Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Графит имеет слоистую структуру (б). Слои образованы рядом плоских параллельных сеток, состоящих из правильных шестигранников, в вершинах которых расположены атомы углерода. В плоскости каждый атом углерода имеет трех ближайших соседей, связанных прочными ковалентными связями, образованными за счет перекрывания Бр гибридизированных орбиталей. Эти…

Характерной особенностью большинства полупроводниковых приборов яв-мется то, что они содержат области различного уровня легирования и типа фоводимости, что приводит к появлению областей пространственного заряда ОПЗ). Более того, ОПЗ могут присутствовать в объемных и пленочных полу-фоводниковых материалах. Это -межкристаллитные границы в…

Кроме того, наличие ОПЗ и, следовательно, встроенных электрических полей в полупроводниковых материалах и структурах на их основе может приводить и к особенностям проявления РД в экспериментальных исследованиях. Например, встроенные электрические поля, создаваемые ОР, могут влиять на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней и тем самым…

Разработке технологии изготовления омических контактов к карбиду кремния посвящено большое количество работ. Показана возможность использования в качестве контактных покрытий целого ряда материалов. Однако, вплоть до настоящего времени, наблюдаются существенные различия в экспериментальных результатах, полученных разными авторами даже при…

В то же время следует сказать, что целый ряд фундаментальных параметров электронной структуры не только для систем с пониженной размерностью, но и для объемных кристаллов, которые необходимы для точных расчетов и содержательных оценок, все еще недостаточно хорошо изучен, а имеющиеся сведения зачастую не точны и противоречивы. Следует также иметь в…

…

…

Показана близость спектра обычных, обобщенных и магнитоупругих волн Лява к поперечным нормальным модам при высоких частотах для ситуации жесткого слоя и мягкого полупространства…

Применение поляризаторов в устройствах интегральной оптики связано с необходимостью обработки оптического излучения со вполне определенным состоянием поляризации, в то время как реальные интегрально-оптические волноводы деполяризуют оптическое излучение. Обыкновенные оптические волокна поляризацию излучения также не сохраняют. Поляризаторы…

…

Благодаря ряду нетривиальных электрических, фотоэлектрических и оптических свойств оксиды свинца и висмута нашли широкое применение в качестве базового материала для изготовления мишеней видиконов, электрофотографических слоев, фотовольтаических ячеек, туннельных диодов, высоковольтных варисторов, пьезоэлектрических датчиков поверхностных…

Впервые решено кинетическое уравнение для электронов средних энергий, возбуждаемых в полубесконечной однородной по составу мишени монохроматическим рентгеновским излучением в приближении диффузионного характера транспорта и получен аналитический вид функции выхода электронов…

Подробное рассмотрение теории гармонического осциллятора показало, что эта модель применима для описания релаксационной поляризации на слабосвязанных ионах в твёрдых диэлектриках Уравнение (2.2) и резонансные формулы (2.29) и (2.38) описывают как гармонические, так и релаксационные колебания. Это утверждение подтверждается тем, что резонансные…

Систематического и объемного исследования в данном направлении не наблюдалось: имелись работы по низкотемпературному облучению КРТ высокоэнергетическими частицами (в первую очередь, электронами) и работы практического характера, связанные с получением п-р переходов на КРТ облучением высокоэнергетическими ионами…

Использование известных методов управления свойствами соединения КРТ и структур на его основе путем длительного отжига в атмосфере металла или халькогена и легирования примесями не позволяло решить поставленные задачи по получению материала с параметрами, необходимыми для создания высокочувствительных фотоприемников. Совершенствование технологии…

В последнее время было предложено использовать в радиационной технологии полупроводниковых приборов излучение изотопных альфа-источников. Однако, к моменту постановки работы отсутствовали систематические данные об особенностях образования дефектов, их параметрах и природе при облучении альфа-частицами…

Как показывает опыт, после аморфизации кристаллического материала происходит снижение пороговой энергии смещения атомов по сравнению с кристаллическим состоянием, что дает возможность осуществлять атомные перестройки аморфной структуры под действием подпорогового облучения (т.е. такого облучения, когда атомам вещества передаётся энергия меньше…

Эффективность использования РТО обусловлена возможностью контролируемого введения термостабильных радиационных центров (РЦ) в активные области микроэлектрон н ых структур, которые действуют в полупроводнике подобно донорам., акцепторам и глубоким рекомбинационным центрам химической природы. При достаточно высоких концентра.циях РЦ вза имодействие…

…

Широкое использование квантово-размерных структур в приборах оптоэлектроники, а также разработка новых оптических методов контроля качества полупроводниковых материалов и структур привели к необходимости создания теории, способной давать не только качественные, но и количественные оценки наблюдаемым оптическим явлениям. Как известно, вблизи…