Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности …	Зайцев-Зотов, Сергей Владимирович	1999
Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ca, Sr, Ba)F2 - полупроводник При производстве кремниевых ИС основным недостатком используемой сегодня технологии является изоляция элементов схемы р-п -переходом. Наличие р-п - переходов снижает быстродействие, надежность, степень интеграции. Поэтому для создания монолитных и трехмерных ИС необходимо решить проблему создания полной диэлектрической изоляции между элементами…	Величко, Александр Андреевич	1999
Разработка технологии получения и исследование свойств интегральных фотодилдных структура на основе AlxGa1-xP/GaP/GayIn1-yP Практическая реализация многоцветных ФП, как известно, сопряжена с исследованиями по разработке технологии получения и оптимизации фотоэлектрических характеристик многопереходных структур с гомо и гетеропереходами для заданных диапазонов спектра. Для создания коротковолновых ФП, функционирующих в сине-фиолетовой и ближней УФ полосах спектра…	Ахмедова, Нодира Аминджановна	1999
Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах Первоначально интерес к использованию для изучения дефектной структуры кристаллов электромагнитных волн оптического диапазона был вызван поисками более простой в экспериментальном отношении альтернативы рентгеноструктурным метод исследования кристаллов [2]. Рентге-носгруктурный анализ к настоящему времени является одним из самых изученных в…	Задорожный, Филипп Михайлович	1999
Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов …	Лакалин, Александр Вячеславович	1999
Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением …	Кривоносов, Александр Николаевич	1999
Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 …	Малявка, Лариса Васильевна	1999
Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов CaInAsSb Границы области существования изопериодных с ОаБЬ твердых растворов йя] -х1п.хАэуЗЬ 1-у, полученных методом жидкофазной эпитаксии со стороны составов, близких к Оа8Ь, зависят от ориентации подложки; при этом максимальное содержание индия в таких твердых растворах, полученных при температуре Т=(600±3)°С, растет в ряду ориентаций положки ОаБЬ (100…	Куницына, Екатерина Вадимовна	1999
Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора Был предложен и развивается подход, в котором носителем информации выступает амплитуда электронной волновой функции в данной области квантовой системы (максимуму амплитуды отвечает логическая "1", минимуму амплитуды - логический "О"). Приложение к структуре внешнего напряжения изменяет энергетический спектр и позволяет управлять квантовой…	Шипицын, Дмитрий Святославович	1999
Спетры колебаний решетки и связанные с ними физические свойства сложных кристаллов …	Тютерев, Валерий Григорьевич	1999
Структурно-компенсационный фактор радиационной стойкости высокоглиноземистых керамических диэлектриков Сформулированный нами [10, 38, 44, 50] компенсационный принцип повышения радиационной стойкости керамических диэлектриков в сочетании с системно-структурным подходом исследований позволил выделить структурно-компенсационный фактор в качестве критерия оценки радиационной стойкости материалов. 6…	Астапова, Елена Степановна	1999
Структуро- и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом Исходя из имеющихся аппаратурного базиса и технологической культуры, в качестве основных материалов неорганической природы были выбраны широкозонный полупроводник - карбид кремния (SiC) и его изоструктурный аналог нитрид алюминия (A1N), обладающие кристаллохимической и гермомеханической совместимостями, а также сверхустойчивостью к воздействию…	Лучинин, Виктор Викторович	1999
Термокондуктометрические и калометрические эффекты при распространении поверхностных акустических волн в пьезоэлектрических монокристаллах …	Максимов, Сергей Александрович	1999
Тонкая структура нульмерных экситонов В настоящее время физика полупроводниковых низкоразмерных структур является одним из наиболее интенсивно развивающихся направлений физики полупроводников. В рамках этого направления ведутся исследования широкого класса объектов (обычно называемых квантовыми точками), в которых носители заряда пространственно ограничены во всех трёх измерениях…	Гупалов, Сергей Валерьевич	1999
Транспортные свойства твердотельных электронных биллиардов …	Буданцев, Максим Владимирович	1999
Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков Возможны два пути решения этих задач - традиционный и наиболее естественный, связанный с созданием измерительных средств, ориентированных на основное влияние интересующего параметра в отклике и подавление (компенсацию) других, побочных, не оказывающих значительного влияния на отклик системы в целом…	Петьков, Сергей Александрович	1999
Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами В свою очередь необходимой предпосылкой для этого является понимание физических эффектов, происходящих в структурах 8ь8Ю2 и создаваемых на их основе приборах и схемах под влиянием ИИ. По-прежнему главными задачами в этой области является выявление механизмов доминирующих физических процессов, протекающих на поверхности и в области…	Васин, Сергей Вячеславович	1999
Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О …	Копелевич, Григорий Александрович	1999
Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца …	Бондоков, Роберт Цветанов	1999
Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур Трехмерные микро- и наноструктуры формировались из эпитаксиальных структур на основе соединений АШВУ, выращенных на ОаАэ и 1пР подложках, в том числе из многослойных структур, содержащих слои ваАэ, А1Аз, ГпАэ, 1пСаАз, 1п8Ь. Большая часть этих структур была выращена в Институте физики полупроводников СО РАН методами молекулярно-лучевой эпитаксии…	Селезнев, Владимир Александрович	1999