Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Электрофизические свойства ионно-легированных металлфталоцианинов Фталоцианин и его металлокомплексы (металлфталоцианины) являются в настоящее время наиболее широко исследуемыми органическими полупроводниками, что связано с причинами как прикладного, так и чисто научного характера. Металлфталоцианины обладают уникальными термической и химической стойкостью в сочетании с полупроводниковыми и фотоэлектрическими…	Ильюшонок, Ирина Петровна	1998
Эмиссия вторичных нейтральных частиц при распылении полупроводниковых соединений ионами низких энергий Значительную часть распыленного потока составляют полиатомные образования - кластеры. Природа образования кластеров при распылении поверхности до конца не ясна: существует несколько конкурирующих моделей их образования, в разной степени согласующихся с экспериментальными данными. Изучение эмиссии полиатомных частиц актуально с точки зрения…	Кудрявцев, Юрий Алексеевич	1998
Энергетическая релаксация экситонов в полупроводниковых наноструктурах В 1970-х годах Есаки и Пу предложили идею полупроводниковой сверхрешетки — упорядоченной последовательности ультра-тонких слоев двух разных материалов. В последующие несколько лет был достигнут значительный прогресс в понимании этой новой области рукотворных полупроводниковых "материалов" или наноструктур, как их теперь часто называют…	Голуб, Леонид Евгеньевич	1998
Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма Из простых веществ к типичным полуметаллам относят элементы V группы таблицы Менделеева в кристаллическом состоянии: висмут, сурьму и мышьяк. Непрерывный ряд твердых растворов системы висмут-сурьма позволяет получить вещества с изменением ДЕ от перекрытия ДЕ = -43 мэВ в висмуте до запрещенной зоны ДЕ = 25 мэВ в сплаве Bio.85Sbo.15 и далее с…	Грабов, Владимир Минович	1998
Энергетический спектр электронных и колебательных состояний в полупроводниковых нанокристаллах …	Люблинская, Ольга Геннадьевна	1998
Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств В конце 80-х - начале 90-х годов исследовательскими группами И.Акасаки (I.Akasaki) in университета г. Нагоя (Япония) и С.Накамуры (S.Nakamura) из фирмы Nichia Chemical Industries, Ltd (Япония) был освоен эпитаксиальный рост GaN и его твердых растворов In GaN и AlGaN на сапфировых подложках методом газофазной эпитаксин из металлоорганических…	Лундин, Всеволод Владимирович	1998
Эпитаксия твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x из газовойфазы и физические свойства гетероструктур на их основе. Прогресс в развитии электронной техники во многом связан с разработкой и внедрением новых полупроводниковых материалов. К перспективным полупроводниковым материалам, наиболее полно отвечающим современным требованиям, относится карбид кремния и твердые растворы на его основе. В силу удачного сочетания полупроводниковых и физико-химических свойств…	Курбанов, Маликаждар Курбанович	1998
Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах …	Захарова, Анна Александровна	1998
Carrier interaction in quantum nanosystems Неге Л' is the number of electrons per 1 cm" at the n = 0 level, s/ф) is the refractive index at the frequency v. The ' ±v signs represent radiation with the right- and left-hand polarizations. The oscillator strengths /± are expressed in terms of t lie eigenfuiicl ions of t lie kernel /\" *1. From (4) it is clear t hat the absorption is governed…	Badalian, Samvel Michael	1997
Акустические и упругие свойства твердых многокомпонентных диэлектриков …	Беломестных, Владимир Николаевич	1997
Влияние дефектов структуры на электрические и оптические свойства монокристаллов CdS и AgхGaхGe1-хSe2 Захист відбудеться 26 грудня 1997 р. о 14 .30 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К.32.051.01 при Волинському державному університеті ім. Лесі Українки за адресою: 263021, м.Луцьк, вул. Потапова, 9…	Шаварова, Ганна Петровна	1997
Влияние примесей галлия и иттербия на электрические и фотоэлектрические свойства теллуридов свинца-олова-германия Актуальність теми досліджень. Перспективними матеріалами ІЧ-оптоелектроніки є напівпровідники типу А4Вб з домішками, які створюють глибокі або резонансні стани в енергетичному спектрі кристала. В таких системах спостерігається стабілізація рівня Фермі - концентрація носіїв заряду майже не залежить від концентрації інших домішок або дефектів, а…	Выграненко, Юрий Константинович	1997
Влияние процессов дефектообразования в кислородосодержащем германии на электрические свойства лавинных фотодиодов В промышленности для создания р-п-переходов широко распространен метод высокотемпературной диффузии. Этот процесс сопровождается интенсивным дефектообразованием. При этом создается большое количество дефектов, влияющих на работу полупроводниковых приборов. При повышении температуры кристалла появляются дополнительные вакансии. Они могут создавать…	Громова, Наталья Юрьевна	1997
Влияние процессов дефектообразования в кислородсодержащем германии на электрические свойства лавинных фотодиодов В промышленности для создания р-п-переходов широко распространен метод высокотемпературной диффузии. Этот процесс сопровождается интенсивным дефектообразованием. При этом создается большое количество дефектов, влияющих на работу полупроводниковых приборов. При повышении температуры кристалла появляются дополнительные вакансии. Они могут создавать…	Громова, Наталья Юрьевна	1997
Влияние радиационных дефектов, вводимых электронным облучением, на электрический пробой кремниевых p-n-переходов Применение полупроводниковых приборов в полях проникающих излучений, а также разработка и внедрение эфЕективннх радиационных методов в современную полупроводниковую технологию требуют всестороннего изучения влияния радиационных дефектов (РД) на их характеристики. Наряду с этим, выяснение роли различного рода структурных нарушений в электрическом…	Ластовский, Станислав Брониславович	1997
Влияние состояния поверхности и гетерограниц на оптоэлектронные свойства наноразмерных структур на основе пористого кремния и пленок арсенида галлия на кремнии Одним из основных направлений в развитии оптоэлектроники является создание приборов на основе квантово-размерных гетероструктур с большой разницей величин ширины запрещенной зоны. В силу развитости кремниевой технологии весьма., привлекательными являются наноразмерные гетероструктуры, выращенные на кремниевой подложке. Кроме того, кремний может…	Найденков, Михаил Николаевич	1997
Влияние трансмутантов на диэлектрические характеристики электрокерамических материалов при облучении большим флюенсом нейтронов Предыдущими исследователями частично изучена радиационная стойкость электрокерамик. Исследования в основном касались изучения воздействия различных видов радиации на макроскопические характеристики диэлектриков…	Каныгина, Ирина Владимировна	1997
Влияние факторов космического пространства на накопление собственных дефектов в оксиде цинка и терморегулирующих покрытиях на его основе До настоящего времени прогнозирование работоспособности покрытий осуществляли по изменению рабочей харахтеристики-интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения оц , который в наземных испытаниях определяется по спектрам диффузного отражения (р*) в солнечном диапазоне ( 0,22 - 2,1 мкм) до и после облучения образцов в форсированных…	Шарафутдинова, Влада Владиславовна	1997
Диагностика квантоворазмерных гетероструктур GaAs/InхGa1-xAs методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс Проблема диагностики ГКЯ заключается в определении различных параметров ГКЯ: энергетического спектра квантовых ям (КЯ), ширины запрещенной зоны гетерослоев, толщины гетерослоев, времен жизни неравновесных носителей в КЯ в отношении различных каналов рекомбинации и эмиссии носителей, примесно-дефектного состава слоев и др…	Филатов, Дмитрий Олегович	1997
Динамика решетки полупроводников со структурой сфалерита Одной из важнейших задач современной физики твердого тела является исследование материалов, использование которых в твердотельной электронике позволило бы улучшить рабочие характеристики создаваемых приборов и расширить область их применения…	Комарова, Ольга Львовна	1997