Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Лазерностимулированные изменения рефракции полупроводников типа AIIIBV и АIIВVI и оптические волноводы на их основе Актуалыисть теми дооиджень. Сучасне сусшльство використовуе 1 виробляе колосальну кшыисть шформацп. Продуктившстъ кнуючих в даний час шформацшних технолопй досягне свое! меж1 приблизно в 2000-у рощ на р1вш 10"-10!2 операщй за секунду[1*], що обумовлено обмеженнями ф1зичних мехашзм1в, на яких базуеться м1кроелектрош-ка…	Камуз, Александр Михайлович	1996
Локальные состояния в гидриде и дейтериде лития Гидрид лития обладает простой кристаллической структурой типа ЫаС1 (состоит из кристаллообразующих частиц, обладающих простейшим элект-юнным строением. Поэтому данное соединение представляет значитель-(ьгй интерес для физики примесных и собственных дефектов в ионных кристаллах, для радиационной физики, физики высоких давлений и др. 1рименензе…	Пилипенко, Геннадий Иванович	1996
Локальные энергетические воздействия в исследовании и получении полупроводниковых твердых растворов Из вышеизложенного представляется важным разработка подхода, обеспечивающего расширение аналитических возможностей локальных методов. Не менее актуальным является изучение с их помощью распределенных неоднородностей, возникающих в ПТР при легировании, и микровключений, образующихся при заданных термодинамических и кинетических условиях получения…	Мошников, Вячеслав Алексеевич	1996
Люминесценция и фазовые переходы в кристаллах сложных галогенидов со структурой типа В-K2SO4 Актуальність теми. Проблема вивчення структурних фазових переходів (ФП) в кристалах протягом багатьох років залишається однією з головних фундаментальних та прикладних задач фізики кристалів. Наявність широкого класу сполук, в яких спостерігаються ФП вимагає розробки нових методів дослідження механізмів ФП та розвитку мікроскопічних моделей, які б…	Фургала, Юрий Михайлович	1996
Методы создания периодических оптических неоднородностей и их использование в устройствах интегральной оптики Несмотря на наличие значительного числа работ, посвященных ис-. следованию и применению структур с периодическими оптическими не-однородностямп, с появлением новых источников излучения и освоением новых перспективных полупроводниковых материалов возникают новы? возможности для решения старых задач и постановки и решения новых…	Роткина (Гладышева), Лолита Геннадьевна	1996
Механизмы проводимости пленок фуллеренов C60 и С70 В литература имеются многочисленные, но существенно различающиеся экспериментальные данные, относящиеся к ширине запрещенной зоны, подвижности, эффективной массе [11,12]. Особенностью данной работы является определение основных электрофизических параметров в едином цикле электрических, оптических и структурных исследований, направленном на…	Немчук, Николай Игоревич	1996
Механизмы проводимости пленок фуллеренов С60 и С70 В литература имеются многочисленные, но существенно различающиеся экспериментальные данные, относящиеся к ширине запрещенной зоны, подвижности, эффективной массе [11,12). Особенностью данной работы является определение основных электрофизических параметров в едином цикле электрических, оптических и структурных исследований, направленном на…	Немчук, Николай Игоревич	1996
Моделирование процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах Характерной особенностью ионной имплантации является создание большого количества неравновесных радиационных дефектов, неоднородно распределенных по объему полупроводника. Это означает, что процессы диффузии протекают при сильно неравновесном состоянии и резко неоднородном распределении компонентов дефектно-примесной системы полупроводниковой…	Величко, Олег Иванович	1996
Модификация поверхностных слоев кремния высокоинтенсивными ионными пучками С начала 80-х годов в ряде исследовательских центров мира проводятся активные исследования по физике взаимодействия высо-коинтенспвных ионных пучков с полупроводниковыми кристаллами. Результатом явилась разработка принципиально новых направлений ионно-лучевой модификации материалов - синтез скрытых диэлектрических и проводящих слоев в кремнии…	Троицкий, Вячеслав Юрьевич	1996
Нелинейные акустоэлектронные явления в слоистых структурах пьезоэлектрик-полупроводник Многочисленные акустоэлектронные явления в слоистых структурах пьезоэлектрик-полупроводник обусловлены взаимодействием сопровождающих ПАВ электрических полей с носителями заряда полупроводника. Среди этих явлений можно выделить такие, которые" связаны с линейным и нелинейным акустоэлектронным взаимодействием ПАВ, при котором различные механизмы…	Вьюн, Владимир Алексеевич	1996
Неравновесные явления в системе электронов и фононов в полупроводниках Научная новизна работы определяется тем, что в ней обнаружен и исследован широкий класс новых неравновесных явлений, обуславливаемых электрон-фононной релаксацией; развиты новые экспериментальные методы модуляционной спектроскопии; выполнен ряд теоретических расчетов. Хотя свойства фононной подсистемы исследуются уже более 40 лет, только к началу…	Зиновьев, Николай Николаевич	1996
Новые полумагнитные полупроводники MxHgt-xSe(M-Cr, Со) получение и их основные свойства Актуалмпсть теми. Телурид 1 селешд ртут'1 I Тх сплаии з халькогетдами марганцю, зал)за, хрому, и осташн роки е об'ектамн штеисивиих досл'щжепь, як з чисто теоретично!' так т з практично-! гочок зору. Це обумоилеио такими сиециф'1Ч[шми нласпшостями…	Паранчич, Юрий Степанович	1996
Новые полумагнитные полупроводники MхHg1-xSe(M-Cr, Cо) получение и их основные свойства Актуалыпсть теми. Тслурид 1 селс1мд ргул Тх сплайн з халькогешдами марганцю, зал1за, хрому, и останш роки е об'ектами штепсивних досл!джень, як з чисто теоретично! так л з практично'! тонок зору. Це обумоилено такими спецнфЫними иластнвостями…	Паранчич, Юрий Степанович	1996
Обменные параметры переноса электронной теории молекулярных периодических структур со слабым взаимодействием фрагментов До органічних напівпровідників і діелектриків можуть бути віднесені органічні молекулярні кристали, кристали слабких донорно-акцепторних комплексів з переносом заряду, кристали іон-радикальних солей, полімери. Перші три групи органічних твердих тіл (за деякими винятками) являють собою типові молекулярні періодичні структури зі слабкою взаємодією…	Петренко, Александр Николаевич	1996
Объемный шум I/f и шумовая спектроскопия локальных уровней в материалах полупроводниковой электроники В большинстве полупроводников и полупроводниковых приборов шум со спектром 1/1 преобладает в области частот Ш02-!-10вГц. Уровень этого шума ограничивает параметры таких важных полупроводниковых приборов, как полевые и биполярные транзисторы, диода Ганна, лавинно-пролетные диоды, лазерные генераторы. Рабочая частота генераторов (в том числе СВЧ и…	Румянцев, Сергей Львович	1996
Оптико-электронные спектры кристаллов с фазовыми переходами в областях прозрачности и фундаментального поглощения Відомі експериментальні труднощі оптико-спектральних ви-прювань у вакуумній ультрафіолетовій (ВУФ) області спектру, і якій переважно реалізуються власні електронні збудження діелектричних кристалів, стримують їх ефективне використання іля дослідження звичайно невеликих змін відповідних парамет-іів при ФП. З іншого боку, з оптичними…	Андриевский, Богдан Викторович	1996
Оптическая спектроскопия фотостимулированных явлении в металлооксидных купратах Актуальність тр.ми. Серед різноманітних фізичних властивостей‘пе-ровскітоподібннх металооксидних купратів найбільш незвичайною є поява надпровідності при порівняно високих температурах - від ЗО до 164 К. За десять років, що минули- з часу відкриття високотемпературної надпровідності, синтезовано-нові 'класи сполук: Ьа-Ва(3г)-Си~0,:‘У—Ва-Си-О…	Малинич, Cepгей Захарович	1996
Оптическая спектроскопия фотостимулированных явлений в металлооксидных купратах Актуальність теми. Серед різноманітних фізичних влаЬтивоеШГпе-ровскітоподібних металооксидних купратів найбільш незвичайною є поява надпровідності при порівняно високих температурах - від ЗО до 164 К. За десять років, що минули- з часу відкриття високотемпературної надпровідності, синтезовано, нові класи сполук: Ьа-Ва(Зг)-Си~ОІ ‘У-Ва-Си-О…	Малинич, Сергей Захарович	1996
Оптические и фотоэлектрические свойства диарсенидов кадмия и цинка Развитие электронной техники связано с поиском и созданием новых полупроводниковых соединений. К числу новых полупроводниковых материалов относится ряд соединений элементов II и V групп (А2В5). Для выяснения перспективности новых соединений и для создания впоследствии на их основе приборов, необходимо детальное исследование свойств этих…	Семененя, Татьяна Викторовна	1996
Оптические явления при разогреве дырок в полупроводниках и размерно-квантованных гетероструктурах Ярким событием начала 80-х годов в физике полупроводников явилось создание целого ряда источников стимулированного излучения на горячих дырках в Се. Преимущество таких лазеров заключается в возможности перестройки длины волны излучения X в несколько раз при изменении величин электрического и магнитного полей. Одним из самых мощных источников этого…	Донецкий, Дмитрий Владимирович	1996