Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Особенности формирования гетерограниц в системах Ge-ZnSe-GaAs и Pt-Si Одной из главных и постоянных проблем полупроводниковой технологии является создание желаемого пространственного распределения различных материалов в гетероструктурах и примесей в них. Использование МЛЭ дает возможность осуществлять программируемое распределение осаждаемых веществ в направлении роста с точностью до монослоя, а легирование может…	Супрун, Сергей Петрович	1997
Перенос сцинтилляционных фотонов и отклик диэлектрических кристаллов на ионизирующие излучения Сцинтиляційні діелектричні кристали широко застосовуються для спектрометрії іонізуючих випромінювань в ядерній фізиці, фізиці елементарних часток, медицині, геофізиці, радіоізотопному моніторингу. Висока прозорість сцинтиляційних діелектриків та можливість використання великих об’ємів речовини забезпечують їм істотні переваги у порівнянні з…	Глобус, Маргарита Ефремовна	1997
Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов …	Стефанович, Генрих Болеславович	1997
Подвижные дефекты как фактор нестабильности параметров полупроводников А2В6 Актуальність проблеми. Дослідження процесів взаємодії та перетворення дефектів кристалічної гратки є одним з найбільш актуальних напрямків сучасної фізики напівпровідників і діелектриків. Теоретичне значення цих досліджень полягає в тому, шо розуміння природи таких явищ є необхідним для подальшого розвитку фізики дефектів в твердому тілі. З іншого…	Маркевич, Ирина Васильевна	1997
Получение пленок и отжиг твердых растворов CdхIIQ1-хSe с помощью лазерного излучения Важливого проблемою в отриманні об'ємних чи плівкових структур ТР є неші границь розчинності■та рівномірний розподіл компонентів, чого ‘не вдається досягнути звичайними методами Еирощувяння. Наякраие таким вимогам відповідають методи лазерної технологи, які дозволять проводити технологии! процеси в екстремальних умовах при великих градієнтах…	Ничий, Сергей Васильевич	1997
Применение метода потенциалов нулевого радиуса для исследования сложных дефектов в полупроводниках Менее изучены физические характеристики тех полупроводников, примесные центры которых дают "глубокие" уровни энергии, так как потенциал их точно не определен. Для описания таких одиночных примесей в полупроводниках существуют разные модели и методы. Так например, в 1954 г. Луковский [1] впервые применил метод потенциалов нулевого радиуса [2], что…	Ильинский, Сергей Юрьевич	1997
Процессы дефектообразования в кремнии и фосфиде галлия, легированных редкоземельными элементами и изовалентными примесями Несмотря на достаточно интенсивные исследования полупроводников, содержащих редкоземельные элементы и мзовалентные примеси, ряд важных вопросов к моменту постановки данной работы оставался открытым. Так, например, было недостаточно изучено поведение основных легирующих примесей (В, Р) в БкИВП. Учитывая, что для изготовлении приемников ПК-излучения…	Вабищевич, Сергей Ананьевич	1997
Процессы дефектообразования и деградации параметров в кремниевых биполярных структурах при импульсном лазерном облучении В настоящее время при создании микроэлектронных приборов на основе кремния успешно используется импульсное лазерное излучение наносекундной длительности с интенсивностью, недостаточной для плавления материала (так называемый допороговый режим воздействия). Высокая плотность энергии лазерного излучения и локальность воздействия обеспечивают…	Сидорова-Бирюкова, Анна Алексеевна	1997
Процессы перемагничивания аморфных пленочных сплавов редкоземельных и переходных металлов для термомагнитной записи информации Развитие вычислительной техники требует постоянного увеличения емкости и быстродействия устройств хранения информации. При решении указанных задач значительное внимание уделяется созданию и совершенствованию магнитооптических накопителей, поскольку перпендикулярное намагничивание носителя и магнитооптическое считывание в таких устройствах…	Андреев, Алексей Александрович	1997
Прыжковая проводимость и переход диэлектрик-металл в кристаллическом германии, разупорядоченном радиацией АктуадьнесТЛг тему,, 8 последки» десятилетия физика неупор,-дочанных систем стала одним из интенсивно развирающихся направлений исследования физики конденсированной среды. Это обусловлено как большой практической важностью таких систем, так и успехами теоретического описания неупорядоченного состояния. Круг неупорядоченных систем чрезвычайно…	Ермолаев, Олег Павлович	1997
Радиационно-стимулированные процессы в диэлектрических кристаллах LiF-U-Me и NaF-U-Me Среди галогенидов щелочных металлов фториды, в частности, 1лР и КтаР, выделяются своей малой растворимостью в воде, высокой химической и термической устойчивостью, что весьма важно для практического использования кристаллов. Фтористый литий имеет важную отличительную…	Кидибаев, Мустафа Мусаевич	1997
Радиационные эффекты в активных областях кремниевых фотоприемных структур Надежность современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в зависимости от условий эксплуатации оценивается по уровням интенсивности отказов в пределах КГ'-КГ'ч"1. Перспективные требования по надежности приборов, предназначенных для использования в аппаратуре космических объектов длительного существования достигают по…	Таперо, Татьяна Юрьевна	1997
Развитие метода спектроскопии энергетических потерь быстрых электронов для исследования полупроводниковых материалов Актуальности уемы. Метод спектроскопии внергэтических потерь электронов - современный аналитический метод просвечивающей алэктроняой микроскопии, который может бить реализован в приборах о ультравысоким пространственным разрвшчнием. Анализ спектров позволяет получать сведения о химическом составе образца, валентных состояниях, его атомов…	Забегаева, Ульяна Глебовна	1997
Разработка неразрушающих автоматизированных методов исследования полупроводников и полупроводниковых структур С другой стороны, неразрушшоший контроль качества выращиваемых полупроводниковых структур способст вует оптимизации технологических процессов их получения и увеличению пропета выхода готовых изделий…	Уваров, Евгений Иванович	1997
Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок …	Плетнев, Петр Михайлович	1997
Релаксационные процессы в электретных пленках политетрафторэтилена и стабилизация параметров приборов на их основе Широкое использование электретов в элегаротюй промышленности в качестве активных злементоз различных устройств, потребность в создании электретов с конкретными заранее заданными параметрами, возможность прогнозирования и контроля этих параметров в процессе изготовления и эксплуатации делают важным исследование структуры заряда и условий его…	Шемонаев, Николай Викторович	1997
Рентгеноспектральный микроанализ пленочных ВТСП материалов на основе Y-Ba-Cu-O Определение состава в тонких пленках может оказаться эффективным для изучения свойств для оксидных сверхпроводников на основе меди. Открытие нового класса сверхпроводящих материалов стимулировало большое количество работ по развитию приборов на их основе, хак тех, где требуется один слой сверхпроводника: -межсоединения, инфракрасные приемники…	Третьяков, Владимир Владимирович	1997
Самоупорядоченные наноструктуры в диффузионных кремниевых p-n-переходах Баллистические свойства электронов и дырок еще более усиливаются при дополнительном ограничении их движения в двумерном слое, что в предельном случае приводит к реализации одномерных и нуль-мерных структур, получивших,соответстаенно,название квантовая проволока и квантовая I очка. Впервые квантовые проволоки и точки были индуцированы внешним…	Маляренко, Анна Михайловна	1997
СВЧ-фотопроводимость кристаллов алмаза Практическому использованию новых материалов твердотельной электроники неизбежно предшествует всестороннее изучение различных физических свойств этих материалов: оптических, электрических, механических и т.д. Вместе с тем, изучение электрофизических характеристик алмаза ограничено трудностями создания контактов к алмазу-изолятору и алмазу п-тнгт…	Захаров, Александр Георгиевич	1997
Сканирующая туннельная микроскопия границ раздела в гетероструктурах полупроводниковых соединений А III B V и A II B VI в атмосферных условиях В нашей работе в условиях комнатной атмосферы были исследованы границы раздела гетероструктур на основе 1пР, 1пАв, ОаАэ, гпБе -соединений, которые широко используются в оптоэлектронике…	Анкудинов, Александр Витальевич	1997