Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Люминесцентные свойства моно- и поликристаллов нелегированного и легированного медью тетрабората лития Актуа.п.иісі і. кми. -іа осіаїші десятпліпя термолюмінесцентна дозиметрія (ТЛД) іаймаг провідне місце в індивідуальному дозиметричному контролі, екологічному моніторингу, радіології і радіобіології. Однак, незважаючи на доеягнуїі успіхи. і на сьогодні одніїю з акіуальипх проблем ТЛД залишається пошук нових іа покращення параметрів вже відомих…	Гунда, Борис Михайлович	2000
Люминесценция и преобразование энергии в минералах, керамиках и катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении При выяснении влияния валентности ионов активатора на люминесцентные и хромофорные характеристики минералов применялась изобарно-изотермическая их обработка в окислительно-восстановительных средах (10 Па, 103К…	Яровой, Павел Николаевич	2000
Люминисценция и преобразование энергии в минералах, керамиках, катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении К числу наиболее информативных методов исследования веществ, особенно в случае низкой электропроводности, относятся оптические, в частности, люминесцентные методы. Такие методики позволяют получать данные о различных стадиях преобразования энергии: создание дефектов, излучательной рекомбинации, туннелировании носителей заряда, возникновении…	Яровой, Павел Николаевич	2000
Магнитные фазовые переходы и физические свойства реальных материалов со сложной магнитной структурой Количественные вычисления критических показателей и обоснование картины скейлинга связаны с применением методов ренорм группы и е-разложения [3]. Несмотря на успехи в теории пока исследованы только модельные системы, такие как модели Изинга, Гейзенберга, Х-У модель и т.д. Но для подробного сравнения необходимо провести исследования более…	Мусаев, Гапиз Гапизович	2000
Магнитооптические эффекты в полумагнитных полупроводниках на основе теллурида ртути Актуальшсть теми. Протягом двох останшх десятирш значну увагу га защкавлешсть дослщнишв викликають нашвмапптш иатвпровщники (НМН), яю займають пролнжне положения М1Ж звичайними та магштними нашвпровидниками. Наявнють у склад] НМН магштноТ компонента (3(1 або 4f елементав) призводить до виникнення аномальних явищ, як! и1дсутш у звичайних…	Федив, Владимир Иванович	2000
Магнитоупругая динамика марганец - цинковых ферритов в области спиновой переориентации В решении этих задач перспективными являются методы, основанные на иследовании эффектов магнитоупругого взаимодействия. Такие исследования дают важную информацию об условиях и степени магнито-акустического взаимодействия, магнитоупругих константах, величине и динамике внутренних магнитных полей и прочих магнитных и упругих 7 характеристиках. Связь…	Баженов, Максим Владимирович	2000
Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах Сенсорные свойства поверхностно дотированных образцов описываются механизмами т.н. химической и электронной сенсибилизации. Детали этих двух механизмов, а также их относительный вклад в каждой конкретной системе полупроводник-допирующий металл-газ остаются неисследованными. Основная проблема заключается в разделении этих механизмов. И химический и…	Рябцев, Станислав Викторович	2000
Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой К моменту начала выполнения настоящей работы (1993 г.) твердые растворы АЮаАзБЬ и СаГпАяЗЬ были получены методами жидкофазной эпи-таксии (ЖФЭ), молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), газофазной эпитак-сией из металл-органических соединений (МОГФЭ) и другими. Жидкофаз-ный рост производился в основном из растворов - расплавов на основе легкоплавких…	Смирнов, Валерий Михайлович	2000
Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности Ряд вопросов возникает также в связи с подготовкой поверхности пористого слоя на предварительном этапе перед эпитаксией. Обычно пористый слой термически отжигается, а для удаления окисла поверхность подвергается обработке парами кремния. В связи с высокой удельной площадью поверхности ПК уже при сравнительно низких температурах нагрева следует…	Новиков, Павел Леонидович	2000
Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U В настоящее время электроника вообще и полупроводниковые приборы в частности развиваются настолько стремительно, что сегодняшние представления завтра уже могут оказаться устаревшими. Поэтому необходимо ясно понимать физические процессы лежащие в основе технологии изготовления полупроводниковых приборов. Одним из основных способов создания любых…	Диденко, Сергей Иванович	2000
Моделирование физических явлений в ионноимплантированных приборных структурах на основе соединений типа A III B V В последние годы постоянно расширяется диапазон областей применения метода ионной имплантации (ИИ) в технологическом цикле изготовления полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных микросхем (ИМС). Особенно заметны успехи применения ИИ при создании ПП и ИМС СВЧ и оптического диапазонов, в том числе и на основе полупроводниковых соединений АП1ВУ…	Диденко, Сергей Иванович	2000
Модифицированные поверхности арсенида индия, обработанной в парах халькогена В идеальном случае поверхность или граница раздела представляет собой резкий барьер, позволяющий четко разграничивать внутренние области прибора или установить его внешние границы. Поверхность большинства полупроводников AnIBv характеризуется высокой плотностью поверхностных состояний в запрещённой зоне, что приводит к жесткому закреплению уровня…	Татохин, Евгений Анатольевич	2000
Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур Из этой формулы следует, что пороговая плотность тока в полупроводниковом лазере тем ниже, чем выше внутренняя эффективность спонтанной излучательной рекомбинации в активной области //, и чем ниже внутренние потери в структуре а,. Приведенная зависимость для пороговой плотности тока достаточно универсальна и качественно применима в случае…	Токранов, Вадим Ефимович	2000
Нелинейные оптические явления и эффекты фазовой памяти в полупроводниковых системах с пониженной размерностью Высокий уровень современной микро- и оптоэлектроники во многом обусловлен огромными успехами в области изготовления и исследования низкоразмерных полупроводниковых структур…	Еремян, Аршам Серобович	2000
Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках Постоянно возрастающий интерес к доменным структурам в полупроводниках обусловлен тем, что в них имеется модуляция положений дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, и может возникать локализующий потенциал для электронов и дырок. Этот потенциал может создаваться модуляциями состава в твердых растворах полупроводников и, в зависимости от…	Стародубцев, Артем Николаевич	2000
Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении Разработка малогабаритных импульсных ускорителей и наличие высокоэффективных кристаллофосфоров обеспечили реальные предпосылки для получения нового класса импульсных катодолюминесцентных источников (КЛИ) оптического излучения с высокой (-300 МВт/см2) удельной плотностью мощности. Для достижения оптимальных параметров КЛИ необходимо использование…	Штанько, Виктор Федорович	2000
Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния Проводятся исследования по улучшению характеристик уже созданных квантовых генераторов на р - Ое, так как все эти источники стимулированного излучения на р - Ое обладают довольно низким КПД ~ л ("Л «0,5%) [3]. Кроме того, наблюдаются также некоторые существенные расхождения между экспериментом и теорией - сравнительно слабо выраженная…	Мусаев, Ахмед Магомедович	2000
Определение неоднородностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами Решение упомянутых выше задач связано с большим объемом численных расчетов и оказалось возможным только благодаря появлению быстродействующих компьютеров…	Гусева, Елена Анатольевна	2000
Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра Особый интерес представляет арсенид кадмия как узкозонный полупроводниковый материал с тетрагональной кристаллической структурой и инверсным расположением зон /2/. Он обладает одним из самых больших, наблюдаемых в тетрагональных полупроводниковых материалах, значением подвижногу сти основных носителей заряда (до 4.6 м /(В-с) при 15 К) /3/ и…	Кочура, Алексей Вячеславович	2000
Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик Значительные трудности в деле исследования процессов рекомбинации экситонов и внутризонной релаксации носителей в полупроводниковых наноструктурах создают короткие времена протекания первых Ю-9 т10'"с)и очень короткие, лежащие в субпикосекундном масштабе, времена протекания вторых. Кроме того, изучение свойств экситонной рекомбинации осложнено…	Черноуцан, Кирилл Алексеевич	2000