Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур Образование комплексов из примесей, вакансий, междоузельных атомов под действием ионизирующих излучений активно исследуется различными авторами. Изучаются процессы взаимодействия вторичных радиационных дефектов с атомами водорода и лития. Комплексы, содержащие литий, являются более стабильными, чем содержащие водород, однако их образование и…	Богатов, Николай Маркович	1999
Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники Несмотря на различные механизмы передачи энергии молекулам и атомам вещества (соударения частиц вещества со сверхтепловыми скоростями; неупругое взаимодействие с электронами, ионами, нейтронами; поглощение и рассеяние фотонов; взаимодействие с сильными электрическими и магнитными полями, ядерные реакции и т.д.) общим критерием экстремальности…	Ракитин, Сергей Александрович	1999
Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах Вольтамперные характеристики приборов (ВАХ), как правило, используются для диагностики механизмов переноса тока, практически не используются для определения параметров центров рекомбинации. Расширяется применение полупроводниковых структур с компенсированными слоями, неоднородных и неупорядоченных полупроводников. ВАХ структур данного типа имеют…	Грушко, Наталия Сергеевна	1999
Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах Автор выражает глубокую благодарность Комлеву A.B. за создание программного обеспечения к установке ВАХ, ВФХ и разработку интерфейса к запоминающему осциллографу С9-16…	Сомов, Андрей Ильич	1999
Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах Эксперименты показывают, что все процессы, связанные с деградацией или термодинамическим неравновесием систем, сопровождаются появлением или заметным повышением уровня их собственных низкочастотных шумов, что используется для неразрушаю-щего контроля изделий электронной техники и в исследовательских целях. Не составляют исключения и…	Лукашов, Николай Васильевич	1999
Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия Использование в качестве объекта исследования структур Б^Ю,, полученных термическим окислением, обусловлено как высоким совершенством межфазовой границы (МФГ) кремний-двуокись кремния, так и широким использованием данных структур в качестве основы элементной базы современной микроэлектроники. Если первое обстоятельство позволяет детально изучить…	Мустафа Назар Селман	1999
Дефекты, кристаллографическое упорядочение, свойства оксидов со структурой граната В настоящее время существует много исследований, посвященных изучению влияния дефектов структуры на физико-химические свойства кристаллов-гранатов. Как правило, изучение кристаллохимического разупорядочения и точечных дефектов экспериментальными методами (дифракционными, резонансными, методами основанными на изучении зависимости свойств от…	Карбань, Оксана Владиславовна	1999
Динамика фазовых превращений релаксорных сегнетоэлектриков в спектрах комбинационного рассеяния света В последние годы ведутся обширные исследования, направленные на детальное изучение как модельных соединений, таких как PbMgi/3Nb2/303 -(PMN), РЬБсшТашОз - (PST), так и новых соединений на их базе. Причем основное внимание привлекают диэлектрические характеристики соединений и их структура. На первый взгляд это неудивительно, если вспомнить, что…	Рогачева, Екатерина Александровна	1999
Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых δ-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала Попытки создания крупноформатных планарных смотрящих ИК ПЗС и ПЗИ матриц с высокими пороговыми характеристиками на основе узкозонных полупроводников оказались неудачными еще и потому, что в таких матрицах туннельный ток ограничивает коэффициент переноса и быстродействие [9]. Кроме того, высокая плотность поверхностных состояний на границе раздела…	Селяков, Андрей Юрьевич	1999
Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах Относительно возможного механизма дырочного транспорта в термическом окисле до настоящего времени существует две точки зрения: имеет место либо прыжковый перенос по ловушкам распределенным в запрещенной зоне окисла, либо многозахватный, лимитируемый выбросом с ловушек перенос дырок по валентной зоне. Модель прыжковой проводимости с участием…	Вишняков, Алексей Витальевич	1999
Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантоворазмерных структур Существенной особенностью твердых растворов является возможность плавно и в широких пределах управлять параметрами материала путем изменения его состава. Это, в свою очередь, позволяет проследить влияние изменений основных свойств материала на фундаментальные физические процессы и примесные состояния в твердых телах…	Соломонов, Александр Васильевич	1999
Закономерности, связывающие электрические, тепловые и механические свойства твердых тел Интерес к карбидокремниевым материалам был вызван тем, что в последнее время большое внимание уделяется разработке новых жаропрочных керамических материалов, в частности, на основе карбида кремния [14-18], способных выдерживать высокие термомеханические нагрузки. Причем, в карбидокремниевых материалах практически отсутствует пластическая…	Палчаев, Даир Каирович	1999
Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников Изучение закономерностей формирования, физических свойств структур металл-полупроводник и гетеропереходов на основе широкозонных полупроводников представляет как практический интерес для применения их в микроэлектронике и оптоэлектронике, так и научную ценность, поскольку они способствуют разработке вопросов о природе и механизме формирования…	Гусейханов, Магомедбаг Кагирович	1999
Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ρ-легированном арсениде галлия …	Гилинский, Александр Михайлович	1999
Изовалентное легирование …	Чалдышев, Владимир Викторович	1999
Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твердотельного синтеза Возможность детального исследования системы Si-CoSi2 может служить моделью для изучения фазообразования других переходных металлов в кремнии, а также для исследования границы раздела фаз силицид металла/кремний, в связи с ее достаточно простым способом получения и изучения…	Подгорный, Дмитрий Андреевич	1999
Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах …	Иванкив, Игорь Михайлович	1999
Исследование контактов металл-фосфид галлия и разработка УФ фотоприемников на их основе Поверхностно-барьерные структуры на основе фосфида галлия представляют большой интерес для создания высокоэффективных фотоприемников УФ диапазона. Теоретические оценки показывают, что такие приборы могут иметь высокую фоточувствительность, повышенное быстродействие, стабильность характеристик и низкие темновые токи. Подобные фотоприемники…	Орлова, Татьяна Алексеевна	1999
Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Развитие МЛЭ выявило приоритетный способ создания потенциальных барьеров и ям, заключающийся в чередовании полупроводниковых материалов с разными ширинами запрещенной зоны. Таким образом, подавляющее большинство квантово-размерных систем представляет собой полупроводниковые гетероструктуры. Основной системой для создания гетероструктур является…	Евстигнеев, Сергей Владимирович	1999
Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах Простейшими малоинерционными детекторами ИК излучения могут служить охлаждаемые до 77 К германиевые и кремниевые одноэлементные диодные р- ; п структуры, хотя их квантовая эффективность в диапазоне ~10 мкм невелика. По- 1 высить эффективность детектирования возможно используя триодные приемники излучения, которые сочетают внутреннее усиление с…	Амосова, Лариса Павловна	1999