Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Радиоэлектрический эффект в слоистых волноводных структурах с полупроводником в СВЧ диапазоне При распространении в среде со свободными носителями заряда электромагнитная волна сообщает им кроме энергии импульс, что вызывает возникновение электрического поля в направлении распространения волны, называемое полем увлечения. Вторым основным механизмом возникновения продольной ЭДС является неоднородный разогрев решетки или электронов. Так как…	Трещев, Владимир Михайлович	1996
Размерные эффекты в слоистых полупроводниковых структурах с распределенным р +-n-переходом Использование динамических неоднородностей в приборах по обработке и хранению информации привело к формированию нового несхемотехнического направления в электронике -функциональной электроники, которая представляет собой область микроэлектроники, изучающей процессы генерации, распространения и взаимодействия динамических неоднородностей в твердом…	Барышев, Михаил Геннадьевич	1996
Разработка технологии создания и исследование высоковольтных переключающих арсенид-галлиевых структур с полевым управлением Основным материалом для изготовления ВПТ является кремний. Анализ показывает, что основные характеристик! и параметры ВПТ могут быть существенно улучшены при использовании ваАв и родственных соединений. Привлекательность этих материалов обусловлена более высокой по сравнению с кремнием подвижностью электронов и прямой структурой зон. Однако, на…	Убайдуллаев, Махаммаджан Абдуллаевич	1996
Разработка физических моделей и методов сквозного физико-технологического моделирования биполярных кремниевых элементов Стремительный прогресс кремниевой субмикронной технологии, предельное уменьшение горизонтальных и вертикальных размеров активных элементов биполярных С3БИС и повышение их высокочастотности потребовал эт разработчиков использования нетрадиционных подходов при разработке новых процессов, идентификации и оптимизации структур ЛЭ и фрагментов…	Каргашин, Алексей Евгеньевич	1996
Роль активаторных дефектов в изменении структуры и сцинтилляционных свойств кристаллов NaI(Tl). Актуальність теми. Однією з головних проблем фізичного матеріалознавства є вивчення реальної структури кристалів, яка суттєво залежить від умов їх одержання. Діелектричні кристали на основі йодидів лужних металів широко використовуються в науці і техніці як ефективні сцинтилятори. Кристали йодиду натрію, активованого талієм, є найбільш ефективним…	Кудин, Александр Михайлович	1996
Сильные оптические нелинейности и оптическая бистабильность в полупроводниках CdS, CdSSe, GaSSe Возбуждение полупроводников мощным лазерным излучением позволяет получать чрезвычайно высокие концентрации неравновесных носителей, при которых существенную роль начинают трать процессы межчастичного взаимодействия, такие как неупругое экситон-экситонное и электрон-электронное рассеяние, образование биэкситонов, эффекты фазовых превращений в…	Названова, Елена Васильевна	1996
Синтез аморфного гидрогенизированного углерода, легированного медью Практическая ценность данной работы состоит в том, что предложен метод введения легирующей меди в заданной концентрации. Полученные результаты свидетельствуют о возможности управления физическими свойствами аморфного углерода и получения слоев с заданными характеристиками путем варьирования таких параметров м-ггнетронного распыления, как давление…	Базиевна, Наталья Ерахцаовна	1996
Синтез аморфного гидрогенизированного углерода, легированного медью Практическая ценность данной работы состоит в том, что предложен метод введения легирующей меди в заданной концентрации. Полученные результаты свидетельствуют о возможности управления физическими свойствами аморфного углерода и получения слоев с заданными характеристиками путем варьирования таких параметров м^гнетронного распыления, как давление…	Базиева, Наталья Ерахцаовна	1996
Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхностей (III) невырожденного кремния Взаимодействие атомов поверхности кремния с чужеродными атомами и молекулами приводит к изменению как геометрической структуры поверхности, так и ее электронных свойств. Наличие на атомарно чистой поверхности Si(lll) 7x7 в элементарной ячейке атомов с разным характером связей оказывает существенное влияние на их химическую активность. В частности…	Болотов, Леонид Николаевич	1996
Смешивание дырочных состояний на полупроводниковых гетеропереходах (001) при нормальном падении В связи с этим остро встал вопрос о смешивании состояний но: сителей на идеальных гетероинтёрфейса х. Ранее неидеальность интерфейсов позволяла опираться на достаточно общие заключения о виде граничных условий для огибающих волновых функций на них, так как рассмотрение мелких деталей представлялось неоправданным. Теперь, когда имеется возможность…	Каминский, Алексей Юрьевич	1996
Спектроскопия комбинационного рассеяния света слоистых полупроводниковых структур Процесс КРС на фононах, который осуществляется через возбужденные состояния электронной подсистемы кристалла, и итогом которого является ролвдение (или исчезновение) фонона и испускание кванта света, несет в себе ценную информацию о: 1) фононном спектре кристалла, 2) механизмах электрон-фононного взаимодействия, 3) механизмах фонон-фононного…	Гайслер, Владимир Анатольевич	1996
Спектроскопия поляризованной люминесценции полумагнитных полупроводников CdMnTe и квантовых ям CdTe/CdMnTe Полумагнитные полупроводники (ПМП) за последнее десятилетие выделились в особый класс полупроводниковых материалов. Ежегодно публикуются десятки работ по физике ПМП, проводятся конференции, специально посвященные этим веществам. Специфика ПМП заключается в сочетании типичных свойств полупроводниковых твердых растворов с аномально яркими магнитными…	Кудинов, Алексей Валерьевич	1996
Структура и свойства дефектов с глубокими уровнями в эпитаксиальных слоях фосфида галлия Развитие оптоэдектроники в настоящее время существенно зависит от технологии получения полупроводниковых материалов с заданными параметрами. Дефекты с глубокими уровнями участвуют в процессах захвата, генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда, определяют квантовый выход светодиодов, влияют на быстродействие и обратные токи диодов, на…	Сказочкин, Александр Викторович	1996
Структура та iнжекцiйна електролюмiнесценцiя гетеропереходу ZnO—ZnSe одержаного методом радикало-променевоi гетеруючоi епiтаксii Актуальність роботи. Унікальність властивостей напівпровідникових сполук групи А2В8 — широка заборонена зона, високий квантовий вихід фотолюмінесценції, велика величина константи електромеханічного зв’язку — обумовлюють інтенсивні дослідження можливості їх застосування у оптоєлектроішці, акустоелектрониці, лазерній техніці. Хороша випромінювальна…	Рогозин, Егор Викторович	1996
Структура, электрические и оптические свойства аморфных пленок InSb-Ge Вагоме місце серед аморфних матеріалів групи ДЗВ5 займають онкоплівкові конденсати ІпБЬ, структура яких є проміжною між етраедричними (аморфні Єє (Бі)) та халько-генідними невпорядкованими іатеріалами (аморфний Бе та ін ). У зв'язку з викладеним актуальним є ивчення залежності структури ближнього порядку, кінетики кристалізації, )ізичних…	Салах Ель-Дин, Махмуд Мохамед Сальман	1996
Структура, электрические и оптические свойства аморфных сплавов InSb-Ge Вагоме місце серед аморфних матеріалів групи АЗВ5 займають онкоплівкові конденсати ІпБЬ, структура яких є проміжною між етраедричними (аморфні ве (Бі)) та халько-генідними невпорядкованими іатеріалами (аморфний Бе та ін.). У зв'язку з викладеним актуальним е ивчення залежності структури ближнього порядку', кінетики кристалізації, іізичних…	Салах Эль-Дин, Махмуд Мохамед Сальман	1996
Структурные свойства поверхностного нарушенного слоя монокристаллов кремния Актуальність проблеми. Монокристалічний кремній за теперішнього часу є основою сучасної інтегральної електроніки. Зростання вимог до параметрів напівпровідникових приладів та інтегральних схем зумовлює необхідність одержання кристалів з високим ступенем досконалості. Починаючи з перших кремнієвих транзисторів та закінчуючи сучасним поколінням…	Алексеев, Александр Евгеньевич	1996
Структурные свойства приповерхностного нарушенного слоя монокристаллов кремния Актуальність проблеми. Монокристалічний кремній за теперішнього часу є основою сучасної інтегральної електроніки. Зростання вимог до параметрів напівпровідникових приладів та інтегральних схем зумовлює необхідність одержання кристалів з високим ступенем досконалості. Починаючи з перших кремнієвих транзисторів та закінчуючи сучасним поколінням…	Алексеев, Александр Евгеньевич	1996
Теория спектра квазичастиц, взаимодействующих с фононами в многозонных системах разной размерности Особливим видом низькорозмірних гетеросистем е так звані квантові точки. Це такі гетероснстеми, всі три виміри яких є нанорозмірамн. Вони можуть мата різну геометрію: паралелепіпеди , циліндри обмеженої висота і радіуса, сфери і т.п. У останні рокп експериментально створені складні :феричні наногегеросистеми. Фізіпса квантових точок інтенсивно…	Войцеховская, Оксана Николаевна	1996
Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники …	Федоров, Вячеслав Александрович	1996