Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Влияние состояния поляризации света на оптические и фотогальванические эффекты в полупроводниках и в полупроводниковых структурах Поляризационные фотогальванические эффекты, также возникающие при однородном освещении и, в отличие от классических фотовольтаических эффектов, обусловленных лишь неоднородностью освещения или неоднородностью образца и не связанные с передачей носителям импульса фотона возможны лишь в кристаллах без центра инверсии. Это линейный фотогальванический…	Эски, Тевфик	2000
Влияние структурных особенностей на оптические и электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических пленок Как правило, указанные приборные структуры формируются на основе тонкопленочных материалов или используя их тонкие приповерхностные слои. В зависимости от конретных особенностей исследуемых материалов, их назначения привлекаются те или иные экспериментальные методики и физические модели, позволяющие получить ответы на соответсвующие вопросы. Так…	Образцов, Александр Николаевич	2000
Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x В качестве другого компонента твердых растворов наибольший интерес представляют нитриды металлов III группы (AniN) периодической системы элементов Д. И. Менделеева. Этот интерес обусловлен высокой вероятностью образования твердых растворов в этих системах (SiC-AniN), особенно в системах SiC-AIN и SiC-GaN. Кроме того, минимум зоны проводимости в…	Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат	2000
Высокочастотные и магнитоакустические взаимодействия в магнитомягких ферритах с различными формой, размерами и микроструктурой Другим, часто не учитываемым фактором, является размагничивающее поле, зависящее от пористости, формы и размеров образца. В большинстве моделей форма образца вообще не учитывается [1], тогда как она может играть определяющую роль, особенно при больших амплитудах переменных полей. При взаимодействии магнетиков с переменными полями идет процесс…	Котов, Леонид Нафанаилович	2000
Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии Максимальная эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую может быть достигнута на фотопреобразователях, созданных на основе гетероструктур в системе АЮа-Ав. Арсенид галлия является привлекательным материалом для создания преобразователей солнечного излучения, так как ширина его запрещенной зоны попадает в интервал…	Якимова, Елена Владиленовна	2000
Газовая чувствительность поверхностно-барьерных структур на основе кремния, арсенида галлия и сульфида кадмия с сверхтонкими пленками титана и никеля Особливо перспективним є підхід, що дозволяє сумістити добре розвинену кроелектронну технологію зі створенням активного елемента на тому ж матеріалі, що й схема іробки інформації. Цей підхід обіцяє суттєву дешевизну приладу і значні переваги при створенні ітриць сенсорів. Тому не дивно, що широкого використання в якості напівпровідникових зових…	Бомк, Олег Иосифович	2000
Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия Объектами исследований являлись: поверхностно-барьерные структуры на основе арсенида галлия, поверхностно-барьерные структуры на основе фосфида галлия, р-п-структуры на основе кремния и р-п-структуры на основе арсенида галлия…	Бланк, Татьяна Владимировна	2000
Деградационные и релаксационные процессы в светодиодах GaP, обусловленные ультразвуком и радиацией Захист відбудеться ” 26 ” квітня 2000 року о 15.00 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 32.051.01 при Волинському державному університеті ім. Лесі Українки (263021, м. Луцьк, вул. Потапова, 9…	Гонтарук, Александр Николаевич	2000
Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния Исследуемый в данной работе объект (пористый кремний) может быть сформирован в виде сетки пересекающихся кремниевых нитей нанометрического сечения. Свойства пористого кремния (ПК) определяются размерами нитей и составом их поверхностного покрытия. Технология формирования ПК - электрохимическое или химическое травление кремния - относительно…	Павликов, Александр Владимирович	2000
Динамика решетки и структурные фазовые переходы в гипо (селено)-дифосфатах с слоистой кристаллической структурой Актуальність теми. Фізика сегнетоелектричних явищ зараз є одним із напрямків фізики твердого тіла, який інтенсивно розвивається. Це насамперед пов’язано з тим, що при вивченні сегнетоелектриків розглядаються такі важливі питання фізики твердого тіла, як структурні фазові переходи (ФП), динаміка гратки, аіггармонізм коливань, нелінійні ефекти…	Митровций, Виктор Васильевич	2000
Динамика фазовых превращение релаксорных сегнетоэлектриков в спектрах рассеяния света Спектроскопия рассеяния света (более точно - комбинационное рассеяние света) сыграла решающую роль в исследовании сегнетоэлектрических фазовых переходов. Концепция «мягкой моды» была развита для изучения динамики кристаллической решетки в сегнетоэлектрических и родственных соединениях. Классическими объектами в этих исследованиях стали…	Рогачева, Екатерина Александровна	2000
Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники В принципе, для всех типов активных полевых приборов, среди которых главными являются: МДП транзистор (полевой транзистор с изолированным затвором) [8]; ПТШ (транзистор с затвором Шоттки) [9]; НЕМТ (гетеротранзистор с высокой электронной подвижностью) [10], характерными являются высокие численные значения отношения минимального латерального…	Тимофеев, Максим Владимирович	2000
Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером Разработка композитных материалов - один из возможных способов решения целого ряда проблем. Такие материалы представляют собой новый класс анизотропных сред, содержащих ЖК и полимерную матрицу [1]. Наличие в материале межфазной границы ЖК - полимер должно определенным образом влиять на электрооптические свойства ЖК. Возможность применения подобных…	Самсонова, Ирина Викторовна	2000
Закономерности распределения междоузельного кислорода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского Известно, что нагрев кристаллов при температурах 300-800 °С обуславливает формирование донорных комплексов (так называемых термодоноров и "новых доноров"), а при температурах 700-1250 °С -выпадение твердого раствора кислорода во вторую фазу с образованием окисных преципитатов и микродефектов. С одной стороны, это отрицательно влияет на…	Петух, Алла Николаевна	2000
Идентификация компонент спектров фотоотражения полупроводников группы А3В5 и полупроводниковых структур на их основе Метод фотоотражения был развит в середине 60-х годов как модификация электроотражательной спектроскопии (ЭО). Основой для теоретического описания спектров ФО является созданная Аспнессом (Aspnes) и Кардоной (Cardona) теория электроотражения. Значительное теоретическое и аппаратное развитие метода ФО произошло в течении последних 10-ти лет…	Ганжа, Антон Владимирович	2000
Излучательная рекомбинация в активных средах полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6 В настоящее время для записи и воспроизведения информации на оптических дисках и в лазерных принтерах используют инжекционные лазеры ИК-диапазона, а в лазерных визирах и указателях - лазеры красного свечения на основе соединений А3В5. Диапазон длин волн этих лазеров ограничен снизу величиной 0.6 мкм. Это накладывает ограничения на плотность записи…	Гурский, Александр Леонидович	2000
Инфразвуковая диэлектрическая спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок Даже если ограничиться электроникой полимерных пленок, следует отметить, что используемые в настоящее время методы исследования сталкиваются с рядом трудностей при интерпретации экспериментальных данных. В этой связи важное значение имеет разработка новых методов анализа кинетических свойств полимеров в связи с особенностями их строения, которые…	Карулина, Елена Анатольевна	2000
Инфракрасные детекторы на основе HgMnTe: физические и технологические проблемы Сьогодні твердий розчин Hg\|.xCdxTe є одним із найважливіших напівпровідників для високоефективних 14 детекторів як фоторезистив-ного, так і фотовольтаічного типу. Однак, добре відомі і серйозні технологічні проблеми, зумовлені "нестабільністю" кристалічної гратки Hgi_xCdxTe, поверхні кристалу і меж поділу. Ці проблеми спричиняють пошук матеріалу…	Сун Вейгуо	2000
Ионные процессы в радиационно загрязненных кристаллах галогенидов двувалентных металлов В якост1 модельних об'екпв ф1зика центр1в забарвлення використовуе лужно-галощш кристали (ЛГК). Саме на ЛГК шдентифкована структура бшьшост1 електронних 1 Д1ркових центр!в забарвлення, вщкршч явища автолокал1зацн д!рок 1 екситошв, екситонного мехашзму генераци центр1в забарвлення. Недол1к ЛГК як об'еклв дослщжень полягае в неможливост1…	Черный, Зиновий Павлович	2000
Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te Для создания развязывающих элементов в ячейке памяти необходимо использовать транзисторы или диоды, а для этого необходимы полупроводники обоих типов проводимости (электронного и дырочного типов). В настоящее время существует несколько систем халькогенидных стеклообразных полупроводников, обладающих электронным типом проводимости, на основе…	Дьяков, Сергей Николаевич	2000