Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Токи и дефектообразование в ЩГК в сильных и сверхсильных электрических полях Исследование свойств ЩГК в сильных электрических полях ведется на протяжении многих лет. Но интерес к этим материалам как модели диэлектрика с ионной связью не ослабевает. Благодаря эффекту электрического упрочнения с уменьшением толщины диэлектрика появилась возможность проводить исследования ЩГК в сверхсильных электрических полях. Сверхсильные…	Солдатова, Людмила Юрьевна	1998
Транспорт носителей в аморфных диэлектриках МДП структур с пространственными неоднородностями Освоенность кремниевой технологии, позволяющая достигать высокие степени интеграции и высокую надежность микроэлектронных приборов позволяет утверждать, что основным базовым элементом СБИС останутся МДП структуры на основе кремния. Возможность формировать различные аморфные диэлектрики на кремниевой подложке обеспечивает большие функциональные…	Личманов, Юрий Олегович	1998
Физико-химические методы управления структурой и свойствами газочувствительных слоев на основе диоксида олова В настоящее время в системах оповещения находят широкое применение адсорбционно-полупроводниковые газовые датчики (АПГД) резистивного типа на основе поликристаллического диоксида олова. Принцип действия таких датчиков основан на обратимом характере адсорбционного отклика в присутствии и отсутствии газа-реагента и связан с модуляцией…	Дмитров, Димитр Ценов	1998
Физико-химические основы молекулярно-лучевой эпитаксии узкозонных полупроводников Pb1 Sn1-x Te и Cd x Hg1-x te Интенсивное развитие технологии молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и средств не-□рушаюшего контроля процессов роста пленок и гетерострукгур привело к возникновению >вого направления в полупроводниковом материаловедении - конструированию сложных ногослойных гетероэпитаксиальных композиций с заданным профилем состава. Инфракрас-.ie (ИК) системы…	Сидоров, Юрий Георгиевич	1998
Формирование и исследование зарядовых свойств МДП структур на основе оксида алюминия В первой главе проведен критический анализ основных методов получения тонких пленок А^Оз и их взаимосвязь с электрофизическими свойствами пленок оксида алюминия. Там же приведены основные положения метода молекулярного наслаивания. Синтез пленок методом МН заключается в поочередной, последовательной многократной обработки поверхности подложки…	Никифорова, Ирина Олеговна	1998
Формирование тонких пленок оксида олова методом реактивного распыления и исследование их газочувствительности Формированию и исследованию полупроводниковых газочувстви-ельных слоев в последние годы уделяется большое внимание. Это обу-ловлено тем, что решение целого ряда проблем, относящихся к защите жружающей среды, управлению технологическими процессами, контролю :ачества продуктов питания, физиологического состояния человека и др., вязывается с…	Ворошилов, Сергей Александрович	1998
Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами CaAs/AlAs …	Сапега, Виктор Федорович	1998
Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников …	Клюев, Виктор Григорьевич	1998
Фоточувствительный гетеропереход GaAs/CuPc До настоящего времени проведено большое количество исследований процессов, протекающих на границе раздела неорганических полупроводников. Существуют модели и теории гетеропереходов между ковалентными и ковалентно-ионными массивами и пленочными материалами с учетом энергетической структуры контактирующих материалов, поверхностных состояний на…	Корнейчук, Светлана Константиновна	1998
Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии …	Денисов, Юрий Алексеевич	1998
Фотоэлектрические свойства пленок моносульфида иттерия и сесквисульфидов самария диспрозия и иттербия Помимо традиционного применения в металлургической и керамической промышленности, соединения РЗЭ считаются перспективными и находят применения в электронике. Элементы памяти, устройства считывания информации, датчики давления, магнитного поля, тензодатчпкп, термоэлектрические устройства, селективные отражающие покрытия, люминофоры, светодиоды и…	Гзтришвили, Давид Гиоргиевич	1998
Характеризация полупроводниковых поверхностно-активных веществ SnxWyOz, CdxS(Se)1-x, In2O3 Актуальність теми. Серед великої різноманітності сенсорів особлива роль належить датчикам газового аналізу, що пояснюється зростаючого необхідністю зменшення енергетичних витрат при проведенні технологічних процесів, а також необхідністю контролю навколишнього середовища і робочих місць…	Голованов, Вячеслав Владимирович	1998
Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксиальном GaAs Состав и концентрации фоновых примесей и доминирующих при высоких уровнях легировании примесно-дефектных комплексов неизвестны заранее и определяются условиями получения материала. Поэтому важными задачами являются идентификация фоновых примесей и введенных при намеренном легировании дефектов, выяснение влияния таких дефектов на электронные…	Шамирзаев, Тимур Сезгирович	1998
Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs …	Шарирзаев, Тимур Сезгирович	1998
Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении …	Емельянова, Татьяна Геннадьевна	1998
Электромагнитная эмиссия строительных материалов …	Фурса, Татьяна Викторовна	1998
Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках Исследование электромагнитных эффектов в радиодиапазоне при различных воздействиях на кристаллические диэлектрики позволяет не только расширить область изучаемых физических свойств, но и логически завершить весь спектр наблюдаемых электромагнитных явлений в твердых телах. Эти работы представляют собой новое перспективное направление в физике…	Коровкин, Михаил Владимирович	1998
Электронное состояние поверхности GaAs и InP …	Бедный, Борис Ильич	1998
Электронное состояние поверхности GaAs и InР: диагностика, управление, пассивация Вместе с тем к началу выполнения настоящей работы (1980 г.) специалисты, анятые разработкой электронных приборов на основе ОаАв и 1пР, столкнулись с ерьезной физико-технологической проблемой, которая стала основным препятст-ием для практической реализации в полном объеме известных преимуществ этих [атериалов по сравнению с кремнием. Суть этой…	Бедный, Борис Ильич	1998
Электронные процессы в полевых гетероструктурах на основе системы Ga2 Se3 Si Объекты и методы исследования. Использовались подложки Si (ЮС (111) с удельным сопротивлением (1-н10) Ом-см, отмытые по стандартной i нологии, используемой в производстве ИС. Кроме гетероперехода Ga2Se исследовались системы Si02-Si и Ga2Se3-Si02-Si. В качестве металличес электродов использовались напыленные через маску слои А1 или Ni…	Кузьменко, Татьяна Алексеевна	1998