Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Исследование условий эпитаксиального роста новых варизонных твердых растворов (Ge2)1-x(ZnSc)x и их некоторых электрических, фотоэлектрических свойств Благодаря своим уникальным физичеосим свойствам полупроводиико-вые твердые растворы в настоящее время находят все более аирогае применение в полупроводниковом приборостроение,Тачими в настоящее время являются твердые растворы,полученные на основе элементарных полупроводников (Si.ee), соединений А^5, АгВб. Отдельные твердые растворы обладают…	Раззаков, Алижон Шоназарович	1998
Исследование фотоэмиссии из GaAs с отрицательным электронным сродством методом спектроскопии эмитированных электронов Несмотря на большой интерес к использованию фотоэмиттеров с ОЭС, до сих пор однозначно не определены физические механизмы, ограничивающие квантовый выход и спиновую поляризацию фотоэмитиро-ванных электронов. Не ясны и детали механизмов деградации фотоэмиттеров с ОЭС в вакуумных приборах и в установках с непрерывной откачкой. Для выяснения этих…	Орлов, Дмитрий Анатольевич	1998
Исследование электрооптических свойств двухатомных реальных кристаллов GaAs, ZnSe, CdTe, GaP и GaSe ЬоЗудАоуоЬ Jüaynb cn^gobyb'gAgibgÄoh Я?лц;йдБл'Зо jo^bóTígyAo пЗфоудАо bù^Abyiçyfeobùmyob jAo^oj^rjo 7;)Aön^’a^°*1 ЯлЬя"о>Ьр™р)0о‘Эо. (jbùgioù, Am3 Ayù^7jrt adb.4artn3yRôùi5>'a<4) Ьо^хз^ть be jay ao-^dab obyo> jAob^R^A 6оЗ‘у7)у?нт>л(і, АгоЗдц^сол ЬфА^ф^Ал TîmAboiù о{оулйп"]ГооЬл2)лп. уАоЬфлк^'уА 3ybgA7]o ЗоВлАуу^к^о цій bùj'ginûAn í?yf}yj(5¿)2><)b…	Зерагия, Эмзар Михайлович	1998
Исследования холестерико- нематического перехода в индуцированных холестериках для модуляции лазерного излучения Захист дисертації відбудеться 25 вересня 1998 р. о 15(Ю год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.051.01 при Чернівецькому державному університеті ім. Ю.А. Федьковича (274012, м.Чернівці, вул. Коцюбинського, 2…	Семенова, Юлия Валентиновна	1998
Катодолюминесценция нитрида галлия, полученного методом гидридно-хлоридной гетероэпитаксии на сапфире Одним из материалов, на основе которого можно решить эту за-1ачу является нитрид галлия. Он обладает высокой термической, хими-геской и радиационной стойкостью, имеет прямозонную энергетическую лруктуру и ширину запрещенной зоны Е„ =3,4 эВ при комнатной тем-тературе. В последние годы интерес к нитриду галлия чрезвычайно возрос в связи с тем…	Четверикова, Изабелла Федоровна	1998
Катодолюминесценция полумагнитных полупроводников на основе А2В6 Основным методом создания полупроводниковых материалов с заданными свойствами является легирование полупроводников различными типами примеси. Среди широкого спектра примесей, применяемых для легирования полупроводников А2Вб, элементы группы железа занимают особое положение, а полупроводниковые материалы, легированные элементами этой группы…	Резванов, Ренат Рашитович	1998
Квантовые проводимости квазидвумерных электронных систем с сильным флуктуационным потенциалом Наличие в перколяционных системах конечного пространственного масштаба самоусреднения сопротивления приводит к мезоскопическим явлениям в образцах с размерами, соизмеримыми с радиусом корреляции перколяционного кластера Ьс [3, 4]. Эффекты мезоскопики, хорошо изученные на примере прыжковой проводимости [5], практически не рассмат…	Бакаушин, Дмитрий Александрович	1998
Кинетика ионного транспорта в окисных слоях на поверхности кремния и эффекты ионно-электронного взаимодействия на межфазной границе SIO2 Si Цели настоящей работы - развитие комплексного аналитического и экспериментально-методического аппарата исследований ИП в диэлектрике МДП-структур, применение его для выяснения закономерностей транспорта ионов в слоях 5102, определение характеристик ИП и построение на этих основаниях адекватных физических моделей процесса переноса…	Чучева, Галина Викторовна	1998
Кинетические явления в низкоразмерных электронных системах с туннельной связью Тунелювання, як специф1чний квантовий ефект (не маючий аналопв у класичнш ф1зищ), штенсивно вивчаеться як у конденсованих середовищах, так i в шших системах вже багато роив. Але лише нещодавно розвиток технологи вироблення MiKpoструктур дозволив досииджувавти тунелювання у системах 3i зниженою po3MipnicTio. Широким фронтом ведуться як…	Райчев, Олег Эдуардович	1998
Короткопериодные сверхрешетки полупроводников со структурой цинковой обманки на примере CdTe/HgTe и GaAs/AlAs. ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальність теми досліджень. Розвиток напівпровідникового матеріалознавства в останні десятиліття вийшов на рівень досліджень напівпровідникових гєтероструктур. Ці системи стали об'єктом дослідження в більшості лабораторій світу, які займаються фізикою напівпровідників та напівпровідникового приладобудування. Однак…	Студенец, Виктор Иванович	1998
К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением …	Курочкин, Николай Евгеньевич	1998
К теории эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в двумерных полупроводниковых структурах …	Горный, Игорь Викторович	1998
Лазер на межподзонных переходах горячих дырок и его применение для исследования полупроводников и наноструктур …	Данилов, Сергей Николаевич	1998
Лазерная спектроскопия CdP2 тетрагональной модификации Маловивчений Еіапівпровідник СііРг тетрагональної модифікації (р) оцінюється як матеріал, перспективний в області прикладної нелінійної оптики, квантової електроніки і оптоелектроніки. Але будь-яка можливість практичного застосування напівпровідника вимагає детального дослідження його фізико-хімічних і фізичних властивостей. Фізичні властивост…	Слипухина, Ирина Андреевна	1998
Магнитные и механические свойства бинарных полупроводниковых соединений урана Зобдд^ ¿¿(^¿^(л.удсЭо Пл^лГчдЛ-дс^ол п7)до,НпЗо^.} 3C7g3gG(8)g¿obó ¡vó 3byjày)jo jJ^oGoírgin'b, ¿3^30133 3¿wo cígGógfócrigJob дС^дЗдБфдйо’Ь gC^gj^fnoGyjc^n tJ/JÔt)^ t)C?° 3óbó1ioóaig¿c^giol> (Здсолйдйл…	Берберашвили, Тамара Михаиловна	1998
Магнитокинетические явления в трехмерном и двумерном электронном газе в сплавах на основе теллурида ртути Актуальным является обнаружение в сплавах CdxHgbxTe в квантовом пределе магнитных полей для 3DEG различных особенностей на кривых pjk (Н) при гелиевых температурах, например, магнетофононного резонанса концентрации в трехмерном электронном газе в условиях разогрева электронного газа при приложении сильного электрического поля, а также осцилляций…	Хасбулатов, Александер Магомедович	1998
Магнитооптические свойства полумагнитных полупроводников и квантоворазмерных структур на их основе Захист відбудеться "29" жовтня 1998 р. о 1500 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому державному університеті , ім.Ю.Федьковича за адресою: 274012, м.Чернівц…	Столярчук, Игорь Дмитриевич	1998
Математическое моделирование электронного возбуждения полупроводников атомарным водородом Научная новизна. Показано, что экспериментальные данные регистрации интенсивности РРЛ (I) и ХЭ (I") заряженных частиц, ] -гистрации ДЭР (Р), адсорбции и десорбции (N) при взаимодейст] диссоциированного на атомы водорода с поверхностью твердых ' нельзя объяснить на основании традиционных механизмов ударной j комбинации Или-Ридила, или…	Иващук, Ольга Александровна	1998
Материальные и полевые характеристики текстурированных поликристаллов и композитов …	Яковлев, Виктор Борисович	1998
Механизм формирования быстрой радиолюминесценции в органических полупроводниках и диэлектриках Актуальність теми. Механізм швидкої радіолюмінесценції обумовлюється, головним чином, початковими умовами генерації збуджених станів, які залежать від умов взаємодії іонізуючого випромінювання з речовиною, умов генерації, транспорту та рекомбінації носіїв заряду. Вивчення процесу транспорту носіїв заряду у молекулярних органічних системах - це…	Тарасенко, Олег Анатольевич	1998