Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs Создание импульсных транзисторов и тиристоров на основе гетерост-руктур ОаАэ-АЮаАз стало возможным благодаря разработке основ технологии получения высоковольтных р-п переходов на базе нелегированного СаАэ за счёт фоновой компенсации. Однако до конца не выяснен механизм фоновой компенсации при формировании плавных переходов, что затрудняло…	Солдатенков, Федор Юрьевич	2001
Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах Расчет химического потенциала, как правило, основывается на анализе равновесия кристалла с фазой, из которой производится легирование. Причем при анализе кривых равновесия кристалл-расплав обычно пользуются соотношениями, полученными еще Ван Лааром, Шредером и Гугенгеймом. Для расчета равновесия кристалл-пар используется приближенный интеграл…	Львов, Павел Евгеньевич	2001
Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии Эпитаксиальные методы являются наиболее пригодными для выращивания слоев КРТ большой площади. Однако разработка технологии выращивания осложняется тем, что особенностью твердого раствора КРТ является электрическая активность собственных точечных дефектов, концентрации которых могут меняться в широких пределах в зависимости от метода, условий…	Варавин, Василий Семенович	2001
Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности Примером низкоразмерного полупроводникового объекта с поверхностью, открытой для воздействия молекул, является пористый кремний (ПК). При определенных режимах приготовления данный материал состоит из наноструктур типа системы пересекающихся квантовых нитей или совокупности (ансамбля) нанокристаллов с характерными поперечными размерами порядка…	Тимошенко, Виктор Юрьевич	2001
Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе В настоящее время a-Si:H широко используется в тонкопленочной электронике. Применение a-Si:H во многом определяется тем, что это первый аморфный полупроводниковый материал который удалось эффективно легировать в п и р тип. Материалы на основе a-Si:H применяются для изготовления солнечных элементов (СЭ), плоских жидкокристаллических дисплеев…	Абрамов, Алексей Станиславович	2001
Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках Множество полезных для практического применения свойств полупроводников обусловлено так называемыми центрами с глубокими уровнями или глубокими центрами (ГЦ) - локальными дефектами, энергия ионизации которых существенно больше кТ…	Эмиров, Юсуф Нурмагомедович	2001
Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур Выберем следующие параметры ОПЗС: в = 11,8 (кремний), Ь = 1х10"4см, </= 6x10"5 см, АК= 10 В. Тогда из соотношения (1) получаем, что при ш = 1, £>1 < 5,4x10" см"2, а при т = 3, £>3 ~ 0,3 х & = 1,66 х 10п см"2…	Гордо, Наталья Михайловна	2001
Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором Среди плёнок a-Si:H с разным типом легирования наименее исследованы плёнки />-типа (плёнки, легированные акцепторами, как правило, бором). Несмотря на широкое использование a-Si:H р-типа до сих пор нет ясности в понимании характера влияния уровня легирования акцепторами на фотоэлектрические свойства a-Si-H. Также недостаточно изучено влияние…	Кузнецов, Сергей Викторович	2001
Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур Для достижения указанной цели в работе поставлены и решены следующие задачи: исследована кинетика гашения фотолюминесценции пористого кремния под действием электронного и последующего лазерного облучения; рассмотрена роль диффузионных процессов и зарядки поверхности в электронно-стимулированном гашении фотолюминесценции пористого кремния; изучены…	Нагорнов, Юрий Сергеевич	2001
Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии КТ представляет собой набор дискретных уровней, как и в атомах, хотя реальная точка может состоять из десятков тысяч атомов. На рис.1 показаны схематические диаграммы функции плотности состояний для трехмерной системы, квантовой ямы, квантовой проволоки и квантовой точки. Несмотря на общность многих квантово-размерных эффектов, возникающих во всех…	Якимов, Андрей Иннокентьевич	2001
Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками Физические свойства CP определяются их энергетическим спектром, который должен находиться из решения уравнения Шредингера (обзор дан в [6]). Последнее должно содержать как основной потенциал кристаллической решетки V0(г), так и дополнительный периодический потенциал 4…	Зайцев, Роман Владимирович	2001
Активаторные центры окраски в кристаллахSrCl2:TlCl Радіаційна фізика твердого тіла дала техніці могутню зброю -радіаційну технологію модифікації матеріалів з метою надання їм тих або інших потрібних властивостей. У 1974 році Молленауер і Олсон виявили, що деякі центри забарвлення в лужно-галоїдних кристалах, які мають люмінесценцію зі значним стоксовим зсувом стосовно спряженої смуги поглинання…	Салапак, Владимир Михайлович	2000
Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния Со времени открытия транзисторного эффекта [1] физика и химия поверхности полупроводников и границ раздела фаз является предметом постоянных экспериментальных и теоретических исследований…	Пархоменко, Юрий Николаевич	2000
Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния В последние годы реализована возможность получать эти материалы, используя методы, близкие к технологии осаждения тонких пленок обычного аморфного кремния, широко применяемого в микроэлектронике. В частности, применяемый в данной работе метод плазмохимического газофазного осаждения позволяет получать тонкие кремниевые пленки на больших площадях…	Медведев, Александр Вячеславович	2000
Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe Особенности поведения примеси таллия в массивных равновесных образцах селенида свинца достаточно подробно изучены и описаны в литературе. Установлено, что при легировании селенида свинца таллием проявляется эффект самокомпенсации примеси, причем особенности самокомпенсации описываются в рамках простейшей модели самокомпенсации примеси одиночными…	Осипов, Павел Анатольевич	2000
Влияние дефектной подсистемы на фотоэлектрические свойства кремния ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальність теми. В останні роки значний інтерес викликає вивчення процесів, які відбуваються в фотоперетворювачах сонячної енергії [1,2]. Вже біля третини століття фотоелектричне перетворення є основним засобом виробництва енергії в космосі, і останнім часом знаходить все ширше застосування на Земл…	Возний, Максим Валериевич	2000
Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах Множество теоретических и экспериментальных работ посвящены ионному обмену как технологии изготовления высококачественных оптических элементов [8, 9, 10, 11, 12…	Лобода, Вера Владимировна	2000
Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства кремния в условиях компенсации Современное состояние электронных приборов невозможно представить без учета роли примесных атомов, создающих глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника. В этом плане сильно компенсированный кремний, легированный элементами переходной группы железа, является перспективным материалом, так как в нем был исследован и обнаружен ряд интересных…	Саъдуллаев, Алавиддин Бобакулович	2000
Влияние непараболичности закона дисперсии носителей заряда на примесные состояния в низкоразмерных полупроводниковых системах Физику полупроводников наших дней невозможно представить без полупроводниковых систем с пониженной размерностью — квантовых пленок, квантовых проволок (КП) и квантовых точек (КТ). Впечатляющий прогресс новейших прецизионных технологий, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия ( МЛЭ) и газофазовая эпитаксия из металл-органических соединений (ГФЭ…	Аветисян, Артак Араевич	2000
Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита Эти воздействия приводят к возникновению разнообразных дефектов кристаллического строения, которые способствуют появлению в запрещенной зоне кристаллов широкого спектра энергетических уровней ловушек и центров рекомбинации с различной концентрацией [6, 7]. Все это приводит к сложным фи6 зическим процессам в нелегированных материалах и резкому их…	Умрихин, Владимир Васильевич	2000