Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs Энергетический спектр гетероструктур с квантовыми точками изучается в подавляющем большинстве работ методами фотолюминесцентной спектроскопии (см. например [2-4]). К настоящему времени для ГКТ, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, вопрос о связи структуры спектров фотолюминесценции (ФЛ) с геометрической структурой слоя…	Морозов, Сергей Вячеславович	2002
Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами. В то же время у сред на основе ХСП имеются недостатки: низкая фоточувствительность, высокий контраст, что существенно сужает область их применения. Поэтому актуальной является задача повышения фоточувствительности этих материалов, создание новых полупроводниковых материалов на основе ХСП, позволяющих записывать как полутоновые, так и…	Фещенко, Игорь Сергеевич	2002
Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии Построение адекватной теоретической модели кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии имеет существенное значение для замены длительных и дорогостоящих экспериментов по отработке технологи восстановления германиево-литиевых детекторов компьютерным моделированием…	Ильин, Павел Александрович	2002
Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия К перспективным диэлектрическим материалам относятся оксиды редкоземельных элементов (ОРЗЭ). Эти материалы обладают высокой термической и химической стойкостью, большими значениями диэлектрической проницаемости по сравнению с двуокисью кремния, высокой электрической прочностью [3]. Тонкие пленки из этих материалов могут быть сравнительно просто…	Пирюшов, Виталий Анатольевич	2002
Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике α-Fe2 O3 Электрические и магнитные свойства МП чувствительны к изменению кристаллической решетки и отклонениям стехиометрии состава. Недавно также было отмечено сильное взаимодействие электронной и магнитной подсистем с решеточной подсистемой. Наличие в составе решетки ионов с сильным эффектом Яна-Теллера (Fe , Мп , Ti , Са ) приводит к локальным…	Садыков, Марат Фердинантович	2002
Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек В объемных полупроводниках одновременное выполнение вышеприведенных условий оказалось невозможным, и первые наблюдения БО были выполнены только в начале 90-х годов прошлого века в совершенных сверхрешетках из квантовых ям (СРКЯ) на основе полупроводниковых соединении AHIBV. Период сверхрешетки в десятки раз превосходит межатомные расстояния, и…	Дмитриев, Иван Александрович	2002
Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs Для исследования микроструктуры, морфологии, размеров КТ требуются методы с пространственным разрешением нанометрового диапазона (вплоть до атомного). На настоящий момент существуют такие методы наблюдения микроструктуры материалов как сканирующая туннельная микроскопия (СТМ), микроскопия атомных сил (MAC), просвечивающая электронная микроскопия 3…	Черкашин, Николай Анатольевич	2002
Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур Еще одна актуальная проблема современной микроэлектроники -разработка бесконтактных, неразрушающих методов контроля зарядовых параметров диэлектрика и границы раздела диэлектрик-полупроводник. Наиболее удобным с этой точки зрения является метод вибрационного динамического конденсатора или метод Кельвина-Зисмана. Представляется актуальным также…	Борисов, Сергей Николаевич	2002
Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур За годы, прошедшие после создания АСМ, появилось большое число работ, посвященных описанию процесса сканирования острия над поверхностью образца и расчету действующих между ними сил (см. обзор литературы по данному вопросу в главе 2). Были предложены как моноатомные, так и многоатомные модели острия АСМ. Атомы поверхностных слоев образца…	Благов, Евгений Владимирович	2001
Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп В связи с этим весьма актуальной становится проблема исследования материала вблизи зоны спинодального распада, поскольку несмешиваемость и неустойчивость твердых растворов могут оказаться серьезными препятствиями при выборе и оптимизации технологических режимов получения полупроводниковых слоев с требуемыми свойствами [9]. Экспериментальное…	Черемухина, Ирина Анатольевна	2001
Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками К ВУФу относят диапазон А-=10-200нм; с коротковолновой стороны он граничит с мягким рентгеном, и граница А~10нм здесь не слишком строго обозначена. Длинноволновая граница А,~200нм ВУФ связана с сильным поглощением излучения атмосферой, по причине которого оптический путь должен вакуумироваться. Что же касается оптических материалов, прозрачных в…	Калитеевская, Наталия Алексеевна	2001
Влияние адсорбционных покрытий на фотолюминесценцию пористого кремния …	Синдяев, Андрей Васильевич	2001
Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами Изучение процессов, протекающих на границе твердых тел и газов, способствует развитию современной микроэлектронной промышленности. Характеристики полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники в большинстве случаев целиком определяются поверхностными свойствами полупроводников. Неконтролируемые изменения этих свойств, связанные с воздействием…	Фроленкова, Лариса Юрьевна	2001
Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера Первыми, кто сформулировал условия, при которых возможна антигруппировка излучаемых лазером фотонов, были Голубев и Соколов [5]. Позднее Ямамото показал [6-8], что идеальным источником сжатого по числу фотонов света может быть полупроводниковый лазер с высокой квантовой эффективностью, который накачивается электрическим током. Спектральная…	Усачев, Павел Анатольевич	2001
Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии Углерод в кремнии является источником зарождения дефектов структуры, так же оказывающих существенное влияние на характеристики полупроводниковых приборов. Следовательно, необходим строгий контроль за концентрацией и распределением этой примеси в кремнии. Ионная имплантация является одним из наиболее перспективных методов контролируемого введения…	Джабраилов Тайяр Акбер оглы	2001
Внутризонные переходы неравновесных носителей заряда в GaAs/AlGaAs квантовых ямах Кроме прикладного аспекта исследования динамики неравновесных носителей имеют также большой фундаментальный интерес. К таким исследованиям можно отнести изучение влияния на межподзонную релаксацию возбужденных электронов их переноса в реальном пространстве (real space transfer, RST) в связанные барьерные состояния под действием объемного заряда, а…	Зибик, Евгений Анатольевич	2001
Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии Получение новых высококачественных структур могло бы дать новый импульс для их многочисленных применений, в частности многослойных интегральных схем. Одними из наиболее перспективных в этом отношении являются силициды переходных металлов. В частности дисилицид кобальта перспективен для создания межсхемных соединений и омических контактов благодаря…	Гумаров, Габдрауф Габдрашитович	2001
Исследование возможности использования тонкопленочных монолитных слоистых структур для создания устройств обработки широкополосных сигналов и мониторинга окружающей среды Наблюдаемый быстрый переход от стадии первоначальных идей научных исследований к широкому использованию акустоэлектронных приборов объясняется, с одной стороны , тем, что акустоэлектронные элементы позволяют получить уникальные технические характеристики устройств обработки информации, причем зачастую такие характеристики вообще не могут быть…	Боритко, Сергей Викторович	2001
Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях Шокли-Рида тпр - эффективное время жизни электронов в полупроводнике р-типа трп - эффективное время жизни дырок в полупроводнике п-типа Na- концентрация акцепторов Nd - концентрация доноров…	Ромашко, Лариса Николаевна	2001
Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях Поскольку к факторам, оказывающим наиболее сильное влияние на параметры этих пленок, относятся поликристалличность и внешние границы раздела, то именно их изучение и составило один из основных предметов исследования. В свою очередь, структурные характеристики определяются технологией изготовления пленок. Поэтому важнейшим аспектом работы стал…	Колобаев, Виктор Валентинович	2001