Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников
Код ВАК 01.04.10Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Исследование влияния внешних воздействий на кинетические процессы в активных элементах пленочных ИК-детекторов на основе солей свинца
Одновременное обеспечение обоих положительных качеств представляется труднодостижимой, а порой недостижимой задачей. Зачастую для достижения практических целей бывает достаточно значительного увеличения одного из вышеупомянутых свойств детекторов. В отличие от монокристаллов в поликристаллах способы управления теми или иными свойствами более… |
Онаркулов, Каримберди Эгамбердиевич | 1998 |
Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации
… |
Бабаян, Андрей Владимирович | 1998 |
Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
… |
Угрюмова, Надежда Викторовна | 1998 |
Исследование газочувствительности тонких пленок оксида олова и возможности их применения для распознавания газов
… |
Сысоев, Виктор Владимирович | 1998 |
Исследование закономерностей формирования и электрофизических свойств сверхтонких слоев двуокиси кремния, полученных анодным окислением кремния
Повышение быстродействия и степени интеграции БИС и СБИС требует субмикронных размеров их активных элементов, в том числе -уменьшения толщины подзатворного диэлектрика МДП транзисторов до 10-30 нм. Однако электрофизические свойства систем диэлектрик -полупроводник (ДП) с тонким, толщиной с1оХ<100 нм, и сверхтонким, боХ<10 нм, диэлектриком, а также… |
Бершев, Никита Евгеньевич | 1998 |
Исследование излучательной рекомбинации винжекционных лазерных структурах на основе квантовых точек в системе (In,Ga,Al)As
Изобретение инжекционного гетеролазера произвело переворот в электронике, радикально улучшив достижимые приборные характеристики и создав основу для широкого применения полупроводниковых материалов в оптоэлектронике… |
Гордеев, Никита Юрьевич | 1998 |
Исследование линейных и нелинейных оптических свойств скандобората церия
… |
Мартынов, Александр Алексеевич | 1998 |
Исследование методов повышения эффективности электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Вместе с тем, для ряда применений, например, для использования ТП ЭЛИ в полноцветных ЭЛ индикаторных панелях, яркость свечения красного и синего цветов свечения является недостаточной. Для всех цветов свечения, кроме желтого, актуальным является также повышение светоотдачи, внутреннего и внешнего квантового выходов, энергетического выхода. Для… |
Сабитов, Олег Юрьевич | 1998 |
Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники
… |
Резвый, Ростислав Ростиславович | 1998 |
Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
… |
Питиримов, Алексей Николаевич | 1998 |
Исследование неоднородностей в ограненных монокристаллах халькогенидов свинца-олова, выращиваемых из паровой фазы
Твердые растворы халькогенидов свинца - халькогенидов олова находят практическое применение в оптоэлектронике и термоэнергетике. На их основе изготавливаются излучатели," фотоприемники и термоэлектрические преобразователи. К настоящему времени проведены обширные исследования свойств этих материалов… |
Горелик, Александр Иосифович | 1998 |
Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ
… |
Скрипаль, Александр Владимирович | 1998 |
Исследование особенностей инжекционных явлений в структурах р+-р-р+ и р+-n-р+ на базе сильно компенсированного кремния
В настоящее время обнаружены и исследованы автоколебания тока в различных полупроводниковых материалах. Анализ результатов этих работ показывает, во первых, что для наблюдения автоколебаний тока в этих материалах требуется ряд условий, котораые не всегда могут быть реализованы(из-за температурной области, освещения с определенной длиной волны… |
Аюпов, Кутуп Саутович | 1998 |
Исследование полупроводниковых эпитаксиальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
В качестве основных объектов исследования были выбраны структуры на базе полупроводниковых соединений А3В5. Интерес к данным материалам объясняется их широким использованием в современной нано- и оптоэлектронике. Широкие пределы изменения параметров решетки и ширины запрещенной зоны твердых растворов А3В5 позволяют создавать оптоэлектронные… |
Ивкин, Андрей Николаевич | 1998 |
Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
… |
Ивкин, Андрей Николаевич | 1998 |
Исследование процессов воздействия атомарного водорода на электрическую прочность кремниевых р-n-перехдов и на границу раздела кремний - диоксид кремния.
Проблема підвищення якості та надійності напівпровідникових приладів та інтегральних схем істотно пов’язана зі станом і властивостями поверхні, її зарядовим станом… |
Кошман, Андрей Ромуальдович | 1998 |
Исследование рензонансных состояний в бесщелевых и узкозонных полупроводниках
Характерною особливістю НМН є їх здатність перебувати в діамагнітному, парамагнітному, антиферо- чи феромагнітному станах, а також в стані спінового скла, в залежності від вмісту магнітної компоненти… |
Романюк, Оксана Степановна | 1998 |
Исследование спектральных и динамических характеристик РОС-лазеров для волоконно-оптических линий связи
Излучательные характеристики полупроводниковых лазеров могут быть существенно улучшены методами зонной инженерии, т.е. управлением составами и толщинами эпитаксиальных слоев. Например, изменение взаимного расположения подзон легких и тяжелых дырок в валентной зоне приводит к изменению эффективной массы дырок, модификации спектров оптического… |
Соколовский, Григорий Семенович | 1998 |
Исследование структурных и электрических свойств композитных металл-диэлектрических пленок с металлическими гранулами нанометровых размеров
Композитные металл-диэлектрические материалы представляют собой макроскопически однородную смесь металла и диэлектрика. В зависимости от соотношения концентраций структура материала может представлять собой либо частицы металла диспергированные в диэлектрической матрице, либо наоборот. Известно, что проводимость таких материалов резко меняется… |
Хоренко, Виктор Владимирович | 1998 |
Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников
… |
Бодягин, Николай Викторович | 1998 |