Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Структура и проводимость тонких пленок жидкого диэлектрика на поверхности твердого тела …	Иванов, Игорь Владимирович	1997
Структуры сегнетоэлектрик-полупроводник: свойства, технология и применение Использование совокупности свойств сегнетоэлектрических материалов в составе многослойных структур, например, при непосредственном контакте с полупроводниками, существенно расширяет их функциональные возможности, так как параметры таких структур могут перестраиваться после воздействия импульсов поляризующего электрического поля. Интенсивное…	Афанасьев, Валентин Петрович	1997
Температурный гистерезис и угловое распределение интенсивности второй оптической гармоники в титанате бария с примесями Апробация результатов работы. Полученные результаты докладывались на семинарах кафедры физической электроники Российского государственного педагогического университета и на XIV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Иваново, 1995…	Залесский, Вячеслав Геннадьевич	1997
Теоретическое исследование беспороговых процессов оже-рекомбинации в полупроводниковых гетероструктурах В параграфе 2.1 выводится общая формула для расчета матричного элемента через интегралы перекрытия между начальными и конечными состояниями частиц. Квадрат модуля матричного элемента оже-перехода после статистического усреднения по начальным спиновым состояниям электронов имеет вид: < \|М\|2 >= \|М1\|2 + \|Л2и\|2-Ле(М-Щ),где…	Андреев, Алексей Дмитриевич	1997
Теоретическое исследование особенностей неэкспоненциальной релаксации в области стеклования на основе модели иерархически ограниченной динамики Характер отклика стеклообразующих материалов на внешнее воздействие может соответствовать или твердому или жидкоподобному агрегатному состоянию вещества в зависимости от времени наблюдения или частоты прикладываемого воздействия. В этом отношении стекло является твердым телом в том смысле, что временной масштаб для типично жидко-подобных явлений…	Волчек, Андрей Олегович	1997
Теория корреляционных эффектов при фазовых переходах в твердых телах Исчерпывающее теоретическое объяснение поведения вещества вблизи фазового перехода до сих пор-сопряжено .о рядом фундаментальных трудностей, хотя и здесь имеются несомненные достижения и успехи. Известно, что вблизи точга! потери устойчивости определенного состояния решающую роль начинают играть коллективные, эффекты и задача не сводится-к…	Щедрина, Наталия Васильевна	1997
Теория примесных состояний в полупроводниковых квантовых точках Важной особенностью ннзкоразмерных полупроводниковых систем является возможность целенаправленного изменения зонной структуры полупроводника при помощи варьирования геометрических параметров системы. С этой точки зрения наиболее интересными объектами являются так называемые полупроводниковые мнкрокристаллы различных форм, выращенные в…	Гаспарян, Арман Суренович	1997
Термодинамические модели расчета концентрации точечных дефектов с учетом их взаимодействия в элементарных и многокомпонентных полупроводниках Основное содержание работы докладывалось на научных семинарах и конференциях в Ульяновском Государственном Университете на физико-техническом факультете…	Комлев, Антон Васильевич	1997
Термо- и фотостимулированные процессы в системах полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда …	Костенко, Михаил Иванович	1997
Термомеханические напряжения в процессах формирования тонких пленок металла на основе золота на поверхности арсенида галия Практическая ценность: Данные о влиянии термомеханических напряжений и о возможности изменения состава приповерхностного слоя GaAs при воздействии электронных пучков, используемых в электронной литографии, пропускании постоянного или СВЧ тока, а также ПАВ, могут быть использованы при разработке технологии изготовления приборов на основе структур с…	Любченко, Дмитрий Владимирович	1997
Точечные дефекты в диоксиде кремния, исследование с помощью численного моделирования Диоксид кремния (ЭЮг) широко применяется в техпике в виде кристаллов кварца, в оптике в виде кварцевого стекла и в микроэлектропике в виде изолирующих аморфных пленок. Диоксид кремния представляет таяже большой интерес для фундаментальных исследований в физике твердого тела как один из простейших по химическому составу представителей широкощелевых…	Сулимов, Владимир Борисович	1997
Транспорт двумерных электронов в периодических решетках антиточек Периодические решетки антиточек создавались для того, чтобы наблюдать чисто квантовые эффекты, а именно, бабочку Хофштад-тера, описывающую структуру энергетических зон периодической решетки в магнитном поле, и эффект • Ааронова-Бома. Тем не менее, размеры большинства созданных структур превышают длину волны электрона и поэтому в них в первую…	Погосов, Артур Григорьевич	1997
Физические процессы в лавинных фотоприемниках на основе структуры кремний-широкозонный слой Решение вышеуказанных задач с помощьн традиционных лавинных фотодиодов СЛФД) затруднено из-за присутствия в реальных р-п-переходах локальных микропробоев (микроплазм), ограничивавших рабочую площадь и коэффициент усиления прибора. Микроплазмы проявляется как случайные импульсы тока больной амплитуды (от 10 мкА до 100 мкй), протекавшего во вневней…	Садыгов, Зираддин Ягуб-оглы	1997
Физические процессы определяющие прочность и долговечность волоконных световодов Первые волоконные световоды из кварцевого стекла изготавливались без полимерных оболочек и имели поэтому очень низкую прочность. Вскоре проблема повреждения световодов при вытяжке была решена путем использования защитных полимерных покрытий различных типов, которые наносились на световод прямо в процессе вытяжки и затвердевали до момента первого…	Семенов, Сергей Львович	1997
Формирование заготовок волоконных световодов методом легирования кварцевого стекла азотом, изучение их свойств Кварцевое стекло стало наиболее важным и широко используемым материалом доя изготовления волоконных световодов из-за его высокой прозрачности в широком диапазоне длин вол» и особенно в телекоммутвжщшишых окнах в районе 1.3 и 1.55 мкм, благодаря его высокой технологичности и превосходным физическим и механическим свойствам. В настоящее время в…	Храпко, Ростислав Радиевич	1997
Фотоэлектрические методы определения коэффициента примесного оптического поглощения в полупроводниках и их применение к GaAs Исследование оптического поглощения является одним из важнейших методов изучения энергетического спектра полупроводников: структуры энергетических зон и энергетического спектра примесных состояний. Коэффициент примесного оптического поглощения характеризует чистоту материала и совершенство его кристаллической структуры. Данные о концентрации…	Планкина, Светлана Михайловна	1997
Численный анализ физических процессов в мощных биполярных полупроводниковых структурах с учетом радиационных воздействий В последние годы радиационно-технологические процессы (РТП), состоящие из последовательных операций обработки высоко-энергетичными частицами и термостабилизирующего отжига, успешно применяются в производстве полупроводни .овых приборов, в частности, биполярных транзисторов и диодов. Радиационно-термическое воздействие приводит к формированию…	Клебанов, Максим Павлович	1997
Электрический пробой и электролюминисценция пленок ZnS:Mn, полученных высокочастотным магнетронным распылением Одним из вариантов решения данной проблемы является созданий электролюминесцентных (ЭЛ) экранов. Электролюминесцентный экран является серьезным конкурентом электронно-лучевой трубки и имеет ряд преимуществ. Он является технологичным н может иметь достаточно большую площадь при высокой равномерности характеристик. Кроме того, в одном…	Жигальский, Александр Анатольевич	1997
Электрический пробой и электролюминисценция пленок ZnStMn, полученных высокочастотным магнетронным распылением Одним из вариантов решения данной проблемы является создание электролюминесцентных (ЭЛ) экранов. Электролюминесцентный экран является серьезным конкурентом электронно-лучевой трубки и имеет ряд преимуществ. Он является технологичным и может иметь достаточно большую площадь при высокой равномерности характеристик. Кроме того, в одном…	Жигольский, Александр Анатольевич	1997
Электронно-эмиссионная спектроскопия поверхностей слоистых полупроводников типа А3В6 и кремния Особлив! умови, в яких знаходяться атоми поверхневих шар!в твердого т!ла, пор1внпно з об'емом, породаують специф1ку цих uaplB, що в1добрахаеться у в!дм1нност1 Зхн!х м1кроскоп1чних характеристик в!д об'емних. Досл!дчення .поверхонь шаруватих нап!впров!дникових кристал!в, в силу кваи!двом!рност1 таких матер!ал!в, е ц!кавими як •з фундаментально…	Ненчук, Тарас Николаевич	1997