Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Электронные и фотонные состояния в полупроводниковых структурах с интерференционным механизмом ограничения Эффекты электронной и оптической интерференции играют огромную роль в современной физике полупроводников. Это связано с достижениями технологии роста многослойных гетероструктур с высокого качества интерфейсами я полупроводниковых микрорезонаторов, в которых достигается размерное квантование световой волны. К интерференционным эффектам, строго…	Владимирова, Мария Рудольфовна	1997
Электронные явления в полумагнитных полупроводниковых твердых растворах на основе АIIВVI Особливо цшавими як з точки зору фундаментальних до-упдженъ так i можливостей практичного використання е марган-leBMÍcui тверд i розчини на ochobí халькогеиадв ртуп, що склада-оться Í3 компонент!в, од ni з яких е безнцлинними (иаприклад, IgSe, HgTe) або широкозонними (иаприклад, CdTe, CdSe) д!ама-штними натвпровщниками, a imui MnSe та МпТе…	Марьянчук, Павел Дмитриевич	1997
Электронный парамагнетизм углеродных материалов, модифицированных облучением и термической обработкой В работе исследовалось влияние таких внешних факторов, как ионная имплантация, электронное облучение, гидрогенизация и отжиг на парамагнитные свойства углеродных образцов. При выборе условий обработки учнтывалос. то, что ионная имплантация бора, азота, сурьмы широко применяется в промышленной технологии легирования материалов. Сильное различие…	Азарко, Игорь Иосифович	1997
Электропроводные бетоны на основе многокомпонентного смешанного вяжущего низкой водопотребности Особенно перспективными п езязя с этом становятся ссзпсгсвные электропроводные бетоны (бегэлы), получаемые на основе доступных сырьевых материалов, конструкции из которых имеют низхугэ металлоемкость. Созданные в последние годы бегэлы на основе вяжущих низкой водопотребносш (ВНВ) открывают новые перспективы для получения качественного материала…	Мельникова, Наталья Борисовна	1997
Электрофизические и рекомбинационные свойства трансмутационно легированных монокристаллов и эпитаксиальных слоев арсенида галлия Интерес к проблеме трансмутационного легирования арсенида галлия обусловлен возможностью получения с использованием данного метода однородно легированных монокристаллов и структур с точно заданным уровнем легирования мелкими примесями. Однако практическое получение высококачественного трансмугационно легированного баАз связано с преодолением ряда…	Шох, Владимир Федорович	1997
Электрофизические свойства и дефектообразование в узкощелевых полупроводниках с примесью In В свою очередь получение высокоэффективных материалов связано с исследованиями явлений переноса, зонной структуры, а также изучением влияния легирующего действия примесей на структуру и свойства материалов типа А2уВзу\| и А\|уВу…	Абайдулина, Татьяна Григорьевна	1997
Электрофизические свойства контактов редкоземельный металл-кремний, силицид редкоземельного металла-кремний и поверхностно-барьерных диодов на их основе Широкое применение контактов металл - полупроводник и полупроводниковых приборов на их основе вызывает необходимость поиска и исследования характеристик новых контактных систем, обладающих разнообразными функциональными свойствами. К числу перспективных металлов для создания эффективных барьеров Шотгки с кремнием р - типа проводимости относятся…	Милюткин, Евгений Александрович	1997
Электрофизические свойства кремниевых МПД-структур с оксидом самария и иттербия в качестве диэлектрика Несмотря на большое число работ, посвященных исследованию МДП-систем, и значительные успехи, достигнутые в понимании их свойств, многие вопросы, связанные с работой этих структур, до конца еще не могут считаться решенными. По-прежнему главными задачами этой области физики являются выяснение механизмов доминирующих физических процессов, протекающих…	Трусова, Алла Юрьевна	1997
Энергетическая структура, оптическое поглощение и процессы рассеивания в низкоразмерных системах на основе узкощелевых полупроводников A4B6 Актуальність теми досліджень. Одними з найбільш актуальних об’єктів напівпровідникової мікро- та оптоелектроніки на сьогодні є надгратки та квантові ями, що відкривають значні перспективи в конструюванні нових напівпровідникових приладів, побудованих на можливості керування їх енергетичною зонною структурою як за допомогою зміни складу компонент…	Забудский, Вячеслав Владимирович	1997
Энергетический спектр и электрофизические свойства переходных слоев в гетероструктурах GaAs-A23 B36 Однако имеются причины, затрудняющие практическую реализацию тех реимуществ, которые может дать применение СаАв в микроэлектронике, дна из них заключается в том, что СаАв является двухкомпонентным соеди-гнием. Поэтому его поверхность более восприимчива к воздействию раз-лчных химических веществ и процессов, используемых в технологии…	Стрыгин, Владимир Дмитриевич	1997
Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора Al x Ga1-xSb Актуальности темы. Прогресс в области полупроводниковой электроники неразрывно связан с поиском, исследованием и применением новых полупроводниковых материалов. На протяжении четверти века основные успехи в области полупроводниковой оптоэлектроники связаны с использованием особого класса материалов - полупроводниковых твердых растворов…	Гермогенов, Валерий Петрович	1997
Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ Особый интерес для полупроводниковой электроники представляет изучение новых физических явлений в слоистых структурах на основе диэлектриков и полупроводников. К числу таких явлений относится обнаруженный сравнительно недавно в некоторых тонкопленочных диэлектрических материалах эффект бистабильного переключения проводимости. Научный и…	Шалимова, Маргарита Борисовна	1997
Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках типа AII1-xMxBVI Актдшкть ttwü даглідоняіь. Останнім часом ведуться інтенсивні дослідження поршкяію нового класу напівпровідникових матеріалів, які поєднують в собі іиізспсаосіі звичайних напівпровідників і магнітних матеріалів - напівмагнітшгх каіііз::ро»ідників (НМН). До того класу належати напівпровідникові тверда ртики, кхо містять магнітну компоненту…	Трифаненко, Дмитрий Николаевич	1997
Явление аномальной фотопроводимости в полупроводниковых системах Окр1м перспектив технишого застосувания, досл!дження фотоелектричиих явищ мае важливе значения для з'ясування ряда загальних питань ф1зики нашвпрошдннкт До них належать: розширення уявлень про роль та мехашзми рекомбшацм елсктротп та д>рок в иашвпров1Дниках; досл1дження прнроди локальних докпшкових центр!в; досл1дження ефект1в фотоелектрично…	Клименко, Виктор Васильевич	1997
P-n-структуры на основе широкозонных полупроводников: SiC и A3N. Разработка технологии, получение и исследование Таким образом, существовала проблема разработки технологических методов изготовления многослойных эпитаксиальных р-п-структур широкозонных полупроводников и изучения физических свойств таких р-п-структур…	Дмитриев, Владимир Андреевич	1996
Быстродействующие сцинтилляторы на основе чистых и легированных кристаллов йодистого цезия Хщ подш виявшся таким, що питания практичного викорис-тагшя швидкодиочих сиинтилятор1в значно випереджали темпи досшджень, спрямованих на з'ясування ф1зичних мехашзм1в, що обумовлюготь швидкоплишп люмшесцентш процеси, та прикладш розробки MCTOfliß о держания високодосконалих кристадав, 3aco6iB контролю структури кристал1в та параметр…	Шляхтуров, Валерий Викторович	1996
Взаимодействие поверхностных акустических волн с электронными и рентгеновскими пучками С другой стороны, возможность управления параметрами акустической волны (амплитудой колебаний, длиной волны) позволяет рассматривать последнюю как удобную модель, на которой могут быть изучены процессы рассеяния всех видов излучения (оптического и рентгеновского излучений, нейтронов) сверхрешетками любой природы…	Рощупкин, Дмитрий Валентинович	1996
Взаимосвязь атомной структуры, морфологии и свойств гидрированных пленок углерода Вместе с тем, наиболее существенных изменений свойств материала следует ожидать при изменении его структуры на уровне ближнего порядка. С этой точки зрения уникальным элементом периоди-юской таблицы является углерод, полиморфные кристаллические мо-шфикации которого (алмаз, графит, карбин) обладают диаметраль-ю противоположными Физико-химическими…	Стукач, Сергей Николаевич	1996
Влияние изовалентной примеси кадмия на физические свойства кристаллов селенида цинка Мета' роботи - вивченім вплину ізовалеНТіюї домішки кадмію іш фізичні властивості кристалів селеніду цинку, створення на їх основі ряду приладів і визначений Можливостей практичного використання…	Березовский, Михаил Михайлович	1996
Влияние изовалентных замещений на статические и динамические свойства собственных сегнетоэлектриков (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6 Актуальн1оть_теми_ 1нтенсивн1 теоретичн1 та експеримен-тальн1 досл1дшення привели до значного прогресу у вивченн1 властивостей конденсоааних систем. Сучасна теор1я здатна по-яснити 1 передбачити р1зноман1.тнз., часто досить складн1, яви-ща у твердих тхлах 1 р:. динах. Але опис величезного набору ф1зичних явищ дивним чином зводиться до найпрост1шо1…	Ризак, Василий Михайлович	1996