Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10
Тема работы Автор Год
Исследование динамических процессов генерации (рекомбинации) точечных дефектов и их агрегатов в теллуриде ртути и твердых растворах на его основе

Актуальність теми. Для виготовлення фотоелектричних реєстраторів елек-ромагнітного випромінювання в діапазоні довжин хвиль 3-5 та 7-14 /км досить іироко використовуються тверді розчини на основі халькогенідів ртуті, осо-ливо- CdjHgi-^Te (KPT). В ізоструктурній системі HgTe-CdTe спостерігається еобмежена розчинність складових як в рідкому, так і в…

Сторчун, Петр Евгеньевич 1996
Исследование поверхностных экситонов на границе раздела полупроводник-электролит

Состояние вопроса. В последнее время интенсивно изучалиа поверхностные экситоны в приповерхностных слоях и на граница> раздела полупроводник-электролит. Тем не менее, ряд вопросов которые имеют принципиальное значение для оптик* поверхностных экситонов, до сих нор остаются невыяснеиыми например: зависимость поверхностных экситонов от температуры I…

Шмавонян, Гагик Шмавонович 1996
Исследование полупроводниковых термоэлектрических интенсификаторов теплопередачи и разработка устройств для термостабилизации радиоэлектронных систем

Все расширяющая область применения полупроводниковых термоэлектрических устройств (ТЭУ) (микроэлектроника, радиоэлектроника, лазерная техника, оптика и т.д.) выдвигает новые требования к оборудованию и средствам для обеспечения интенсивного отвода теплоты от источников с высокими удельными тепловыми нагрузками. Эти требования столь разнообразны…

Гаджиева, Солтанат Магомедовна 1996
Исследование процессов роста субмикронных слоев на поверхности монокристаллов ниобия и кремния методом ожеэлектронной спектроскопии

Исследования процессов образования субмикронных слоев на поверхности монокристаллов металлов и полупроводников привлекают к себе устойчивое внимание. Этими процессами определяются свойства искусственных слоистых структур, которые актнвно используются как для развития элементной базы новых микроэлектронных устройств обработки сигналов, так и для…

Гельбух, Сергей Сергеевич 1996
Исследование процессов роста субмикронных слоев наповерхности монокристаллов ниобия и кремния методом оже-электронной спектроскопии

Исследования процессов образования субмикронных слоев на поверхности монокристаллов металлов и полупроводников привлекают к себе устойчивое внимание. Этими процессами определяются свойства искусственных слоистых структур, которые активно используются как для развития элементной базы новых микроэлектронных устройств обработки сигналов, так и для…

Гельбух, Сергей Сергеевич 1996
Исследование физических эффектов, связанных с инжекцией горячих электронов в кремниевых МДП-структурах с туннельно-тонким диэлектриком

В 1991 г. било обнаружено возрастание коэффициента усиления транзисторов на основе системы А1/310г/п-31 с ростом плотности тока за счет ударной ионизации (ожз-кониззции), вызываемой инжектированными горя'шми электронами [2]. К названию прибора было добавлено слово охе-транзистор [23. Несколько ранее шкекция горячих электронов наблюдалась в…

Векслер, Михаил Исаакович 1996
Исследование фононного спектра полупроводниковых сверхрешеток GaAs/AlAs методом комбинационного рассеяния света

Структуры с периодически повторяющимися слоями различных материалов получили название сверхрешеток (СР). Интерес к ним обусловлен принципиально новыми физическими свойствами, возникающими вследствие эффектов размерного квантования электронного и фононного спектра в направлений нормально к слоям СР. При исследовании этих эффектов модельными…

Тэннэ, Дмитрий Атович 1996
Квантово-интерференционный резонансный фототок в полупроводниках

Случай же квантующего магнитного поля исследован относительно мало. В работе [53 была предложена модель возникновения светоиндуцированного дрейфа электронов в полупроводнике при оптических переходах между уровнями Ландау. В этой модели ток увлечения ёозникает за счёт селективного (по скоростям) возбуждения электронов вследствие эффекта Допплера, и…

Терентьев, Яков Васильевич 1996
Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств

Практическая реализация перечисленных преимуществ возможна лишь ири условии, что будут созданы гетероструктуры, свойства которых близки к модельным. Дефекты, неконтролируемые примеси, случайные вариации состава могут привести к подавлению и даже полному исчезновению ожидаемых эффектов. В случае роста 1пОа(А1)А8 на йаАя или 1пР дополнительная…

Жуков, Алексей Евгеньевич 1996
Квантовые осцилляционные явления и роль оптических фононов в электрон-фононном взаимодействии в антимонидах кадмия и цинка

Сказанное в полной мере относится к антимонидам кадмия и цинка - узкозонным анизотропные полупроводникам системы А2В5. Начиная с 70-х годов, был выполнен ряд теоретических работ по расчетам зонной структуры СёБЬ и 2пБЬ, однако они носят достаточно приближенный характер вследствие сложной кристаллической структуры этих соединений. К моменту начала…

Смирнов, Дмитрий Витальевич 1996
Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур

В связи с широким использованием в радиоэлектронной аппаратуре ПП и ИМС, работ ающих на принципах переноса тока основными носителями заряда и выполненных на основе структур мегалл-диэлеетрик-полупроводник (МДП), становится актуальной задача выявления закономерностей физических процессов, протекающих в различных областях МДП-структур при…

Таперо, Константин Иванович 1996
Кинетика нейтронного легирования германия и его электрофизические свойства

Основными особенностями процесса нейтронного легирования германия является большое сечение захвата нейтронов я наличие у него трех "легирующих" изотопов 74яе, 76ве и 70вв, дающих примеси донорного и акцепторного типа. В стационарном состоянии нейтронного легирования (НЛ) германий представляет собой материал р-типа с фиксированной степенью…

Алексеенко, Маргарита Васильевна 1996
Кинетика электронных и адсорбционных процессов на поверхности арсенида галлия

Чаль -ланной-ваЙо.'т состояла в углублении представлений о взаимосвязи электронных и адсорбционных явлений на поверхности ваАе и количественной оценке вклада состояний электронного спектра поверхности в адсорбционные процессы…

Скутин, Евгений Дмитриевич 1996
Комплексное исследование примесно-дефектных состояний в ковалентных полупроводниках

Актуальи1сть теми. Практичне заотосувашш паиIвпраоIдниково-о матер!алу в значтй мгр! интзпачаеться природою, станом, кон-,ентрац!еп I прасторгшим розподоом дефектгв в об' емI кристалу. 3 глядом на и,в встановлення дефектно'! структур« та И еволюцП гид Дега р!зних факторхв у процес1 виготовлеиня, експлуатац!£ I збе-1гашм дискретшх елг.мент1в та…

Цмоць, Владимир Михайлович 1996
Конструкции и свойства кабельных герметичных вводов на базе керамических диэлектриков

Безопасность атомной станции есть результат безопасной рабо- ■ ты отдельных ее объектов и их составных частей. Являясь элементом Системы локализации аварий (ОЛЛ) герметичные своды кабелей играют огромную роль в обеспечении безопасности станции не только в нормальных условиях эксплуатации, по и л аварийных и послсаюрийных режимах…

Еранская, Татьяна Юрьевна 1996
Конструкции и свойств кабельных герметичных вводов на базе керамических диэлектриков

Безопасность атомной станции есть результат безопасной работы отдельных ее объектов и их составных частей. Являясь элементом Системы локализации аварий (Ш) герметичные вводы кабелей играют огромную роль в обеспечении безопасности станции не только в нормальных условиях эксплуатации, но и в аварийных и лослсаюрийных режимах…

Еранская, Татьяна Юрьевна 1996
Координаточувствительный фотоприемник мультискан: исследование процессов формирования сигнала и свойств координатной характеристики

Известные позиционно-чувствительные фотоприемники, такие как ФПЗС-приборы, четырех-квадх антные фотодиоды, фотопотенциометры, при&оры на основе МДП- и р-1-п-структур, по принципу своего действия требуют усиления ' и обработки электрического сигнала во внешних цепях, что не позволяет производить измерения положения оптического сигнала с точностью…

Токранова, Наталья Антоновна 1996
Корреляция и примеси в уакозонных полупроводниках и низкоразмерных структурах

Актуалтч1сть теми дснмпджеиь. В дисерташйнш робоп розгля-уто коло питанъ, пов'язаних з елекгронними кореляцшми в ап!впровщниках з домишками. Так1 кореляцИ е вщловадальыми за фюкти, що виникають внасл1Док взаемодп' М1ж елскгронною га омннковою пщсистемами. Електронш кореляцИ в шдсистем5 ¡льних носив струму обумовлюютъ ефекшвну М1ждом1шког,у…

Дугаев, Виталий Константинович 1996
Корреляция и примеси в узкозонных полупроводниках и низкоразмерных структурах

Актуалт'(1сть теми досл8джень. В дисергашший робоп розгля-уто коло пигань, пов'язаних з електронними кореляц1ями в ап1впров1ДНИках з домшшами. Так1 кореляцн е вщповщалььими за }>екги, що виникаютъ внаслщок взаемоди' М1Ж електронною га оминковою шд системами. Електронш ксреляцП в шдсйсгем! ¡льних носив струму обумовлюють ефекгивну М1ЖДом1шкову…

Дугаев, Виталий Константинович 1996
Лазерное оксидирование проводящих твердых тел

Лазерно-стимулированные процессы, происходящие в твердом теле зри контакте с активной атмосферой находятся в центре внимания ряда исследователей на протяжение последних десятилетий…

Ховив, Александр Михайлович 1996