Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs Тм - температуре хЛ - глубина, измеренная С-У методом й - частота уп - коэффициент захвата электронов глубоким центром ур - коэффициент захвата дырок глубокими центрами ап - сечение захвата электронов на уровни стр - сечение захвата дырок на уровни т - постоянная времени релаксации…	Самойлов, Виктор Александрович	2000
Роль примесных ионов СО3 в степени 2- в процессах создания центров свечения и центров окраски в кристаллах йодида цезия Актуальність теми. Діелектричні кристали йодидів лужних металів широко використовуються в науці і техніці як сцинтилятори. Кристали Сбі(Т^) і СяІ(Иа) належать до найбільш ефективних сцинтиляційних матеріалів. В останні роки важливі застосування знайшов швидкий сцинтилятор на основі неактивованого Сбі. Інтерес до цих матеріалів особливо зріс у…	Трефилова, Лариса Николаевна	2000
Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As Весьма удобным объектом для изучения фундаментальных свойств горячих электронов оптическими методами являются низкоразмерные структуры на основе полупроводниковых соединений ОаА8/А1хОа1хА8. Современный уровень технологии низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур позволяет получать наноструктуры с толщинами слоев в несколько постоянных…	Акимов, Илья Андреевич	2000
Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава Цели настоящей работы. Перечисленные предпосылки послужили основой для постановки следующих задач: исследовать спектры краевой ФА сильно легированных слоев 1пхСа1хАа1уРу (х=0.77, у=0.53} п— и р—типа в зависимости от температуры и плотности возбуждения; провести их анализ на основе теории люминесценции СЛП, учитывающей флуктуации концентрации…	Карачевцева, Мария Виссарионовна	2000
Спектры краевой фотолюминисценции эпитаксиальных слоев GaSa, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава В данной работе исследовались слои СаАь, легированные кремнием, слои 1пхСа] _хАб1 -уРу, легированные оловом и пинком, и нелегированные квантовые структуры 1пхСа1 _ хАБ/СаА&. Перечисленные материалы широко используются в современной опто— и наноэлектронике. Структуры на основе твердого раствора 1пхСа1 _хАб1 _уРу с составами на длины волн >1мкм…	Карачевцева, Мария Виссарионовна	2000
Спектры элементарных возбуждений решетки кристалловгруппы In-Se, In-Te Актуальність теми. Не дивлячись на те, шо халькогеніди індію відомі досить давно, основна кількість досліджень носить, в основному, експериментальний характер. Існує дуже мало робіт, присвячених дослідженню їх фундаментальних характеристик - енергетичного спектра носіїв струму та коливного спектра граток. Серед них - дослідження енергетичного…	Рущанский, Константин Золтанович	2000
Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах Комплексные исследования физико-химических и электрических свойств новых ХСП, связанные с поиском материалов с низкими значениями температур стеклования или с повышенной проводимостью, вызывают практический интерес…	Александрович, Елена Викторовна	2000
Теоретическое исследование зонной структуры и оптических и кинетических свойств квазиодномерных электронных систем Исследования в области физики низкоразмерных систем обеспечили существенные достижения в решении важнейшей проблемы физики твердого тела и физики полупроводников, а именно: создание веществ с заданными физическими свойствами…	Агасян, Мгер Мартиросович	2000
Технология получения и физические свойства многокомпонентных твёрдых растворов на основе теллурида свинца Акгуалыисть теми дослщжеиь. Нашвпровщников1 сполуки А4В6, леговаш елементами третьоУ групп, займають особливе мюне серед матер1агнв Ш-оптоелектрошки. Створено иовий клас фоточутливих нашвпровщникових матер ¡ал ¡в на основ1 РЬТе, яю в лггератур1 одержали назву - модифжоваш сплави халькогенщ1в свинцю (МСХС). Саме таю матер!али з малою шириною…	Слынько, Евгений Илларионович	2000
Условия образования, структура и свойства алмазоподобных пленок углерода, осажденных из ионных пучков Актуальність теми. У сучасній фізиці твердого тіла і багатьох областях техніки вуглець займає особливе місце. Різноманіття структурних форм і пов'язані з цим фізико-хімічні властивості різних модифікацій вуглецю (алмаз, графіт, карбіни, фулерени та ін.), що змінюються в широких межах, забезпечують постійний інтерес до цього матеріалу…	Пузиков, Вячеслав Михайлович	2000
Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr, Co) и кремния В целом предмет данной работы находится на стыке трех подразделов физики твердого тела (металлов и полупроводников): физики поверхности, физики границы раздела и физики роста тонких пленок. Два первых подраздела, особенно физика поверхности, сформировались относительно недавно. Молодость этих ответвлений физики твердого тела проявляется в том, что…	Плюснин, Николай Иннокентьевич	2000
Фазы, стбализированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr,Co) и кремния Физика формирования полупроводниковых и металл - полупроводниковых гетероструктур тесно связана с физикой формирования границы раздела, которая находится на стыке физики поверхности (полупроводников и металлов) и физики тонких (металлических или полупроводниковых) пленок. Однако в отличие от этих двух последних областей, получивших очень мощное…	Плюсинин, Николай Иннокентьевич	2000
Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений При разработке технологии выращивания высокотемпературных материалов исследователи сталкиваются со сложной проблемой, поскольку в литературе практически отсутствуют данные о физико-химических свойствах жидких тугоплавких оксидов, а тем более многокомпонентных оксидных систем. Знание таких свойств, как вязкость, плотность, поверхностное натяжение…	Заварцев, Юрий Дмитриевич	2000
Физические свойства гетеропереходов в системе сульфид-теллурид кадмия Актуальність теми. Гетеропереходи (ГП), одним з компонентів яких є телурид кадмію, перспективні для створення детекторів різного типу випромінювань. Це зумовлено цілою низкою причин. По-перше, ширина забороненої зони Е& телуриду кадмію є оптимальною для перетворення сонячної енергії в електричну. По-друге, високі густина та атомний номер СсіТе…	Барасюк, Ярослав Николаевич	2000
Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки Изучение механизма образования и природы различных точечных дефектов в бездислокационных и малодислокационных монокристаллах кремнии, подвергнутых различным видам воздействия (облучению быстрыми электронами, имплантации ионов различных масс), является важной фундаментальной задачей. Представляет безусловный интерес исследование процессов…	Ежлов, Вадим Сергеевич	2000
Физические свойства кристаллов селенида цинка, легированных элементами I и V групп Розвиток сучасної напівпровідникової оптоелектроніки обумовлює підвищений інтерес до широкозонних ІІ-УІ сполук [1]. Серед них особливе місце займає селенід цинку, ширина забороненої зони (£е=2,7 еВ при 300 К) якого дозволяє перекрити практично весь видимий діапазон спектру, включаючи і мало освоєну синьо-блакитну область. При цьому головною…	Чабан, Юрий Ярославович	2000
Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С. Несколько иное влияние на свойства кристаллов оказывают атомы гелия, присутствие которых не оказывает столь заметного воздействия на электрофизические параметры, как в случае внедрения атомов водорода. Такое различие может быть обусловлено как различием химической активности данных элементов, так и более эффективным геттерированием на порах…	Неустроев, Ефим Петрович	2000
Фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон Одне з достойних місць у ряду вузькозонних напівпровідників, що використовуються для створення на їх основі тонкоплівкових фотодетекторів, належить Свинець сульфіду…	Алешин, Алексей Николаевич	2000
Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6 Кроме формирования трионов, экситон-электронное взаимодействие приводит к целому ряду других физических явлений, которые в настоящее время недостаточно 5 изучены. Одним из таких явлений является обменное экситон-электронное рассеяние. Можно ожидать, что такой процесс будет доминирующим в экситон-электронном взаимодействии при определенной…	Астахов, Георгий Владимирович	2000
Экситон-электропнос взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6 Современный уровень эпитаксиальной технологии полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур позволяет получать наноструктуры с толщинами слоев всего в несколько постоянных решетки. При этом имеется возможность варьировать в широких пределах состав слоев, получать структуры с заданным распределением примесей и заданными оптическими…	Астахов, Георгий Владимирович	2000