремнии, содержащую римерно 1000 канавок, расположенных вдоль одной линии. Длина кана-ок составляет 5 мкм, период повторения 10 мкм. Глубина канавок выби-ается в диапазоне 0,1 - 10,0 мкм. Аттестованным размером является шири-а канавки. В качестве одной из стенок канавки выбрана полированная…	Новиков, Юрий Алексеевич	1995
Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава Получение эпитаксиальных слоёв СаАз на. Б1 является чрезвычайно сложной задачей. Это связано не только с различием кристал-лохимических свойств, но и со значительной разницей (~4 %) в параметрах решёток СаАэ и Б1. При выращивании эпитаксиальных слобв в таких системах возникает необходимость использовать условия кристаллизации, сильно отличающиеся…	Дерягин, Николай Германович	1995
Высокоомный кремний для детекторов ядерных излучений В ядерной спектрометрии в последнее время все б-о^ее дкро-кое применение заходят полупроводниковые- детекторы ионизирующих излучений. Несмотря на успешное использование в последние года бинарных полупроводниковых соединений, s также алмаза, основными материалами для создания таких детекторов до настоящего времени остаются ыонокристаллчческиз g…	Иванов, Александр Михайлович	1995
Деформационные поля в полупроводниковых монокристаллах и эпитаксиальных системах при динамическом рассеянии рентгеновских лучей ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Дисертац1я прнсвячена експериментальному досмджению за-коноинрностей розсповакия реитгешвських промен!в 1 визначеншо характеристик структурню? досконалост! в реальних нашппров1Дни-кових монокристалах 1 .мптакайннх системах, г,к! гп стать в соб! розпод1лен! (макро) I локгЫзоваш (м!кро) спотворення кристал!чко{ граткн…	Прокопенко, Игорь Васильевич	1995
Долгоживущие возбужденные состояния примесей в алмазоподобных полупроводниках Однако, модель каскадного захвата не учитывает дискретного тергетического спектра примесей и предполагает наличие близко асположенных возбужденных уровней, расстояние между которыми амного меньше энергии характерного фонона, с участием которого зуществляется переход. При этом узким местом считается захват осителя из зоны на высокий возбужденный…	Смирнова, Ольга Ивановна	1995
Излучательная рекомбинация и структурные изменения в широкозонных полупроводниках и диэлектриках при сильном электрическом и оптическом возбуждении Получение лазерного эффекта в каналах стркмерных разрядов в полупроводниках в 1973 г. дало новый толчок исследованиям этого явления, известного в диэлектриках с 1887 г. Развитие электрических разрядов в кристаллах происходит в исключительно экстремальных условиях: поле напряженностью порядка 107 В/см воздействует на кристалл за времена 1СГ10…	Яблонский, Геннадий Петрович	1995
Излучательные и безызлучательные переходы носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах Весьма актуальным является вопрос о влияпии гетерограницы на процессы рекомбинации неравновесных носителей в квантовых структурах. При больших концентрациях носителей заряда (п ~ 1018 см"3) важны два процесса рекомбинации: излучательный процесс и безызлучательный—оже-процесс. Оже-процесс рекомбинации представляет &_боЙ двухчастичное…	Зегря, Георгий Георгиевич	1995
Изменения физических параметров диодных структур на базе ZnS и CdS, индуцированные рентгеновским облучением Актуальність теми досліджень. Широкозонні сполуки А2В6 володіють рядом властивостей, що роблять їх перспективними для використання в опто- та мікроелектроніці. Зокрема, велика ширина забороненої зони, висока фоточутливість та імовірність випромінювальної рекомбінації дозволяють використовувати ці матеріали як джерела або приймачі видимого та…	Тютько, Игорь Олегович	1995
Инжекционные явления в полупроводниках с рекомбинационно-стимулированными перестройками примесных центров Научная новизна работы заключается в следующем: 1. урервыв на основе исследования диффузионного инкекцион-ного режима в условиях насыщения скорости рекомбинации, обусловленной рекомбинационно-стимулированными перестройками.глубоких примесных центров получэнз экспоненциальная зависимость то-' ка от напряжения 3 „ ехр(д7/ акТ), где показатель…	Минбаева, Максат Козубековна	1995
Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия Решающий прорыв в создании инжекционных лазероц был сделан Ж.И. Алферовым с сотрудниками: б 1963 году была сформулирована идея гетеролазера [б], затем создан первый гетеролазер [7] и достигнут непрерывный режим генерации при комнатной температуре [8*]. Параллельно с созданием полупроводниковых лазеров происходило интенсивное развитие светодиодов…	Яковлев, Юрий Павлович	1995
Инфракрасная Фурье-спектроскопия полупроводниковых структур с тонкими слоями (InxGa1-xAs/GaAs, Pb1-xSnxSe/BaF2, пористый кремний) Оптические измерения в инфракрасном' диапазоне позволяют наиболее непосредственно получать информацию о низкоэнергетических возбуждениях в полупроводниках - это характеристики фононного спектра, свободных носителей заряда, дефектов. Ж фурьэ-спектроскопия,. благодаря сочетании таких свойств, как Оесконтактность, высокая экспрессность, большая…	Холодилов, Андрей Николаевич	1995
Исследование возбужденных состояний примесей халькогенов в Германии Начиная с 30-х годов, опубликовано сравнительно большое число теоретических работ, посвященных построению адекватной модели глубокого примесного центра, в которых рассчитывались энергетические спектры примесей, волновые функции электронов на внешних оболочках примесных атомов, сечения поглощения света и т.д. Однако, к настоящему времени пока не…	Штеренгас, Ривера Максовна	1995
Исследование гетеропереходов и квантово-размерных структур методом фотоотражения Для решения задач диагностики и контроля целесообразно привлечение методов оптической модуляционной спектроскопии, поскольку они являются неразрушающими, бесконтактными, отличаются вы-' сокой информативностью, и, что немаловажно, обеспечивают возможность получения как сравнительно высокого пространственного разрешения, так и проведения…	Коняев, Михаил Викторович	1995
Исследование деградации электрофизических свойств кремния и структур на его основе, легированных переходными, редкоземельными и изовалентными элементами Процесс изготовления и эксплуатации полупроводниковых приборов на основе кремния, включающий в себя различные термические и радиационные обработки, сопровождается многочисленными изменениями его электрофизических свойств. Тем не менее к полученным полупроводниковым приборам предъявляются жесткие требования по стабильности их параметров в различных…	Талипов, Фархад Магруфович	1995