Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Катодолюминесйенйия алмаза, имплантированного ионами высоких энергий Одна из главных задач, которые предстоит решить при производстве приборов на основе алмаза, касается разработки методов контролируемого примесного легирования этого материала. В столь плотной кристаллической решетке обеспечить введение примеси с поверхности на необходимую глубину может ионная имплантация и, в частности, высокознергетичная ионная…	Филипп, Андрей Романович	1997
Кристаллическая структура, ориентационные станы и свойства редкоземельных галлатов Захист відбудеться 3 грудня 1997 р. о 15.15 годині на засіданні спеціалізованої вчено: ради Д 04.04.08 при Львівському державному університеті ім. І. Франка за адресою 290005, м. Львів, вул. Драгоманова, 50…	Савицкий, Дмитрий Иванович	1997
К теории пространственно-модулированных структур в сегнетомагнетиках с взаимодействием Дзялошинского Хотя в настоящее время известно более 70 сегнетомагнети-ков, на практике они используются слабо по ряду причин: низкая температура проявления сегнетоэлектрических ■ и магнитных свойств; сложности в получении монокристаллических образцов и т.п. С.учетом этого , перспективным сегнетомагнетиком является феррит висмута В1Ре03. Это соединение имеет…	Есина, Галина Анатольевна	1997
Лазерно-индуцированная модификация приповерхностных слоев CdTe и CdHgTe ИЛО, отличающееся локальностью и кратковременностью воздействия на материал, является уникальным инструментом направленной модификации свойств полупроводника. Известны применения данного процесса для отжига ионно-легированных слоев, формирования полупроводниковых слое в на подложках, создания омических контактов…	Головань, Леонид Анатольевич	1997
Магнитный резонанс точечных дефектов и их комплексов в полупроводниках Для идентификации дефектных центров необходимо определять их микроструктуру, симметрию и зарядовое состояние. Наиболее подходящими методами, которые одновременно могли удовлетворять всем условиям, шляются методы магнитной спектроскопии - электронного парамагнитного эезонанса и в особенности двойного электронно-ядерного резонанса (ДЭЯР), юэтому…	Ежевский, Александр Александрович	1997
Магнитооптические свойства обработанных гранатовых структур У всьому світі приділяється велика увага оксидним матеріалам, зокрема, кристалам і плівкам структури типу граната, оскільки вони є одним із матеріалів з целитенськими рівнями магнитооптичних ефектів, що поєднуються з хорошою прозорістю. Сюди, насамперед, відносяться Ві-містні ферит-гранати, на основі яких виробляють магнітооптичні диски…	Маслова, Оксана Владимировна	1997
Медленная релаксация примесного возбуждения в легированных полупроводниках В легированных полупроводниках наиболее быстрым процессом, определяющим время релаксации неравновесных носителей заряда при монополярном возбуждении, является захват на притягивающие ионы основной донорной или акцепторной (А") примесей. Этот процесс быстрой рекомбинации возможен благодаря захвату носителей в высокие возбужденные состояния…	Хвальковский, Николай Аркадьевич	1997
Моделирование электронной структуры, процессов образования и взаимодействия наноразмерных кластеров на основе углерода К 1997 году физика электронной структуры и коллективных возбуждений фуллеренов, ван-дер-вйальсовского взаимодействия между кластерами, энергетики образования различных фуллеренов изучена достаточно интегеивно. Установлено, что электронная структура Cao ~ кластера икосаэдрической симметрии - это "замкнутая оболочка" с энергетической щелью между…	Роткин, Вячеслав Вячеславович	1997
Модификация структуры и свойств аморфного кремния при ионной имплантации и отжиге В последние годы исключительно интенсивно развивается физика некристаллических веществ, к которым относятся жидкие металлы и полупроводники, стекла, аморфные металлические сплавы и т. д…	Хохлов, Дмитрий Александрович	1997
Модификация структуры и фотоэлектрических свойств твердых растворов Hg1-xCdxTe при наносекундном лазерном облучении Специфічні властивості лазерного випромінювання (висока інтенсивність, монохроматичність, короткочасність та локальність дії) знаходять все більш широке застосування на практиці для модифікації характеристик матеріалів, в тому числі і напівпровідників. Вивчення впливу лазерного випромінювання на дефектну структуру напівпровідників є частиною…	Копшинская, Елена Петровна	1997
Нанесение коммутационных и антидиффузионных слоев на силициды переходных металлов и кремний …	Соломкин, Федор Юрьевич	1997
Некоторые аспекты влияния нейтронного облучения на диэлектрические и оптические свойства керамических материалов в видимой, УФ и ИК - областях При использовании деталей из керамических диэлектриков, ра -ботаюцих в полях радиации необходимо учитывать изменение диэлектрических и оптических характеристик керамических материалов, облученных болькнии флвенсами нейтронов в атомных реакторах в процессе эксплуатации…	Щербакова, Елена Владимировна	1997
Некоторые вопросы теории экситонных состояний оптических свойств низкоразмерных полупроводниковых систем Не случайно, поэтому, что задачи, связанные с исследованием двумерных электронных систем, все еще остаются актуальными. Одной из разновидностей подобного рода задач, являются кулоновские задачи, возникающие при исследовании экситонов и примесей в низкоразмерных системах. С такими задачами также сталкиваются и при рассмотрении экситонных или…	Саркисян, Айк Араевич	1997
Образование пространственного заряда и возникновение ЭДС в пленках оксида алюминия при их взаимодействии с водой Для анодных оксидных пленок многих металлов характерно явление формирования пространственного заряда. Наличие пространственного заряда в этих пленках, природа которого остается до сих пор спорной и неоднозначной, указывает на возможность применения оксидных пленок алюминия в качестве анодоэлектретов, а также источников слабых токов. Современное…	Вилинская, Людмила Николаевна	1997
Образование структур дефектов на поверхности полупроводников под действием мощного лазерного излучения Одним из перспективных способов модификации свойств поверхности является лазерное облучение материала. К настоящему времени достигнут значительный прогресс в понимании физики лазерного воздействия на поверхность и накоплен обширный экспериментальный материал. Импульс к исследованиям в этой области был дан открытием эффекта импульсного . лазерного…	Шлыков, Юрий Геннадьевич	1997
Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов …	Шадрин, Евгений Борисович	1997
Оптические и рекомбинационные переходы в полупроводниках с дефектами, деформациями и неоднородностями состава Актуальн1сть теми. Оптичн! та електроф1зичн1 апастивост! нап!впров1аник1в 1 структур на !х основ! визначзклъся технологию Ххнього вкготовлення та умовзми Ххнього використання, що зумовлюють наяБн1сть локальних дефектгв та напружень. Оптичним тз рекомб1нац12ним переходам у нап1впров1дниках присвячено велику кшыисть теоретичних робп\ Однак переважна…	Стриха, Максим Витальевич	1997
Оптические свойства и параметры зонной структуры соединений некоторых редкоземельных элементов К проблемам соединений с промежуточной валентностью тесно примыкает и проблематика материалов с тяжелыми фермионами, для которых характерно наличие на уровне ферми электронов с очень большой эффетивной массой. Интерес к ним особенно возрос в связи с открытием в этом классе веществ явления сверхпроводимости. Примерно десять лет назад, решение…	Гигинеишвили, Акакий Власович	1997
Особенности микродефектов в монокристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского, выявляемые методом диффузного рассеяния рентгеновский лучей Среди проблем, связанных с созданием монокристаллов с заданными свойствами, определяемыми во многом совершенством и однородностью структуры, важное место занимают вопросы, касающиеся природы и свойств микродефектов (МД) кристаллической решетки, а также методов их исследования и неразрушаюгцего контроля. Особенно актуальны эти вопросы для физики…	Зотов, Николай Михайлович	1997
Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления Определены интервалы значений входной мощности, режимов работы ПТШ по . , постоянному току и параметров внешней СВЧ-схемы, при которых возникают и существуют.субгармонические колебания…	Тяжлов, Виталий Семенович	1997