Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов …	Ланкин, Сергей Викторович	1998
Минизонный электронный спектр и транспорт горячих электронов в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния …	Санкин, Владимир Ильич	1998
Неизотермические процессы в системах кремния Большинство исследований по термодиффузии, связанной с наличием в системе градиентов концентраций (или химических потенциалов) компонентов и градиента температуры, выполнено на металлах и сплавах, так как они широко применяются в промышленности. В условиях градиента температуры часто находятся окислы металлов в ядерных реакторах, что породило…	Рудаков, Валерий Иванович	1998
Неизотермические процессы в системах на основе кремния …	Рудаков, Валерий Иванович	1998
Низкотемпературные теплофизические свойства кристаллических диэлектриков сложного состава В настоящей работе рассмотрено поведение теплоемкости и теплопроводности боратов, фианитов, лангаснта, а также керамического нитрида алюминия AIN в широком интервале температур и концентраций примесей (в ряде кристаллов). Полученные экспериментальные данные могут способствовать построению удовлетворительных теорий теплоемкости и теплопроводности…	Егоров, Геннадий Викторович	1998
Определение экстремальных направлений и исследование анизотропии упругоэлектрического и упругобарического эффектов в пьезоэлектрических кристаллах с применением аналитических и численных методов Аюяушпяоап* теми. Устройства с управлением процессом распространения акустической волны внешних воздействием, к числу которых относятся управляемые линии задержки, фазовращатели, датчики различных воздействий, имеют обширные технические приложения. Для создания акустазяектрснных устройств, в основе которых лежат "таете нелинейные эффекты, как УЭЭ…	Забелин, Алексей Николаевич	1998
Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5 …	Альперович, Виталий Львович	1998
Оптические свойства гетероструктур (Zn, Cd)Se/(Zn, Mg)(S, Se) с массивами квантовых точек …	Крестников, Игорь Леонидович	1998
Основные закономерности токообразования и формообразования ВАХ в солнечных элементах, диодах и транзисторах На пути практической реализации метода преобразования концентрированного солнечного излучения также возникает ряд проблем. Во-первых, при повышении мощности солнечного излучения пропорционально увеличивается плотность генерируемого в СЭ фототока, что требует усложнения конструкции СЭ для уменьшения омических потерь. Во-вторых, увеличивается…	Арипов, Хайрулла Кабилович	1998
Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д.И. Менделеева Замечания и отзызы по данной работе просим направлять пй адресу. 675000, г. Благовещенск пер. Репочный, КН. Амурский комплексный научно-исследовательский институт ДЁО РАИ…	Плажченко, Вероника Ивановна	1998
Особенности распределения заряженных центров в области пространственного заряда оптоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР И ОСОБЕННОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В НИХ ЭФФЕКТИВНОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЦЕНТРОВ ПРИ ТЕРМОПОЛЕВЫХ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ…	Маняхин, Федор Иванович	1998
Панорамные спектры легированных диэлектриков в субмиллиметровом и инфракрасном диапазонах волн На микроскопическом уровне сильно легированные кристаллы характеризуются частичным разунорядочением кристаллической решетки и повышенной свободой перемещений атомов или атомных групп. В колебательных спектрах на узкие фопонные резонансы накладываются дополнительно широкие по частоте релаксации, связанные с движением кластеров, доменов, свободных…	Командин, Геннадий Анатольевич	1998
Пассивация поверхности GaAs растворами сульфида натрия и сульфида аммония в спиртах Для большинства этих полупроводников и, в частности, для наиболее широко используемого соединения этого класса СаАБ характерно наличие высокой плотности поверхностных состояний вблизи середины запретной зоны, что является причиной жесткого закрепления поверхностного уровня Ферми и высокой скорости поверхностной безызлучательной рекомбинации. Эти…	Коненкова, Елена Васильевна	1998
Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов …	Ременный, Максим Анатольевич	1998
Планаризация диалектрика и повышение термостабильности алюминия при создании интегральных схем Наиболее перспективными направлениями преодоления данных ограничений являются бинаризация рельефа поверхности оплавлением легкоплавких <{>осфоро- и борофосфоросиликатного стекол и создание равновесной и термостабильной структуры легированных пленок алюминия…	Пономарь, Владимир Николаевич	1998
Поверхностные состояния и особенности электропроводности квазидвумерных электронных слоев в МДП- и гетеротранзисторах …	Зеленый, Александр Петрович	1998
Полупроводниковые InGaAsP/InP ( λ =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями …	Кучинский, Владимир Ильич	1998
Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками …	Устинов, Виктор Михайлович	1998
Получение и физические свойства монокристаллов Tl3PbГ5(Г- Cl,Br,I). Захист відбудеться 9 липня 1998 року о 10 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К.32.051.01 при Волинському державному університеті ім.Лесі Українки за адресою: 263021, м.Луцьк, вул.Потапова,9…	Федонюк, Анатолий Ананьевич	1998
Получение монокристаллов карбида кремния методом сублимации: моделирование как метод совершенствования технологии Основная задача в настоящее время состоит в развитии массового производства монокристаллов карбида кремния с низкой концентрацией дефектов и высокой однородностью свойств по сечению. Для этого должны быть изучены процессы, протекающие в реакторе во время роста кристаллов. В настоящее время эти процессы еще недостаточно изучены вследствие…	Кириллов, Борис Адольфович	1998