Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb Повышенный интерес к антимониду галлия обусловлен и возможностями его успешного применения в термофотоэлектрических генераторах, используемых в качестве автономных источников электроэнергии. Ширина запрещенной зоны ОаБЬ в наибольшей мере соответствует спектру излучения эмиттеров, разогретых до экологически безопасных температур 1200-1400 °С…	Сорокина, Светлана Валерьевна	1999
Халькогениды элементов четвертой группы Поэтому развитие комплексных представлений о деградационных процессах в узкозонных полупроводниках и новых способах роста кристаллов структурно устойчивых к условиям термоциклирования является актуальной задачей как с научной, так и с практической точек зрения…	Бестаев, Мэлс Васильевич	1999
Частотные свойства магнитомягких ферритов с различной микроструктурой и формой …	Бажуков, Константин Юрьевич	1999
Экситонная спектроскопия гетероструктур на основе широкозонных II-VI полупроводников …	Платонов, Алексей Владимирович	1999
Экситоны в низкоразмерных анизотропных структурах и магнитном поле …	Яблонский, Александр Леонидович	1999
Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности Другим аспектом, обуславливающим необходимость изучения электрического пробоя, инициируемого СЭП в диэлектриках и полупроводниках, является перспективность использования этого явления в технике, например, в сильноточной электроразрядной электронике твердого тела при разработке коммутаторов и источников оптического излучения - стримерных и…	Олешко, Владимир Иванович	1999
Электронная микроскопия имплантированных структур на основе карбида кремния В настоящее время основным способом легирования SiC является введение примесей в процессе эпитаксиального роста. Однако этот метод не позволяет проводить селективное легирование, что необходимо для создания сложных интегральных схем. Метод ионной имплантации решает эту проблему в технологии SiC, однако процессу введения примеси в кристаллическую…	Суворова, Александра Александровна	1999
Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов Просвечивающая электронная микроскопия, которая во многих случаях ранее позволяла получать лишь качественную информацию об объекте, с начала 90-х годов постепенно становится количественным методом. Это обусловлено, с одной стороны, созданием новых поколений электронных микроскопов, обладающих улучшенными оптическими характеристиками и высокой…	Боргардт, Николай Иванович	1999
Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs Шоттки на основе ОаАэ является основанием для более детального исследования самого материала и электронных процессов, происходящих в ОПЗ приборов на его основе…	Жуков, Андрей Викторович	1999
Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена Объекты и методы исследования. Исследовались структуры, сформированные кратковременной (~5мин) обработкой подложек из монокристаллического арсенида галлия п-типа (с п~1022м"3 и п~1024м"3) в парах селена, а также структуры Оа28ез-ОаА8, сформированные длительной (~30мин) обработкой тех же подложек в парах селена. Слои ва28ез на подложках из ваАБ…	Сумец, Максим Петрович	1999
Электрооптические свойства несимметричных жидкокристаллических микролинз Результаты исследований докладывались на 16th International Liquid Crystal Conference (Kent, Ohio, USA, June 24-28, 1996); 3-й Международной конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-96" (Новосибирск, 1996); Международной научно-технической конференции "Научные основы высоких технологий" (Новосибирск, 1997); First…	Гвоздарев, Алексей Юрьевич	1999
Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика Поэтому работы учёных и инженеров в этой области направлены как на изучение электрофизических свойств систем МДП, так и на поиск новых материалов, которые бы позволили улучшить характеристики приборов на их основе. Среди основных путей улучшения параметров МДП-приборов и элементов интегральных схем (БИС и СБИС) следует выделить получение…	Бережной, Игорь Геннадьевич	1999
Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x Твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия являются непрерывными и при определенных составах они обладают прямой структурой зон. Важным свойством этих соединений является то, что в отличие от чистого A1N, который обладает преимущественно п-типом проводимости, они могут обладать как n-типом так и р-типом проводимости. К тому же, они могут…	Исабекова, Тамила Илахидиновна	1999
Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном …	Чистохин, Игорь Борисович	1998
Автоколебательные процессы в компенсированном кремнии, легированном серой В настоящее время достаточно хорошо изучены и исследованы свойства компенсированного кремния,легированного атомами Мп и 2п. Однако, не очень стабильное состояние этих примесей в решётке…	Курбанова, Угилой Хасановна	1998
Акустооптическая брэгговская дифракция многокомпонентного оптического излучения …	Котов, Владимир Михайлович	1998
Акустоэлектронные взаимодействия в фоторефрактивных кристаллах Необходимость дальнейшего совершенствования различных акусто-электронных устройств, предназначенных для обработки и записи информации в акустической форме стимулирует развитие известных и поиск новых принципов генерации, детектирования и преобразования акустических волн…	Голенищев-Кутузов, Александр Вадимович	1998
Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe Исследование ассоциатов точечных дефектов собственной и примесной природы в этих материалах представляет и фундаментальный интерес с точки зрения познания особенностей кристаллов с нарушенной трасляционной симметрией…	Магомедова, Патимат Мустафаевна	1998
Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы …	Мосин, Юрий Викторович	1998
Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов На современном этапе развитие проблем материаловедения стоит задача создания совершенных по структуре полупроводниковых материалов, что обусловлено высокой чувствительность электронных свойств материала к дефектам и неоднородностям структуры. Основные физические проблемы при реализации метода МЛЭ для создания сложных эпитаксиальных слоев состоят в…	Латышев, Александр Васильевич	1998